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1.
建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。  相似文献   
2.
指出了关于近-强凸(近-非常凸、局部近-一致光滑)的两种不同形式的定义实质上是等价的,从而统一了有关文献中的一些结果.  相似文献   
3.
本文选取苯基乙酰甲基亚砜(C6H5SOCH2COCH3)作为配体与碱土金属(钙、锶)的高氯酸盐反应得到配合物的单晶,对它们进行了元素分析及红外光谱表征,它们的化学式为[ML6](ClO4)2(M=Ca、Sr;L=C6H5SOCH2COCH3)。并用X-ray单晶衍射法测定了钙、锶配合物的晶体结构。  相似文献   
4.
合成了重稀土高氯酸盐甲基苯甲酰甲基亚砜配合物RE(ClO4)3·L5·C2H5OH(RE=Gd,Tb,Dy,Tm,Yb;L=C6H5COCH2SOCH3).经元素分析、稀土络合滴定、摩尔电导及热重分析确定了配合物的组成,测定了配体及配合物的IR谱、1H NMR及铽配合物的磷光光谱、荧光激发和发射光谱,根据荧光发射光谱数据计算了铽配合物的各能级值.  相似文献   
5.
利用Chebyshev多项式定义了一类双向单叶解析函数,并得到了该函数类的系数估计及Fekete-Szeg?不等式问题.  相似文献   
6.
高效液相色谱法测定土壤中青霉素G钠残留   总被引:1,自引:0,他引:1  
近年来青霉素常被大量用于畜牧业,但是它们并不能被动物完全吸收,而是有相当部分以原形或代谢物的形式随粪便和尿液排入土壤中.由于青霉素有过敏反应,所以青霉素残留可能会使过敏体质的人产生过敏反应,危害人体健康~([1]),最终可能对人类的生存造成不利的影响.许多国家和国际组织对牛奶中的青霉素残留做了限量的规定~([2]),但是青霉素在土壤中的残留目前还没研究.本研究建立简便快速测定土壤中青霉素G钠的方法,并对7个牧场、2个农户和1个草原的土壤样品进行了测定.  相似文献   
7.
稀土氧化物LSCO/YSZ的XRD和XPS研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用常规固相反应法制备了不同Sr掺杂量的钙钛矿氧化物La1-xSrxCoO3材料。测试了该材料的XRD和XPS谱,研究了不同热处理工艺对Lz1-xSrxCoO3材料平均晶粒度的影响,研究了不同Sr掺杂量的La1-xSrxCoO3阴极材料表面的化学状态。结果表明,当热处理温度在900-1200)时,平均晶粒度较大,有利于形成多孔电极。随着Sr掺杂量的增加,La(3d5/2),Co(2p3/2)的结合能下降,氧空位浓度增加。  相似文献   
8.
研制了基于松香酸酐固化剂的生物质环氧树脂体系,采用全动态DSC法研究了树脂体系的固化反应动力学,通过半经验的唯象模型拟合得到了固化反应参数,活化能Ea为59.68 kJ/g,指前因子A0为1.28×1015s-1,反应级数n为2.483,由此建立了体系固化温度/时间/固化度间的关系;采用恒温DSC及DMA方法测试玻璃化转变温度,应用DiBenedetto经验方程拟合得到了玻璃化转变温度与固化度间的关系.应用锥板旋转黏度计测试了树脂体系不同温度下的凝胶时间,通过线性回归分析得到了凝胶时间与温度之间的关系.由唯象模型和DiBenedetto方程分别计算得到凝胶时的固化度为0.386,玻璃化转变温度为26.22°C.由上述工作绘制了基于松香酸酐生物质树脂体系的TTT(time-temperature-transition diagram)固化图,可确定树脂体系在不同温度任意时间下的状态.  相似文献   
9.
合成了一系列异核高氯酸钐、镝二苯亚砜配合物:SmxDy1-x(DPSO)7(ClO4)(x=1.000-0.000,DPSO为二苯亚砜)。测定了配合物的组成、IR谱、荧光激发和发射光谱。荧光发射光谱表明:在二苯亚砜体系中Sm^3 对Dy^3 的发光有明显的猝灭作用,而Dy^3 对Sm^3 的发光有较强的敏化作用。根据配合物的荧光光谱计算了(Sm^3 、Dy^3 )及配体DPSO的有关能级,并研究了猝灭和敏化的机理。  相似文献   
10.
雷达  孟根其其格  张荷亮  智颖飙 《物理学报》2013,62(24):248502-248502
建立一种平行栅碳纳米管阵列阴极,利用悬浮球模型和镜像电荷法进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场与电场增强因子的解析式. 在此基础上,进一步分析器件各类参数以及接触电阻对阴极电子发射性能的影响. 分析表明,碳纳米管间距大约为2倍碳纳米管高度时阵列阴极的分布密度最佳,靠边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大;除碳纳米管的长径比之外,栅极宽度和栅极间距也对电场增强因子有一定作用;接触电阻的存在大幅度降低碳纳米管顶端表面电场与发射电流,而接触电阻高于800 kΩ时,器件对阳极驱动电压的要求更高. 关键词: 平行栅碳纳米管阵列 悬浮球 场增强因子 接触电阻  相似文献   
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