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1.
以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时,器件的开启电压为3.6 V,发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明,Al/Cs2CO3为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg:Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明,以Cs2CO3修饰的Al电极功函数明显低于Mg:Ag和Al电极,具有更好的电子注入效果。因此,除去微腔效应外,Al/Cs2CO3为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs2CO3阴极的有效电子注入。 相似文献
2.
基于多元晶粒生长抑制效应,利用热压烧结方法制备了细晶高致密的Al2O3-TiC复相陶瓷。研究发现,仅利用第二相TiC的晶界钉扎效应,即使其含量高达30wt%,也不能有效地抑制Al2O3基体的晶粒生长。在TiC作为第二相的基础上,引入微量MgO和Y2O3,通过TiC晶界钉扎、MgO溶质滞阻和Y2O3晶界偏析等多元晶粒生长抑制作用,Al2O3基体晶粒尺寸从5.12μm显著减小到1.82μm,Al2O3-TiC复相陶瓷的断裂韧性从3.99±0.18 MPa·m1/2提高到5.24±0.22 MPa·m1/2。研究结果表明:利用多元晶粒生长抑制效应的协同作用,可显著细化Al2O3基复相陶瓷的显微结构,改善其力学性能。 相似文献
3.
4.
5.
用同时计入电场、对称破缺项te和电子-晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子.发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移,出现极化.极化程度随场强增加,也与te有关.并发现te≤0.1 eV时,双激子态表现出反向极化特性,这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解:对高分子的自陷束缚激子,其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态,用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化;双激子态即上 相似文献
6.
有机及高分子薄膜电致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
有机薄膜电致发光,因其具有低压直流驱动、高亮度、高效率、多色、能制成大面积等优点,有可能制产板显示,成为当前研究的特点,本文介绍了有机及高分子电致发光发展的历史、器件结构、发光原理和它的未来。 相似文献
7.
以BBOT为电子传输层的聚合物蓝色发光二极管 总被引:7,自引:0,他引:7
在前篇文章中[1]我们报导了以perylene掺杂的PVCz聚合物单层电致发光器件,得到蓝色发光,其亮度为59(cd/m2).在这篇文章中,我们以PVCz作为空穴传导层,BBOT为电子传导层制成了双层结构的发光二极管.亮度和效率都大大超过单层器件. 相似文献
8.
本文利用桥式平衡电路及Sawyer-Towre电路系统地测量了薄膜电致发光(TFEL)器件的损耗电流波形,发光亮度波形及电荷电压回线.在实验基础上建立了TFEL电子传输过程的物理模型和等效电路,由克希霍夫定律可建立激活层的瞬态电压及电流的微分方程,由此导出损耗电流波形,发光亮度波形及Q-V回线的数学表达式.利用计算机模拟将计算结果与实验进行比较,利用四个调节参数即得到与实验相当好的拟合. 相似文献
9.
两种蓝色有机电致发光材料 总被引:4,自引:1,他引:3
重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质,以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能,特别研究了它稳定性,在这度和效率方面,两种器件并没有很大差别,然而在稳定性方面却有很大差别,蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m^2初始亮度下,半亮度寿命可达1035h,而DPVBi的器件在同样条件下,半亮度寿命为255h。通过分析两种器件的能级图,认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同,JBEM优于DPVBi,是一种很有前途的蓝色发光材料。 相似文献
10.
水汽透过率(WVTR)是衡量有机电致发光器件(OLED)封装薄膜性能的重要参数之一。本文研究了基于钙电学法的WVTR测试方法,设计并研制了可满足OLED水汽透过率测试精度和功能要求的测试系统,测试精度达1×10-6g·m-2·d-1,量程为10 g·m-2·d-1,可同时完成20个样品的快速、精确测量。利用本系统对采用原子层沉积技术制备的不同厚度Al2O3封装薄膜的WVTR进行了测试研究,结果表明,Al2O3薄膜具有良好的水汽阻挡性能。 相似文献