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Zn1-xCdx O films are grown on c-sapphire substrates by laser molecular beam epitaxy(LMBE) at different temperatures. Their crystallographic structures, compositions, surface electronic structures are investigated. The a-axis lattice constant of Zn0.95Cd0.05 O is 3.20. Moreover, the epitaxial relationship shows a 30°-in-plane rotation of the film with respect to the c-sapphire substrate. When the substrate temperatures arrives at 500℃, the in situ reflection high-energy electron diffraction(RHEED) pattern of Zn Cd O film shows sharp streaky pattern. The maximum Cd content of Zn Cd O film grown at low substrate temperatures increases up to about 29.6 at.%, which is close to that of the ceramic target. In situ ultraviolet photoelectron spectroscopy(UPS) measurements demonstrate that Zn Cd O film exhibits intense peaks at 4.7 e V and 10.7 e V below the Fermi level, which are assigned to the O 2p and Zn 3p states. Energetic distance between Zn 3d and Cd 4d is 0.60 e V. Above 470 nm, the thin film shows excellent optical transmission. 相似文献
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采用反应离子束溅射和后退火处理技术在石英玻璃基底上制备了具有纳米粒子的二氧化钒(VO2)薄膜. 该薄膜具有半导体-金属相变特性,在3 μm处的开关率达到76.6%。 热致相变实验结果给出了准确的最佳退火温度为465 ℃. 仿真、热致相变和光致相变实验都显示VO2薄膜在红外波段具有很高的光学开关特性. 光电池防护实验结果显示VO2薄膜将硅光电池的抗干扰能力提升了2.6倍, 证明了VO2在激光防护中的适用性. 采用连续可调节系统研究得到VO2在室温条件下的相变阈值功率密度为4.35 W/cm2, 损伤阈值功率密度为404 W/cm2。 低相变阈值和高损伤阈值都进一步证明VO2薄膜适用于激光防护系统。本实验制备的VO2薄膜在光开关、光电存储器、智能窗等方面也具有广泛的应用价值. 相似文献
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KrF激光在SF_6气体中受激布里渊散射的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
用线宽0.5cm ̄(-1)、脉宽23ns的KrF激光(248nm)在低气压SF_6气体中进行受激布里渊散射(SBS)的实验研究。测量了SBS反射率随泵浦光能量、气体气压、透镜焦距等实验条件的变化关系,分析和讨论了气体气压、透镜瑞利范围对SBS阈值的影响。 相似文献
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本文提出一种错位量连续可调的圆一环双光楔作为错位干涉元件进行激斑照相。并引入“错位矢量”,对其加以分析,说明此法可改善边缘视场条纹质量。最后给出了良好的实验结果。 相似文献
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