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1.
加速器中子活化实验是核专业本科实验教学中的重要实验之一.本文在利用14 MeV快中子辐照238U诱发裂变截面实验过程中引导学生挖掘实验数据,测量了裂变核素(89Rb)的重要核参数—半衰期.本工作运用低本底HPGe-γ谱仪测定裂变产物的一系列γ射线能谱,解谱得到89Rb的特征γ峰计数,从而确定89Rb的半衰期.数据分析中应用89Rb核素两条γ射线分别独立得到89 Rb的半衰期为15.30±0.09 min和15.25±0.07 min.测量结果在与文献数据符合较好的基础上,提高了测量精度. 相似文献
2.
报道了一种单脉冲输出时间精确可控的单纵模Nd:YAG激光器.该激光器谐振腔采用自滤波非稳腔结构得到TEM_(00)模,利用磷酸钛氧铷电光晶体作为相位调制器来扫描腔长,通过种子注入的扫描-保持-触发技术锁定腔模,得到稳定的单脉冲输出时间精确可控的单纵模输出.该1064 nm激光器输出脉冲能量为50 mJ,脉冲建立时间48 ns,单脉冲输出时间抖动小于1%.用波长计WS7测量脉冲的波长和线宽,测量结果显示,波长计干涉仪干涉条纹清晰光滑,是典型的多光束干涉波形,显示波长为1064.40416 nm,线宽0.5 pm (波长计的极限分辨率).同时以0.1 Hz的工作频率连续记录了1700发脉冲的波长,波长抖动小于0.1 pm (峰峰值). 相似文献
3.
采用Tb4O7作为扩散源对N50磁体进行晶界扩散处理,平行于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了8.83 kOe,达到22.74 kOe,垂直于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了8.86 kOe,达到22.77 kOe。通过对磁体的不同位置的Hcj进行分析,在距表层500~750μm处获得最大Hcj为26.77kOe。对磁体的Tb,Nd和O元素的分布进行分析,发现在表层有较高的O富集,进一步分析发现磁体中的O含量对磁体的微观结构,磁体性能和热稳定性产生了影响,得出控制磁体的O含量是取得晶界扩散良好效果的关键因素。 相似文献
4.
5.
以AZO陶瓷为基体,采用传统的固相烧结技术制备了ZrO2掺杂AZO防静电陶瓷,研究了不同烧结温度、ZrO2掺杂量对AZO陶瓷的表面电阻率、相对密度、维氏硬度的影响.通过XRD测定陶瓷的物相结构,SEM观察陶瓷的断面形貌,表面电阻测试仪测量陶瓷的表面电阻,维氏显微硬度仪测量陶瓷的维氏硬度,阿基米德排水法测量陶瓷密度等方法对ZrO2掺杂AZO陶瓷进行了分析表征.结果表明:当烧结温度为1450℃,ZrO2的掺杂量为1wt;时,其综合性能最佳.此时陶瓷表面电阻率为105Ω· cm,相对密度达97.61;,维氏硬度为357.5 HV0.3,已达到防静电陶瓷性能要求. 相似文献
6.
为了选择用于核聚变研究领域中在氢、氦气环境下的低温吸附泵所用的吸附剂,在初步筛选基础上,比对了4种椰基活性炭材料。采用扫描电镜对材料微观结构进行了扫描,用比表面积及孔径分析仪测定了等温吸附性能,最终获得了活性炭样本的比表面积、微孔比表面积份额、不同孔径所对应的孔容等性能数据;通过对实验结果的比对分析,为筛选适用于核聚变研究环境下低温吸附泵使用的吸附剂材料,提供了重要的实验数据。 相似文献
7.
采用“预制层硒化法”制备CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)薄膜. 基于自主设计的“双层管式硒化装置”, 通过控制硒蒸气浓度优化退火工艺, 研究硒蒸气浓度对薄膜光电性能的影响. 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析(XRD)等手段对不同硒浓度氛围下生成的CIGS薄膜的成分和物相进行表征, 并在AM1.5、1000 W·m-2的标准光照条件下比较相应CIGS电池器件的输出性能. 实验结果表明: 饱和硒蒸气下退火得到的样品, 基底钼膜遭到严重腐蚀破坏, 失去背电极功能; 在低浓度硒气氛下退火不能有效消除CIGS薄膜的偏析和缺陷, 以致光电转换效率低; 而在无硒惰性氛围下退火的样品, 生成了物相均一化的CIGS薄膜, 由此制备的CIGS电池取得了8.5%的转换效率. 相似文献
8.
9.
跨音轴流压气机转子叶尖喷气扩稳机理分析 总被引:3,自引:0,他引:3
对跨音压气机Rotor35进行了多通道全三维定常/非定常叶顶喷气数值模拟。数值计算所获得实壁机匣总性能与试验结果符合良好。计算表明使用3.6%转子堵塞流量的叶顶喷气量可以获得21.4%的扩稳效果。定常计算结果显示叶顶喷气重点影响0.9叶展以上区域,使得该区域进气攻角和扩散因子减小,从而降低叶顶载荷,减小了由激波和泄漏涡相互作用形成的通道堵塞。非定常计算结果显示,叶尖喷气的扩稳效果来自两方面:一是对某一叶片叶顶的卸载作用;二是对激波/泄漏涡干扰形成的低能区重新注入轴向动量。后者对通道流通的改善作用大于前者。非常高的喷射频率使得叶顶喷气能够抑制每个通道中低速区的进一步增长,从而实现了对压气机的扩稳。 相似文献
10.