泡沫镍铁合金自支撑NiFeOOH纳米片的制备及析氧性能研究

电催化析氧反应(OER)是电解水制氢的重要半电池反应。然而,OER的缓慢动力学仍需研究高效的电催化剂。在非贵金属催化剂中,NiFe基材料是OER催化剂研究热点。本文通过食人鱼溶液简单一步浸渍刻蚀法将不同Fe含量的泡沫NiFe合金进行氧化,制备了表面具有纳米片形貌的NiFeOOH自支撑电催化剂,并深入研究其电催化析氧性能。通过SEM、XRD、XPS等对电催化剂的形貌结构及成分进行表征,证实了三维多孔基底上NiFeOOH纳米片结构的形成。由于高价镍、铁物种的存在以及二维纳米片结构的生成,NiFeOOH/NF的析氧性能大幅度提高,在10 mA?cm-2的电流密度下过电位仅155.68 mV,Tafel斜率为 88.2 mV?dec-1。这为研制高效、耐用的自支撑非贵金属电极提供了新思路。     

脊椎状NiCo2O4纳米棒的制备及其析氧和氧还原性能研究

以水热法并进一步焙烧合成脊椎状NiCo₂O₄纳米棒，通过透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱仪（XPS）和热重分析仪（TG）等来表征其结构形态及热稳定性.采用线性扫描法（LSV）、循环伏安（CV）研究所制备催化剂的在玻碳和旋转圆盘电极上的电催化活性：在0.1 mol·L^-1 KOH溶液中的电催化析氧反应（OER）和电催化氧还原反应（ORR）.研究结果表明，所制备的脊椎状NiCo₂O₄纳米棒有大量的不饱和态，200℃焙烧制备的脊椎状NiCo₂O₄纳米棒析氧过电位最小可达309 mV，Tafel斜率145.6 mV/dec，其氧还原极限电流密度在1600 rmp可达到5.095 mA·cm^-2，电子转移数在3.2~3.8之间，接近四电子转移机理，其优良电化学性能可能是由于暴露了更多的边缘缺陷的缘故.     

反应物分散条件对Li1+xV3O8电化学性能的影响

以Li₂CO₃和NH₄VO₃为原料,在不同条件下合成了锂离子电池正极材料用Li_1+xV₃O₈。研究了反应物的分散条件和煅烧温度对产物晶型结构、形貌及电化学性能的影响。 XRD、IR和SEM结果表明,用超声波在无水乙醇中分散反应物得到的前驱体于550 ℃下煅烧,所得产物Li_1+xV₃O₈结晶度低、粒径小、形貌均匀。 充放电、循环伏安等结果表明,该材料在充放电过程中极化低、嵌脱锂位置多、循环稳定性好。 在0.5 C放电条件下,第2次循环放电容量达到268 mA·h/g,100次循环后容量仍保持210 mA·h/g以上。     

四端双量子点系统中的自旋和电荷能斯特效应

基于非平衡态格林函数方法,理论研究了与四个电极耦合的双量子点系统中的自旋和电荷能斯特效应,考虑了不同电极的磁动量结构和量子点内以及量子点间电子的库仑相互作用对热电效应的影响.结果表明铁磁端口中的磁化方向能够有效地调节能斯特效应:当电极1和电极3中的磁化方向反平行排列时,通过施加横向的温度梯度,系统中将会出现纯的自旋能斯特效应;当电极4从普通金属端口转变为铁磁金属端口时,将同时观测到电荷和自旋能斯特效应.研究发现,能斯特效应对于铁磁电极极化强度的依赖程度较弱,但对库仑排斥作用十分敏感.在量子点内和点间库仑排斥作用的影响下,自旋及电荷能斯特系数有望提高两个数量级.     

新显色剂1-(6-羟基-2-嘌呤基)-3-[4-(苯基偶氮)苯基]-三氮烯的合成及与镉的显色反应

合成了新显色剂1 (6 羟基 2 嘌呤基) 3 [4 (苯基偶氮)苯基] 三氮烯(简称HPAPT),研究了它的性质及其与镉显色反应的条件。实验表明,试剂的分子式为C17H13N9,相对分子质量为359,熔点127～129℃,各级酸离解常数为pKa1=4.1,pKa2=7.2,pKa3=10 7。在pH9.0～11.0的Na2B4O7 NaOH缓冲介质中,试剂与镉形成2∶1的红色络合物,表观摩尔吸光系数为2 25×105L·mol-1·cm-1,镉质量浓度在0～0.6mg/L范围内符合比耳定律,在联合掩蔽剂的作用下,可不经分离直接测定环境水样和工业废水中微量镉。     

邻二氮菲分光光度法测定黄芪中铁的溶出率

邻二氮菲分光光度法测定黄芪中铁的溶出率,研究了不同溶剂对铁的溶出率的影响.检测波长510nm,在0.1-6ug·mL1-1的范围内符合比耳定律,相关系数r=0.9995,检出限为13.7ug·L-1,方法回收率为96.1%-102.3%.精密度为0.38%-2.31%.测定结果表明,分别以水、不同浓度乙醇、不同浓度盐酸作溶剂,灰化后再用水提取铁的溶出率最高,达到44.O%,直接用酸、水、乙醇作溶剂,溶出率依次降低.本法简便、易行,且重现性好.     

磁电垒结构中自旋极化输运性质的研究

研究了电子隧穿几类磁电垒结构的自旋极化输运性质，导出统一的传输概率公式，揭示了非 均匀磁场的分布与自旋过滤的关系，同时表明采用有效朗德因子较大的半导体材料可以显著 增强磁电垒结构的自旋过滤效果. 关键词： 磁电垒 自旋过滤 自旋电子学 自旋极化     

磁量子结构中二维自旋电子的隧穿输运

研究了零偏压和偏置电压作用下磁量子结构中自旋电子的隧穿输运性质. 结果表明电子自旋 输运的性质不仅取决于磁量子结构的构型、入射电子的能量和波矢, 而且取决于偏置电压. 在零偏压下, 由等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构不具有自旋过滤的特点, 而由不等同的磁 垒磁阱构成的磁量子结构却具有较好的自旋过滤特点. 偏置电压极大地改变了磁量子结构中 电子的极化程度, 使得电子隧穿等同的磁垒磁阱构成的磁量子结构的输运性质也显著地依赖 于电子的自旋指向. 关键词： 磁量子结构 自旋电子 隧穿输运 自旋极化     

超大规模集成电路硅片溶液清洗技术的进展

本文综述了超大规模集成电路制造过程中硅片溶液清洗技术的研究历史及现状, 并对技术的未来发展进行了展望。