BaCo_(0.02)~IICo_(0.04)~IIIBi_(0.94)O_3/BaSb_(0.04)Sn_(0.96)O_3复合热敏厚膜电学性能研究

采用丝网印刷工艺制备了BaCoII0.02CoIII0.04Bi0.94O3/BaSb0.04Sn0.96O3复合热敏厚膜。借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻温测试仪对复合热敏厚膜的微结构、电学性能进行了表征分析。结果表明复合热敏厚膜主相仍为钙钛矿结构的BaCoII0.02CoIII0.04Bi0.94O3和BaSb0.04Sn0.96O3,厚膜表面随BaCoII0.02CoIII0.04Bi0.94O3含量增加趋于致密均匀。复合热敏厚膜的烧结温度、室温电阻率(ρ25)、热敏常数(β25/85)和活化能(E a)随BaCoII0.02CoIII0.04Bi0.94O3含量的增加呈现下降趋势,其烧结温度、ρ25、β25/85和E a分别处于870~1000℃、2.5 kΩ·cm~2.35 MΩ·cm、2764~4030 K和0.238~0.348 eV范围内。     

反应诱导相分离法制备双马来酰亚胺树脂微球

从聚醚酰亚胺(PEI)/[双马来酰亚胺(BMI)单体+烯丙基双酚A(DBA)]共混体系出发,通过反应诱导相分离,制备了约3μm尺寸的、单分散的BMI树脂微球.用扫描电镜(SEM)观察BMI树脂微球的形态,用激光粒度仪(LPS)表征BMI树脂微球的粒度及其分布,差示扫描量热法(DSC)测试BMI树脂微球的Tg.研究结果表明:PEI和聚酯酰亚胺(PEsI)的主链结构对BMI树脂微球形态有很大影响;PEI-A的用量增加,BMI树脂微球粒径减小,且粒度分布呈不均匀-均匀-不均匀变化;BMI树脂微球的Tg为215~218℃,略低于纯BMI树脂的Tg(225℃).     

A位复合铁电陶瓷BNT-BKT-BiCoO3的介电特性

采用传统陶瓷制备工艺,制备了一种A位复合铁电陶瓷(1-x-y)BNT-xBKT-yBiCoO3,并研究了该体系陶瓷的介电性能与成分的关系以及介电性能随频率的变化规律.结果表明:所研究的组成极化后的介电常数低于极化前.极化前的介电常数和介电损耗随BiCoO3含量的增加而下降,极化前和极化后的介电常数和介电损耗都随BKT含量的增加而增加.介电常数随频率增加而降低,但降低趋势随频率增加而减慢.随BiCoO3含量的增加,在低频陶瓷介电损耗随频率的增加先降低后增加.     

BiMnO_3改性BNT-BKT压电陶瓷的研究

为了提高BNT基压电陶瓷的电性能,采用传统的陶瓷制备方法,制备了一种Bi基的钙钛矿型无铅压电陶瓷 (1-x)Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)TiO_3-xBiMnO_3 (简写为BNKT-BMx).研究了Bi基铁电体BiMnO_3对该体系陶瓷微观结构和压电介电性能的影响.结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体,微量BiMnO_3不改变该体系陶瓷的晶体结构,但促进晶粒生长.随着BiMnO_3含量增加,低温介电反常峰消失,高温介电峰出现频率分散性.随BiMnO_3含量增加,压电常数d_(33)和机电耦合系数k_p先增加后降低,在x=0.01时,k_p=0.333,x=0.015时,d_(33)=170 pC/N,为该体系陶瓷压电性能的最优值.     

多离子复合铁电体Bi(Zn1/2Ti1/2)O3改性BNT陶瓷的微结构与电性能

采用传统陶瓷制备方法,制备了一种B位多离子复合铁电体Bi(Zn1/2Ti1/2)O3改性BNT无铅压电陶瓷(1 -x)( Bi1/2 Nay2) TiO3-xBi( Zn1/2Ti1/2) O3(简写为(1-x)BNT- xBZT,x=O,0.01,0.02,0.03,0.04).研究了BZT对该体系陶瓷微结构和压电性能的影响.结果表明:在所研究的组成范围内,BZT不改变陶瓷的晶体结构,同时抑制晶粒长大.添加BZT明显改善陶瓷的压电常数d33,但机电耦合系数kp变化不明显.分析了影响压电常数d33与机电耦合系数kp的不同作用机理,发现陶瓷内部存在的内应力是引起压电常数d33变化的一个重要因素.     

具有多个极限环非线性动力系统的解析近似

应用一种新的解析方法------同伦分析法，研究了一种具有多个 极限环的Rayleigh振子问题. 与所有其他传统方法不同，该方法不依赖于小参数， 且提供了一个简便的途径以确保级数解的收敛, 因此，特别适用于强非线性问题. 将同伦分析法与平均法以及四阶的龙格库塔方法(数值解)做了比较. 结果 表明，平均法在强非线性情况失效, 四阶的龙格库塔法不能找到非稳定的极限环，而同伦分析法不仅适用于强非线性情 况，而且给出了非稳定的极限环.