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1.
2.
为了系统地研究Br的引入对CuBr_xI_(1-x)薄膜发光强度和衰减时间的影响,通过气相沉积法在Si片上制备了CuBr_xI_(1-x)(0≤x≤1)闪烁薄膜,并测试了薄膜的发光性能和衰减曲线。结果表明,所制备的样品具有良好的CuBr_xI_(1-x)(0≤x≤1)固溶体结晶性;相对于长波段的深能级发射,CuBr_xI_(1-x)薄膜均表现出较强的光致和X射线激发近带边发射,且发射强度随Br含量的增加而大幅增加,有利于提高闪烁器件的探测效率;不过薄膜的发光衰减时间会随Br含量的增加而变慢(40~300 ps)。本研究工作对于通过选择合适组分的CuBr_xI_(1-x)闪烁材料以平衡探测效率和时间响应的测量需求具有重要意义。 相似文献
3.
基于改进的Hummers法制备氧化石墨(GO),并以长链烷基季铵盐(CnTAB)对其进行插层处理;通过改变CnTAB的链长、浓度,得到系列CnTAB/GO插层复合物。采用XRD和元素分析对产物的最大底面间距及CnTAB插入量进行表征。结果表明,随着CnTAB链长的增长、CnTAB浓度的增大,CnTAB/GO插层复合物的最大底面间距逐渐增大。CnTAB通过离子键作用和疏水键作用插入到GO层间,在GO片层上的吸附规律符合修正型(Modified)Langmuir模型,即CnTAB以单分子层吸附在GO片层上。根据CnTAB/GO插层复合物最大底面间距及CnTAB插入量的变化规律分析,得出CnTAB在GO层间的排布模式有单层平躺模式、类双层平躺模式、单层倾斜模式和单层直立模式。 相似文献
4.
论述了基于复杂网络的演化博弈.通过介绍相应的演化博弈模型-囚徒困境模型以及一些复杂网络,鉴于复杂网络的优点以及博弈演化的特性,将两者巧妙的结合起来,介绍了研究这类问题的一些方法. 相似文献
5.
从离散的角度研究带边界的1+1维经典标量场和Dirac场的正则量子化问题. 与以往不同的是, 这里将时间和空间两个变量同时进行变步长的离散, 应用变步长离散的变分原理, 得到离散形式的运动方程、边界条件和能量守恒的表达式. 然后, 根据Dirac理论, 将边界条件当作初级约束, 将边界条件和内在约束统一处理. 研究表明, 采用此方法, 不仅在每个离散的时空格点上能够建立起Dirac括号, 从而可以完成该模型的正则量子化;而且, 该方法还保持了离散情况下的能量守恒. 相似文献
6.
从仿生学角度出发,将自制的人工角膜支架材料羟基磷灰石/聚乙烯醇/壳聚糖(n-HA/PVA/CS)浸泡在模拟体液中,对材料的含水率及力学性能进行了测试,并利用扫描电镜、X射线衍射仪、电感耦合等离子体原子发射光谱仪及热重分析仪研究了材料在模拟体液中的形貌、晶体结构、元素组成及热稳定性.结果表明,在模拟体液中,n-HA/PVA/CS复合水凝胶的含水率为80%~86%,具有较高的拉伸强度,能承受正常眼压,且热稳定性较好.在浸泡后期,n-HA/CS/PVA复合材料对Ca2+的吸附和释放达到动态平衡;而其表面含有微量的纳米羟基磷灰石沉积,有利于纤维细胞的长入. 相似文献
7.
8.
A temperature tunable photonie bandgap fiber (PBGF) is demonstrated by an index-guiding photonic crystal fiber filled with high-index liquid. The temperature tunable characteristics of the fiber are experimentally and numerically investigated. Compression of transmission bandwidth of the PBGF is demonstrated by changing the temperature of part of the fiber. The tunable transmission bandwidth with a range of 250nm is achieved by changing the temperature from 30℃ to 90℃. 相似文献
9.
10.
Reactive Ion Etching as Cleaning Method Post Chemical Mechanical Polishing for Phase Change Memory Device 下载免费PDF全文
In order to improve nano-scale phase change memory performance, a super-clean interface should be obtained after chemical mechanical polishing (CMP) of Ge2Sb2Te5 phase change films. We use reactive ion etching (RIE) as the cleaning method. The cleaning effect is analysed by scanning electron microscopy and an energy dispersive spectrometer. The results show that particle residue on the surface has been removed. Meanwhile, Ge2Sb2Te5 material stoichiometric content ratios are unchanged. After the top electrode is deposited, currentvoltage characteristics test demonstrates that the set threshold voltage is reduced from 13 V to 2.7V and the threshold current from 0.1 mA to 0.025 mA. Furthermore, we analyse the RIE cleaning principle and compare it with the ultrasonic method. 相似文献