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1.
目前,c面氮化镓(GaN)基发光二极管的制备技术已经十分成熟并取得了商业化成功,但仍面临极化电场导致的大电流密度下效率下降(Droop效应)和黄绿光波段效率低的问题.为消除极化电场的影响,人们开始关注半极性和非极性面GaN.其中,基于传统极性面衬底通过三维结构生长来获得半极性和非极性GaN的方法,由于其低成本和生长的灵活性,受到了广泛研究.本文首先总结了三种GaN三维结构的制备方法并分析其生长机理.接着,在此基础上介绍了不同晶面InGaN量子阱的外延生长和发光特性.最后,列举了GaN基三维结构在半极性面LED、颜色可调LED和无荧光粉白光发光二极管方面的应用. 相似文献
2.
3.
运用多重态计算方法研究了在正八面体对称性的晶体场中Co2+离子的2p电子X射线L2,3吸收边光谱, 研究了Co2+离子和周围的配位离子之间的正八面体(Oh)晶体场效应和相应的电荷转移效应对于吸收光谱的影响. 系统讨论了在多重态计算中起作用的所有物理参数对CoO和CoCl2的X射线吸收光谱特性的特定影响及其物理机制. 将计算得出的光谱数据和同样具有Oh对称性结构Co2+离子的CoO和CoCl2实验光谱数据进行了对比, 在实验光谱数据中发现的特征被确定为来自不同自旋态, 并且光谱强度的变化与晶体场的强度相关, 揭示了其中包含的电荷转移效应. 本文为低对称性复杂系统的多重态计算提供了一个基础的参考标准, 可以适用于含有钴元素或其它过渡金属的复杂体系的X射线吸收光谱的理论计算. 相似文献
4.
The origin of the Rayleigh scattering ring effect has been experimentally examined on a quantum dot/metal film system, in which CdTe quantum dots embedded in PVP are spin-coated on a thin Au film. On the basis of the angle-dependent, optical measurements under different excitation schemes (i.e., wavelength and polarization), we demonstrate that sur-face plasmon assisted directional radiation is responsible for such an effect. Moreover, an interesting phase-shift behavior is addressed. 相似文献
5.
本文建立了气相色谱-微池电子捕获检测法(GC-μECD),同时测定生活饮用水中百菌清、七氯、滴滴涕、六六六、林丹、六氯丁二烯、溴氰菊酯、1,1-二-氯苯、1,2-二氯苯、三氯苯、六氯苯11种有机氯,马拉硫磷、对硫磷、甲基对硫磷、毒死蜱、乐果、敌敌畏6种有机磷,以及硝基苯、2,4,6-三硝基甲苯、1,3-二硝基苯、邻,间,对硝基氯苯、2,4-二硝基氯苯,2,4-二硝基甲苯6种硝基苯类有机物的分析方法.样品经萃取后,采用OV-1701色谱柱(30 m×0.25 mm×0.25μtm)程序升温进行分离,用微池电子捕获检测器(μECD)进行检测,通过保留时间定性,外标法定量.结果表明该方法分离效果好,灵敏度高,选择性强,简便、快速、准确,能够满足同时测定生活饮用水中上述23种有机化合物的需要. 相似文献
6.
7.
Effects of SiN_x on two-dimensional electron gas and current collapse of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 下载免费PDF全文
SiNx is commonly used as a passivation material for AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). In this paper, the effects of SiN x passivation film on both two-dimensional electron gas characteristics and current collapse of AlGaN/GaN HEMTs are investigated. The SiNx films are deposited by high- and low-frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition, and they display different strains on the AlGaN/GaN heterostructure, which can explain the experiment results. 相似文献
8.
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大. 经实际制作尺寸为12 mil×10 mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题.
关键词:
粗化
氮化镓
p型氮化镓
发光二极管 相似文献
9.
Effects of SiNx on two-dimensional electron gas and current collapse of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 下载免费PDF全文
SiN_x is commonly used as a passivation material for
AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). In this paper,
the effects of SiN_x passivation film on both two-dimensional
electron gas characteristics and current collapse of AlGaN/GaN HEMTs
are investigated. The SiN_x films are deposited by high- and
low-frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition, and they
display different strains on the AlGaN/GaN heterostructure, which
can explain the experiment results. 相似文献
10.