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1.
本文概述了同步辐射在团簇物理研究中的应用,讨论主要集中在真空紫外(VUV)区。重点说明其实验方法、研究进展状况和实验设计的一般考虑;并选择介绍德国DESY的团簇物理实验站CLULU;最后,对未来的发展方向提出作者的一些观点。  相似文献   
2.
本文是作者1982年在中国访问时所作的讲演,论述物理学各领域的前沿工作,用许多事例说明计算物理对推动物理理论的重大意义。文中还指出计算物理在其性质、方法及需要等方面不同于和独立于解析的理论物理和实验物理,而成为物理学的第三分支。  相似文献   
3.
4.
在 10 5~ 30 0K温区内 ,测量了X射线激发下Ce3+ ∶LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖 (I T) ,在 2 37~30 0K温区内发光强度有特殊的增强结构 ,结合 10 5~ 30 0K温区内热释光的测量 ,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析 ,得到深度分别为 0 5 1eV和 0 5 5eV的陷阱能级 ,这些陷阱主要源于Ce3 + 取代Sr2 + 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+ 空位所形成的本征缺陷。  相似文献   
5.
大尺寸无机闪烁晶体Ce^3+:YAG的生长和光谱研究   总被引:5,自引:5,他引:0  
本文研究了大尺寸、高光学质量无机闪烁晶体Ce^3 :YAG的生长,并对它的吸收光谱和荧光光谱进行了测量和分析。在克服了晶体易列裂和出现宏观缺陷的情况下,采用提拉法成功生长出直径达45mm的Ce^3 :YAG单晶。光谱测量表明晶体具有优良的光学性能。并已经在大规模集成电路的检测上得到应用。  相似文献   
6.
Gd2O3:(Ce3+,Eu3+)微晶中稀土离子间的级联能量传递   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
本文了纳米Gd2O3:(Ce^3 ,Eu^3 )的紫外与真空紫外(UV-VUV)激光谱及其选择激发下的荧光光谱,这些光谱实验表明,除Gd2O3基质与Ce^3 ,Eu^3 离子之间的能量传递外,还存在着Gd^3 与Ce^3 ,Eu^3 间的能量传递,即存在Gd^3 →Ce^3 →Eu^3 三种稀土离子间的级联传递。  相似文献   
7.
ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理   总被引:9,自引:1,他引:8       下载免费PDF全文
以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射,其峰值波长分别为380,369.5,290nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区,而在真空紫外区(100~200nm),可能源于ZnO的下价带(Zn3d组态)电子的激发。对三种紫外发射的来源作了分析讨论。  相似文献   
8.
Quantum cutting in Gd2SiO5: Eu3+ by VUV excitation   总被引:1,自引:0,他引:1  
The emission and excitation spectra of Gd2SiO5: Eu3+ were investigated using the VUVbeam line of the Beijing Synchrotron Radiation Facility (BSRF). The experimental results werediscussed in the frame of visible quantum cutting process involved in Gd3+-Eu3+ system. Upon di-rect excitation into the 6GJ states of Gd3+, two visible photon emissions from Eu3+ were observed.Cursory evaluation proved that Gd2SiO5: Eu3+ is an efficient visible quantum cutter.  相似文献   
9.
利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)和真空紫外激光(157.6nm)对新型蓝光发射长余辉材料Sr2MgSi2O7∶Eu2 (0·2%),Dy3 (8%)进行了光谱研究。在170nm同步辐射光源激发下,观察到对应Eu2 :5d-4f跃迁的477nm发射带和对应Dy3 :4f-4f跃迁的两组线谱发射,其中只有来自Eu2 的5d-4f发射对长余辉光谱有贡献。在157.6nm激光激发下,除了上述发射外,还明显观察到对应Eu3 的红色线谱(590,614,626nm)。结合这些光谱特性,对Sr2MgSi2O7∶Eu2 ,Dy3 中稀土离子的发光特性以及长余辉发光机理进行了讨论,并提出了Eu2 充当空穴陷阱的可能性。  相似文献   
10.
Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光   总被引:11,自引:7,他引:4  
几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰值为525nm。当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然zn0晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性。  相似文献   
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