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为了解决防离子反馈Al2O3膜污染对三代微光管GaAs光电阴极灵敏度的影响,用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板(MCP)和带Al2O3膜MCP在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明,带Al2O3膜MCP放出有对阴极光电发射有害的C、CO、CO2、NO、H2O2和CXHY化合物,它们来源于Al2O3膜制备过程的质量污染。经过对制膜工艺质量进行改进,制备出了放气量小于2×10-9 Pa且无CXHY化合物气体的Al2O3膜。 相似文献
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二代近贴微通道板(MCP)电子清刷技术 总被引:1,自引:1,他引:0
主要介绍二代近贴微光管MCP了清刷技术研究结果,结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论。 相似文献
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时间延迟积分型面阵CMOS图像传感器MTF速度失配模型研究 总被引:3,自引:2,他引:1
研究了时间延迟积分型面阵互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器调制传递函数(MTF)速度失配特性,在分析累加级数、像素尺寸、镜头放大倍数、行周期及电机运动速度失配等影响因素的基础上,建立了MTF速度失配模型。基于现场可编程门阵列(FPGA)开发板,搭建面阵CMOS图像传感器实现线阵时间延时积分(TDI)的CMOS测试系统。实验结果表明,在光强为3lx,速度失配M(ΔV/V)<2,8级时间延迟积分与面阵成像相比,MTF值提高50%;当累加级数为8级,速度失配满足M(ΔV/V)=2的速度失配容限时,奈奎斯特频率处的MTF值下降10%,当速度失配达到M(ΔV/V)=10时,MTF值下降35%。 相似文献
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二供近贴微光管光电阴极转移热铟封技术 总被引:3,自引:3,他引:0
本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术,它工艺可靠,技术先进,对提高微光管的总体指标,解决像质差,提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。 相似文献
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二代微通道板(MCP)放气成份质谱分析 总被引:3,自引:1,他引:2
模拟二代微光管制管工艺,对MCP经不同工艺处理后的放气成份进行分析,发现工艺质量本身是造成MCP污染的主要因素.经改进工艺,提高了制管成品率和管子性能. 相似文献
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三代微光像增强器GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对三代管GaAs阴极灵敏度下降问题,开展工艺过程质量研究,分析影响因素并经工艺改进解决阴极不稳定问题 相似文献
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提出了多次采样叠加下时间延迟积分(TDI)CMOS图像传感器沿扫描方向的调制传输函数(MTF)分析模型。基于行滚筒曝光读出原理,研究了一个行时间内采样次数、叠加次数、TDI级数和速度失配比对扫描MTF的影响机理。为验证扫描MTF模型,基于TDI-CMOS图像传感器将连续视场映射为离散图像的几何和能量传输关系分析,建立了成像仿真系统并利用刃边法计算MTF曲线。仿真结果表明,扫描MTF随着采样次数增加而增大;当采样次数固定,扫描MTF随着叠加次数增大而减小;扫描MTF随着速度失配比和TDI累加级数增大而减小。 相似文献
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主要介绍二代近贴微光管MCP电子清刷技术研究结果,结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论. 相似文献