基于CVD自组装生长氧化锌半导体纳米结构的光电导紫外探测器研究

报道了一种基于自组装生长ZnO纳米结构的光电导型紫外探测器。首先,在石英衬底上制备银叉指电极,然后溅射ZnO纳米薄膜形成一种共面光电导型金属-半导体-金属(MSM)结构,再利用低压CVD生长方法进行ZnO纳米线的原位生长,从而在器件顶部形成了ZnO纳米线垂直阵列和其上交错排列ZnO纳米线所构成的双层ZnO纳米线结构。这种器件底部的ZnO薄膜既是MSM光电导器件的电荷传输层,也同时作为上层ZnO纳米结构自组装生长的籽晶层,顶部的ZnO纳米结构层作为紫外光敏感层,测试结果表明该器件具有光响应速度快、光响应电流大和良好的紫外响应可分辨特性。研究表明,相比于单根ZnO纳米线光电导紫外器件而言,基于ZnO纳米结构膜层的光电导紫外探测器能够大幅度提高可测光响应电流。     

无机纳米粒子/丁苯胶乳复合技术的研究

研究了无机纳米粒子／丁苯胶乳的复合材料，用脂肪酸对纳米粒子进行了表面改性，使之均匀分散在丁苯胶乳中，用红外、吸油性，润湿试验等方法对改性纳米微粒进行了表征，纸张涂布和老化试验证明，纳米碳酸钙和纳米氧化锌具有优良的隔热效果，纳米氧化锌还有很好的防紫外老化功能，对以纳米TiO2为核，包覆苯丙共聚物的乳液矣合也作了初步研究。     

弹丸侵彻混凝土加速度信号测试及分析

针对弹丸侵彻混凝土加速度信息获取及实测信号失效问题,采用弹载存储测试系统进行了实验,并基于LS-DYNA进行了高速碰撞过程的数值模拟,经处理后的数据曲线与实测侵深符合较好,数值模拟计算结果与实验结果较吻合。通过实验分析与理论推导相结合的方式对应力波、测试装置的基础运动和安装结构刚度、加速度计安装方式等部分影响因素进行了实测加速度信号的影响分析,分析结果对高g值冲击测试问题具有一定的参考价值。     

基于双壁碳纳米管低阈值1895nm锁模激光器

结合特殊设计的低阈值五镜折叠腔,利用垂直生长法自制的双壁碳纳米管,并将其作为可饱和吸收体在Tm,Ho…LLF激光器中实现了连续锁模运转。在连续激光运转下,吸收抽运阈值低至59 mW,光-光转化效率为30.09%。在腔内插入饱和吸收体后,吸收抽运阈值提高至107mW。当吸收抽运功率大于1562mW时,激光运转进入稳定的连续锁模状态,对应锁模脉冲的重复频率为100 MHz,脉冲宽度约为515ps;当吸收抽运功率达到2 W时,最高输出功率为234mW,中心波长为1895nm,对应最大单脉冲能量为2.34nJ。     

基于单壁碳纳米管调Q锁模低阈值Tm,Ho:LiLuF_4激光器

采用垂直生长法制作的单壁碳纳米管作为可饱和吸收体,结合特殊的低阈值谐振腔设计,首次在Tm,Ho:LiLuF_4全固态激光器中实现了低阈值自启动被动调Q锁模运转.以波长可调的掺钛蓝宝石固体激光器作为抽运源,选用1.5%,3%和5%的输出耦合镜,获得了出光阈值低至52,59和62mW的连续光输出.采用3%输出耦合镜,获得了阈值低至250mW的稳定调Q锁模脉冲输出,调Q包络的脉宽为2μs,调Q包络下锁模脉冲重复频率178.6MHz,最大输出功率154mW,最大的单脉冲能量为0.86nJ,调制深度接近100%.     

具有AIE效应的Eu(Ⅲ)-聚(N-乙烯基吡咯烷酮)配位聚合物Pdots的制备及双色肿瘤细胞成像

本研究通过原位引发聚合方法，以合成的4，4'-偶氮（4-氰基戊酸酯基）四苯乙烯（TPE-tetraAZO）为引发剂，引发乙烯基吡咯烷酮单体聚合，并通过侧链含孤对电子的N、O元素与稀土Eu（III）配位，成功制备四臂星型聚合物TPE-tetraPVP-Eu（III），该双亲性聚合物可自组装成尺寸约为20 nm的非半导体型聚合物量子点（Pdots）.光学性能研究表明：该Pdots在360 nm和395 nm激发下分别发射蓝色（435 nm）和红色（615 nm）荧光，其中，Pdots的蓝色荧光具有典型的AIE特性，并对环境温度和pH具有明显双重响应特性，最低临界温度为37℃，接近人体温度.此外，Pdots表现出低细胞毒性，可通过调节激发波长，实现对HeLa、HepG2及A549三种肿瘤细胞的可逆双色荧光成像，展现出优异的成像效果，有望作为一种活细胞多色荧光示踪探针材料.     

左旋薄荷醇的合成现状及进展

阐述了左旋薄荷醇的理化性质及其应用现状和全球生产状况. 介绍了薄荷醇的合成思路、已经工业化的合成路线和一些有较高工业应用价值的路线, 并介绍了关于这些路线的最新研究进展. 最后对所介绍的路线进行了总结, 展望了其发展前景.     

ZnO半导体电导型X射线探测器件研究

本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性.薄膜器件在100 V偏置时的响应度达到0.12μC/Gy,纳米线阵列器件在50 V偏压下的响应度达到0.17μC/Gy.器件工作机理研究表明,器件的响应过程与表面氧吸附与解吸附效应有关,氧气吸附与解吸附过程使得X射线辐照下的载流子寿命大幅度增加,从而使得器件对X射线具有较高的响应度.本文研究结果表明ZnO薄膜和纳米线阵列器件在X射线剂量测量领域具有应用前景.     

Ge/Si heterojunction L-shape tunnel field-effect transistors with hetero-gate-dielectric

A Ge/Si heterojunction L-shaped tunnel field-effect transistor combined with hetero-gate-dielectric(GHL-TFET) is proposed and investigated by TCAD simulation. Current–voltage characteristics, energy-band diagrams, and the distribution of the band-to-band tunneling(BTBT) generation rate of GHL-TFET are analyzed. In addition, the effect of the vertical channel width on the ON-current is studied and the thickness of the gate dielectric is optimized for better suppression of ambipolar current. Moreover, analog/RF figure-of-merits of GHL-TFET are also investigated in terms of the cut-off frequency and gain bandwidth production. Simulation results indicate that the ON-current of GHL-TFET is increased by about three orders of magnitude compared with that of the conventional L-shaped TFET. Besides, the introduction of the hetero-gate-dielectric not only suppresses the ambipolar current effectively but also improves the analog/RF performance drastically. It is demonstrated that the maximum cut-off frequency of GHL-TFET is about 160 GHz, which is 20 times higher than that of the conventional L-shaped TFET.     

基于微波透射法的金属薄膜方块电阻测量理论及其应用

依据矩形波导基模的场分布表达式和电磁边界条件,解析推导了插入金属薄膜后的矩形波导透射系数,建立了考虑介质衬底影响的金属纳米薄膜微波透射系数仿真计算方法及其方块电阻的微波测量方法.运用全波电磁仿真方法对金属纳米薄膜方块电阻的微波测量装置进行了仿真验证,结果表明透射系数幅度与方块电阻的对数之间呈线性关系.采用磁控溅射工艺分别在高阻硅和玻璃两种介质衬底表面制备了不同方块电阻值的银薄膜,并测量其微波透射系数.实测结果表明,提出的方法适用于方块电阻阻值为0.05—0.5?/square的金属薄膜.研究结果对于微纳制造领域的导电薄膜方块电阻表征具有参考价值.