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1.
以过硫酸钾(KPS)为引发剂,采用双丙酮丙烯酰胺(DAA)对海藻酸钠(SA)进行改性,制备了海藻酸钠-聚双丙酮丙烯酰胺两亲性共聚物(SA-PDAA).将SA-PDAA与聚乙烯醇(PVA)复配,并进行静电纺丝,制得SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维.通过红外光谱、差示扫描量热和荧光光谱表征了SA-PDAA的结构和性能,通过黏度仪、表面张力仪和电导率仪测试了SA-PDAA纺丝液的物理性能,用扫描电子显微镜表征了SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维的形貌,考察了SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维的释药性能.结果表明,DAA接枝到SA分子链上,SA-PDAA的临界聚集浓度为0.072 g/L,SA-PDAA具有良好的两亲性,SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维具有均一的形貌.改性后的SA可以有效地减缓药物释放速度,提高SA-PDAA/PVA电纺纳米纤维的缓释性能. 相似文献
2.
Three different low-temperature plasma-based methods for hydrophilicity improvement of polyethylene films at atmospheric pressure 下载免费PDF全文
Three different low-temperature plasma-based methods were used to improve the surface hydrophilicity of polyethy- lene (PE) films, and all the modification processes were carried out by employing an atmospheric pressure plasma jet (APPJ) system. (a) PE films were directly modified by APPJ using a gas mixture of He and 02. (b) Acrylic acid (AA) was introduced into the system and a polymer acrylic acid (PAA) coating was deposited onto the PE films. (c) AA was grafted onto the PE surface activated by plasma pre-treatment. It was found that the hydrophilicity of the PE films was significantly improved for all the three methods. However, the samples modified by Process (a) showed hydrophobicity recovery after a storage time of 20 days while no significant change was found in samples modified by Process (b) and Process (c). The Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) results indicated that the most intensive C=O peak was detected on the PE surface modified by Process (c). According to the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, the ratios of oxygen-containing polar groups for samples modified by Process (b) and Process (c) were higher than that modified by Process (a). 相似文献
3.
数学均匀化方法是计算周期复合材料结构的有效方法之一,单胞边界条件施加的合理性直接决定了影响函数控制方程的计算效率和精度,进而影响均匀化弹性参数和摄动位移的计算精度.本文首先将单胞影响函数作为虚拟位移处理,给出了单胞在结构中真实的边界条件,结果表明,四边固支适合作为二维结构单胞边界条件;其次,针对二维结构提出了超单胞周期边界条件,有效提高了影响函数的计算精度,并使用与虚拟位移相对应的虚拟势能泛函验证超单胞周期边界条件的有效性;最后,利用数值分析验证多尺度渐进展开方法的计算精度,强调了二阶摄动的必要性. 相似文献
4.
5.
针对分布式光纤温度传感系统(Distributed Optical Fiber Temperature Sensing System,DTS)在线测温精度不高的问题,提出了使用光纤布拉格光栅(Fiber Bragg Grating,FBG)解调仪对DTS进行温度补偿。对不带温度补偿的DTS进行了温度测量和数据分析,证明了进行温度补偿的必要性。设计了带温度补偿的DTS并进行了温度测试。实验结果表明,在使用FBG解调仪对DTS进行温度补偿后,DTS的温度精确度可以达到0.3℃。 相似文献
6.
Identification and elimination of inductively coupled plasma-induced defects in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 下载免费PDF全文
By using temperature-dependent Hall,variable-frequency capacitance-voltage and cathodoluminescence (CL) measurements,the identification of inductively coupled plasma (ICP)-induced defect states around the Al x Ga 1-x N/GaN heterointerface and their elimination by subsequent annealing in Al x Ga 1-x N/GaN heterostructures are systematically investigated.The energy levels of interface states with activation energies in a range from 0.211 to 0.253 eV below the conduction band of GaN are observed.The interface state density after the ICP-etching process is as high as 2.75×10 12 cm 2 ·eV 1.The ICP-induced interface states could be reduced by two orders of magnitude by subsequent annealing in N 2 ambient.The CL studies indicate that the ICP-induced defects should be Ga-vacancy related. 相似文献
7.
采用中频感应熔炼法制备了Sm( Co0.79 Fe0.09 Cuo.085 Zr0.032) 7.95合金,采用传统烧结工艺,在1200 ~1240℃烧结1h,1165 ~1190℃固溶处理3h,快速风冷淬火后在840 ℃保温12h,以0.4 ·min-1的冷速冷却至420℃,保温10h,最后随炉冷却.磁体经过加工后,采用不同的磁性测试手段对磁体进行测试.结果表明,磁体的剩磁随烧结温度的升高而增大,矫顽力最好的工艺为1230℃烧结1h,然后在1180℃固溶3h.将此工艺制备的磁体采用中国计量科学院NIM-500C超高温永磁测量仪测试,磁体在773 K时的最大磁能积为10.94 MGOe,高于已经报道的同Z值的2∶17型永磁体.磁体的磁滞回线通过振动样品磁强计( VSM)测得,室温下Br=10.5 kGs,Hcj=30.21 kOe,(BH)max=25.60MGOe; 773 K时磁体Br=7.45 kGs,Hcj=6.02 kOe,(BH) max=9.85 MGOe.剩磁温度系数α=-0.0624%·℃-1,矫顽力温度系数β=-0.169%·℃-1. 相似文献
8.
采用中频感应熔炼法制备了Sm(Co0.79Fe0.09Cu0.085Zr0.032)7.95合金,采用传统烧结工艺,在1200~1240℃烧结1 h,1165~1190℃固溶处理3 h,快速风冷淬火后在840℃保温12 h,以0.4℃.min-1的冷速冷却至420℃,保温10 h,最后随炉冷却。磁体经过加工后,采用不同的磁性测试手段对磁体进行测试。结果表明,磁体的剩磁随烧结温度的升高而增大,矫顽力最好的工艺为1230℃烧结1 h,然后在1180℃固溶3 h。将此工艺制备的磁体采用中国计量科学院NIM-500C超高温永磁测量仪测试,磁体在773 K时的最大磁能积为10.94 MGOe,高于已经报道的同Z值的2∶17型永磁体。磁体的磁滞回线通过振动样品磁强计(VSM)测得,室温下Br=10.5 kGs,Hcj=30.21 kOe,(BH)max=25.60MGOe;773 K时磁体Br=7.45 kGs,Hcj=6.02 kOe,(BH)max=9.85 MGOe。剩磁温度系数α=-0.0624%.℃-1,矫顽力温度系数β=-0.169%.℃-1。 相似文献
9.
以钌(Ⅱ)多吡啶配合物[Ru(bipy)2DAFND](Cl O4)2(Ru-DAFND,bipy=2,2'-联吡啶,DAFND=4,5-二氮杂芴-9-对硝基苯腙)为指示剂,采用锁相放大技术构建了基于荧光猝灭原理的光纤DNA传感器,研究了传感器的性能。以p H 7.1的Tris缓冲溶液为介质,在2.6×10-8~5.4×10-6mol/L范围,ct DNA浓度与传感器光学敏感膜的相对滞后相移(Δφ)有较好的线性关系,检出限为8.4×10-9mol/L,响应时间为70 s。通过研究溶液p H值和干扰物对传感器性能的影响,表明该传感系统具有较好的重复性和稳定性。 相似文献
10.