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1.
ZnO及其缺陷的电子结构   总被引:37,自引:0,他引:37       下载免费PDF全文
利用全势线性Muffin-tin轨道(FP-LMTO)理论方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构.计算的结果表明,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用. O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽,带隙变小.Zn空位和O填隙分别在价带顶0.3和0.4 eV处产生浅受主能级.而Zn填隙在导带底0.5 eV处产生浅施主能级.但O空位则在导带底1.3 eV处产生深施主能级.根据以上结果,证明了Zn填隙是引起ZnO本征n型导电性的主要原因.  相似文献
2.
Gd2SiO5: Eu3+中VUV激发的量子剪裁   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
在北京同步辐射装置的真空紫外光谱站, 对Gd2SiO5: Eu3+激发谱、发射谱进行了研究. 基于Gd3+-Eu3+体系通过能量传递发生可见光量子剪裁的原理, 对实验结果进行了讨论. 当直接激发Gd3+6GJ态时, 有2个来自Eu3+的可见光光子发射, 粗略的估算表明Gd2SiO5: Eu3+是一种有效的量子剪裁材料.  相似文献
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