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对薄层单元的基本假设和简化进行了探讨并得到如下结论：薄层单元的本构方程可 通过横观各向同性体本构方程采用合理简化得到；薄层单元受拉开裂的本构关系可 采用分布裂缝模型模拟开裂简化得到；薄层单元采用的基本假 设能在一定程度上保证计算精度及简化计算.     

一种桁架结构智能生成与分析系统

建立了桁架结构的智能生成与分析系统，可以自动完成桁架结构的布局选型、 拓扑生成以及分析计算等系列过程. 主要通过结点布置和有选择的杆件连接实现结构的布局 选型，采用拓扑变化法完成结构的自动生成，并利用基内力阵进行结构的分析计算. 经算例 分析表明，该系统性能良好，使用方便，具有智能、自适应的特点，是辅助完成结构拓扑和 布局优化设计的有力工具之一.     

聚丙烯腈的研究——丙烯腈在水溶液中的有机氧化还原引发聚合

本文研究了TBH与各种胺组成的引发系统对丙烯腈水溶液聚合的影响,发现胺的结构对聚合速度与转化率有极大的影响,其聚合速度顺序为:Et_3N、HEA>TEA>DMA,MEA>TEA·HCl。其中以 TBH-TEA体系效果最好,聚合速度快,转化率也高。此外,聚合反应中大致有着这样的规律,诱导期与聚合速度有较明显的平行关系,即诱导期短,聚合速度大,诱导期长,聚合速度小;而诱导期又与这些三极胺的碱性(pK_b)也有一定的平行关系,碱性强的(pK_b小)诱导期短,碱性弱的(pK_b大)诱导期长。 在所用的引发体系中,TBH-TEA及BPO-TEA体系,聚合速度与转化率随着TEA 浓度的增加而增加,但在 TBH-Et_3N、TBH-HEA 及 TBH-DMA 体系时,随着胶的浓度增加前二者聚合速度虽然增加但转化率反而下降,而后一体系则聚合速度与转化率都呈下降。     

弹性接触问题的常刚度迭代方法及其加速

通过引入接触间隙荷载，在荷载项中反映接触状态变化的影响，避免了重新形成接触刚度矩阵，构造了弹性接触问题的常刚度迭代格式。然后借助于不动点迭代的Steffensen加速技术给出了一种求解弹性接触问题的常刚度迭代加速算法。文中最后给出两个算例表明了本文方法的有效性。     

整体响应与局部特征统一分析方法及其在拱坝设计中的应用

探讨结构局部特征与整体响应的统一分析方法及其在拱坝开裂分析中的应用．该方法用高次单元进行整体计算,通过低阶单元反映结构的局部特征,较好地解决了反映结构局部特征与避免扩大计算规模之间的矛盾．     

三维摩擦接触问题的增量线性互补方法

借助罚因子建立了三维摩擦接触本构模型,接触条件被表示为类似于非关联流动的弹塑性本构关系的形式。采用增量描述,对Coulomb摩擦定律采用Taylor展开作线性近似,导出了接触问题的互补虚功方程,然后基于有限元离散建立了三维摩擦接触问题的增量线性互补方法。数值算例表明了本文方法的有效性。     

结构力学中现代计算机方法教学的实践和探讨

本文通过回顾和介绍河海大学结构力学教研室在结构力学计算机方法的教学方面取得了的成果和进展，总结了教学经验，就结构力学计算机方法教学地教材、实习软件、教学和实习等方面的实践提出了一些见解。     

能量函数在高拱坝动力优化设计中的应用

针对高地震区高拱坝的抗震设计 ,从高拱坝的动力平衡方程出发 ,导出了基于拱坝体型特征量的状态控制方程 ,提出了拱坝结构抗震动力优化设计的数学模型 ,建立了动力最优化的能量目标函数。应用于小湾拱坝的抗震设计中 ,动力优化方案相对于初始方案 ,在应力指标和大坝体积上均得到改善 ,体现了较好的安全性与经济性 ,表明在动力优化设计中应用能量目标函数对提高拱坝抗震能力有效可行 ,具有综合的“多目标”特征     

介质阻挡放电等离子体沉积多孔硅纳米颗粒膜的光发射及红外光谱

用介质阻挡放电(DBD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节,在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜。沉积过程的发射光谱结果表明,在412 nm处出现S iH*(A2Δ→X2Π0-0)特征峰,证明放电沉积过程中存在不同程度的硅烷裂解。将脉冲负偏压固定在-300 V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜的红外光谱显示S i—O—S i在1 070cm-1伸缩振动吸收峰与800 cm-1的弯曲振动峰都有所增强,而930 cm-1的S i—H弯曲振动减弱。说明随着占空比的增加,S i—O—S i键的结合越来越明显。     

多孔氧化硅薄膜阴极射线谱的研究

采用近常压下等离子体增强化学气相沉积的方法制备得到多孔氧化硅薄膜,并在沉积区域加载偏压对薄膜形貌和性质进行调制。扫描电镜显示偏压条件下沉积的薄膜更加蓬松多孔,常温下阴极射线谱表明:增大偏压的占空比,CL谱中发光峰的位置并不改变,但谱线强度增大。发光峰的位置说明薄膜中的主要成分是Si-O-Si基团,且该种基团以非桥键的形式存在,薄膜中还存在少量的Si-H键,这与红外光谱测试结果一致。X射线衍射结果表明薄膜中的SiO2是非晶态的。