离子印迹共价有机骨架材料对放射性锝的替代物—铼的吸附及应用

该文以高铼酸盐作为高锝酸盐的非放射性结构替代物,结合离子印迹技术的特异性、共价有机骨架(COF)材料的多孔性和酸/热稳定性,通过自由基聚合和季胺化反应,制备出表面离子印迹共价有机骨架(IICOF)材料,并将其应用于实际环境样品中高铼酸根离子的高效捕获.首先利用1,4-二醛基-2,5-二乙烯基苯与1,3,5-三(4-氨苯基)苯为构筑基元,通过微波辅助合成出乙烯基功能化的COF-V.然后以N-乙烯基咪唑和4-氯甲基苯乙烯作为功能单体产生带正电的结合位点,通过与模板离子(高铼酸根)的静电作用以及自由基聚合反应在COF-V表面制备出IICOF.考察了吸附剂用量、吸附时间、pH值、温度、初始浓度、共存离子等对IICOF吸附性能的影响.IICOF在<2 min即可达到吸附平衡状态,吸附热力学研究表明其对高铼酸根离子的吸附是一个放热的自发过程,在动力学上遵循准二级模型.在298.15 K时,最大吸附容量为416.67 mg/g.与非印迹复合材料相比,IICOF表现出更高的选择性、更快的动力学和更大的吸附容量.在珠江水以及尾矿渗滤液的加标吸附实验中,吸附效率分别在87％及98％以上,证实了IICOF能够在现实环境中有效去除高铼酸根离子.该技术为环境中高锝酸根的有效吸附、分离提取以及资源回收提供了一条新途径.     

高硫煤镜质组热解过程中结构变化及有机硫形态变迁规律研究

用手选富集与离心分离相结合的方法,从两种全硫含量相近的新西兰煤（NXL;S_t,ad=1.84%）和山西煤（SX;S_t,ad=1.80%）中分离出高纯度镜质组。在高纯Ar气氛下,分别制备了300、500、700和1 000 ℃下的镜质组焦。用FT-IR研究了两种镜质组中的脂肪氢、芳香氢随温度的变化,结果表明,SX镜质组中脂肪氢的相对含量较高,在热解过程中活性高于同温度下的NXL镜质组;两种镜质组中的脂肪氢相对含量都随温度升高而降低,温度高于500 ℃时,SX镜质组中脂肪氢相对含量基本不变,当温度高于700 ℃时,NXL镜质组中的脂肪氢相对含量基本保持不变;热解过程芳香氢都表现出先增大后减小的趋势。用XPS研究了镜质组中的有机硫含量及形态随温度的变化,结果表明,SX镜质组中易分解的有机硫化物较多,在300 ℃以下即可分解完全;NXL镜质组中的有机硫化物分解完全在700 ℃左右,两种镜质组中的噻吩类硫的含量都随热解温度的升高而增加,砜类硫的含量随热解温度的升高而降低。     

肝糖选择剂-毛细管电泳手性拆分盐酸度洛西汀对映体及分离机制

以肝糖为毛细管电泳手性选择剂,对盐酸度洛西汀对映体的分离进行研究,建立了拆分方法.考察了手性选择剂浓度、运行缓冲液的离子强度、pH值及分离电压对手性分离的影响.在3.0% (m/V)肝糖、50 mmol/L Tris-H3PO4(pH 3.0)的运行缓冲液中,分离电压25 kV时,盐酸度洛西汀两对映体分离度达1.84.对分离机制进行了初步探讨.     

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线，并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释，比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比，简单明了，实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案，改进了晶体质量。     

Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mn掺杂GaN(Ga1-xMnN)晶体的电子结构及光学性质,详细讨论掺杂后电子结构的变化.计算表明,Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N 2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,Ga1-xMnxN表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料.另结合实验结果分析掺杂后体系的光学性质,发现吸收谱在1.3 eV处出现吸收峰,吸收系数随Mn2+浓度增加而增大.分析表明,该峰是源于Mn2+离子e态与t2态间的带内跃迁.     

高纯锗探测器的广泛应用和自主研制进展

以目前国际上极为活跃开展的暗物质探测、无中微子双 衰变研究为例,评述了高纯锗探测器的重要性及其广泛的应用前景。介绍了己开展的高纯锗单晶、探测器制备的关键技术研究进展:合作单位已研制出了用于高纯锗单晶材料制备的区熔炉、单晶炉;并制备出直径为20  50 cm、纯度为12N(< 41011  atoms/cm3)、位错< 5000 atoms/cm2 的锗单晶;掌握了高纯锗探测器(平面型、同轴型)制备的关键技术,用进口高纯锗单晶材料制备出的同轴型高纯锗探测器对射线的能量分辨率及探测效率均达到进口产品指标,使用自制的12N 高纯锗单晶材料己制备出平面型高纯锗探测器。呼吁加速高纯锗研制的自主创新步伐,尽早实现其国产化目标。The article reviews importance and wide applications of HPGe detector, especially the application on the dark matter search experiment and double beta decay experiment. The research progress on the Highpurity germanium single crystal and HPGe detector in China has been introduced. The cooperation partner developed new type zone-refining furnace and single crystal furnace. The ultra-purity germanium single crystal with 20~50 cm, purity up to 12N(net impurity concentration is less than 41011 atoms/cm3), and dislocation less than 5 000 /cm3 was prepared. The key technologies for preparing planar and coaxial HPGe detector were mastered. The coaxial detector, which has been made of imported ultra-purity germanium single crystal has excellent energy resolution and efficiency as the imported commercial detector. The planar detector using selfmade germanium single crystal was also successfully manufactured. The research group appeals for speeding up the pace of independent innovation on the high-purity germanium, and achieving the high-purity germanium localization as soon as possible.     

麻黄碱印迹聚合物合成条件对其形态及结合特性的影响

 印迹聚合物合成条件对聚合物性能的影响是分子印迹技术中的一项重要研究内容。以左旋麻黄碱为印迹分子,甲基丙烯酸为功能单体,使用不同的交联剂和致孔剂合成了印迹聚合物,并对所得到的印迹聚合物的比表面积、孔结构和结合特性进行了评价。研究结果说明合成的印迹聚合物对印迹分子具有很好的亲和能力及选择性。致孔剂可以影响聚合物比表面积的大小及单体组成。氯仿是甲基丙烯酸-乙二醇二甲基丙烯酸酯和甲基丙烯酸-季戊四醇三丙烯酸酯聚合链的良溶剂,导致了比表面积及孔容较小的聚合物结构；而以乙腈为致孔剂得到的聚合物有较大的比表面积。共聚物中羧基含量的测定结果也说明,在预聚溶液中单体浓度相同的条件下,以不同的致孔剂进行合成得到的聚合物中甲基丙烯酸的比例不同。聚合物的比表面积及单体浓度的差别都可能导致聚合物的结合容量不同。     

负载于多壁碳纳米管上卟啉锡的可见光催化活性

采用超声-回流方法制备了反式-二羟基-5,10,15,20-四苯基卟啉锡髧(SnP)和多壁碳纳米管(MWNTs)复合物光催化剂(SnP/MWNTs),用红外光谱、紫外-可见吸收光谱、X射线光电子能谱等方法对其进行了表征。研究了SnP/MWNTs在可见光照射下对罗丹明B催化降解的性能,并结合电化学阻抗谱和伏安特性等测试对其可见光催化降解机理进行了讨论。结果表明,SnP优异的可见光吸收能力结合MWNTs强的电子转移能力,有效地促进了光生电子的转移,使SnP/MWNTs显示出优异的可见光催化活性,可见光照射5h后,对罗丹明B的降解效率达92%。     

GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性

本文用分数维方法研究Al_xGa_1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性, 提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法, 解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难, 得到了Al_xGa_1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能. 关键词： 分数维方法 极化子 GaAs薄膜