聚合物发光二极管面光源的光热特性

运用传输矩阵法及MATLAB软件模拟计算了以MEH-PPV为发光材料的PLED面光源出光率,分析了发光层、PEDOT层、ITO层对器件出光率的影响.模拟分析了玻璃表面半球形、圆台形、圆锥形3种微形貌对器件出光率的影响.仿真结果表明,玻璃表面为圆锥形微散射层对提高器件出光率最有利,且出光均匀性最好.最后分析了PLED面光...     

绿色荧光蛋白质——2008年诺贝尔化学奖成果介绍

介绍了2008年诺贝尔化学奖得主下村修、马丁·查尔菲和钱永健3位科学家在绿色荧光蛋白质的发现和开发方面的卓越贡献,阐述了绿色荧光蛋白质的结构、性质以及应用等.     

DNA在纳米金标上的组装、杂交、检测与银增强

利用电化学方法进行DNA的杂交检测.将目标ss-DNA固定在玻碳电极表面, 使其与纳米金标记的互补DNA发生杂化反应, 通过银增强试剂（该种试剂可以使银在纳米金表面沉积, 达到信号增强的效果）在纳米金上沉积银, 形成银包金的核壳结构.在酸性介质中沉积的银被氧化释放, 以离子状态存在于溶液中.用阳极溶出伏安法(ASV)检测银离子从而达到间接检测目标DNA的目的.测定结果表明，ss-DNA的浓度在100～1 000 pmol•L－1 范围内有非常好的线性关系, 检测限为10 pmol•L－1.     

Fe3O4/葡聚糖/抗体磁性纳米生物探针的制备和层析检测

在免疫检测中 ,经常利用一些具有特殊物理化学性质的标记物对抗体 (或抗原 )进行偶联标记 ,在抗体与抗原识别后 ,通过对标记物的定性和定量检测而达到对抗原 (或抗体 )检测的目的 .传统的免疫标记物包括放射性同位素 [1] 、酶 [2 ] 、胶体金 [3] 和有机荧光染料分子 [4 ] 等 .近年来 ,随着纳米技术的发展 ,半导体荧光纳米晶 [5,6 ] 和磁性纳米晶 [7] 在免疫检测方面受到了广泛关注 .磁性纳米晶性能稳定 ,较易制备 ,可与多种分子复合使粒子表面功能化 ,并且由于磁纳米晶具有超顺磁性 ,为样品的分离、富集和提纯提供了很大方便 .这些优点使它…     

非标记液晶型免疫传感器检测赭曲霉素A

研制了一种基于液晶取向改变的非标记液晶型免疫传感器,并用于检测赭曲霉素A(0TA).采用戊二醛交联法将OTA同定在由自组装膜修饰的玻璃肇底表面.自组装膜能诱导液晶分子垂直排列,而连接OTA抗体后则扰乱了液晶分子取向的有序排列,导致液晶分子在化学敏感膜表面的取向发生变化,使光学信号的亮度及色彩发生变化,以此实现对OTA的...     

盐酸阿霉素在玻碳电极上的电化学行为研究及分析应用

采用线性扫描伏安法和循环伏安法研究了盐酸阿霉素在玻碳电极上的电化学行为及电极反应机理,优化了测定盐酸阿霉素的各实验参数。结果表明,在0.01 mol/L的HCl溶液中,盐酸阿霉素在-0.40 V处出现(vs.SCE)一灵敏的还原峰,峰电流与其溶液浓度在5.0×10-8~1.0×10-6mol/L(r=0.999)和1.0×10-6~1.0×10-5mol/L(r=0.998)范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0×10-8mol/L。并用循环伏安法研究了盐酸阿霉素的峰电流性质,发现电极反应属于准可逆过程,出现一对灵敏的氧化还原峰,体系属准可逆吸附波。利用盐酸阿霉素在玻碳电极的电化学行为建立的分析方法可用于盐酸阿霉素的质量监控及药代动力学研究。     

一类分配问题的新算法

本文考虑目标函数为凸函数的分配问题，给出了一个新的算法．该算法的计算复杂性是Ｏ（ｍｎ），这里ｍ是商品的总量，ｎ是顾客的人数．     

CdTe纳米晶与蛋白相互作用研究

当半导体纳米晶的直径小于其电子的玻尔直径时 ,半导体纳米晶对电子具有量子限域效应 ,其发光波长与纳米晶的尺寸相关 .与有机荧光分子相比 ,荧光半导体纳米晶具有以下优点 :(1 )其激发谱在吸收阈值以上几乎是连续的 ,利于多波长激发 ;(2 )高强荧光发射 ,谱峰窄 ,峰形对称 ;(3 )发射波长随着粒径的增大而有规律地红移 ,只需改变粒径即可获得多色发光 ;(4)纳米晶的发光稳定性好 ,不易被光分解和漂白 .因此 ,半导体纳米晶作为新一代荧光生物标记物已有研究[1～ 6] .荧光生物标记要求使用水溶性的纳米粒子 ,水相合成半导体纳米晶操作简便、重复…     

干洗手剂走进中学化学实验室

以山东科技版教科书《化学与生活》课题1"关于衣料的学问"中的干洗剂知识为结合点,介绍一个切合中学实际的干洗手剂配方和实验方案,同时提供相关背景知识。     

晶粒尺寸对La0.83Na0.17Mn0.90Fe0.10O3磁性和输运性质的影响

本文研究了纳米相和体相多晶样品La5/6Na1/6Mn0.90Fe0.10O3的结构、磁性和输运性质.XRD谱图表明两样品都是单相的钙钛矿结构.随着晶粒尺寸的减小晶粒表面处的自旋无序增多,使居里温度降低,同时使自旋相关电子在晶界处的散射增强,提高了材料电阻率.纳米粒子的尺寸效应提高了材料的低场磁电阻;晶粒表面自旋无序的增多使电子在晶粒表面的二阶隧道效应增强,提高了高场磁电阻效应.零场电阻率的拟合结果也表明晶粒尺寸的减小使自旋无序增加.