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1.
力电耦合固体的非线性连续介质理论最早出现于20世纪50年代,而成熟于70年代.80年代末、90年代初则因智能材料与结构的兴起而又得到了新的发展,引起了较为广泛的关注,但应用上以线性分析为主.21世纪初以来,力电耦合软材料因其潜在的应用前景激发了众多的研究兴趣.由于牵涉到大变形,必须在一般非线性连续介质力学的框架内进行问题的建模和开展定量分析,因此力电耦合固体的非线性理论重新得到了大家的重视,出现了很多新版本.本文旨在阐述力电耦合固体非线性连续介质理论一般框架的基础上,采用3个构型的表述方式,较为详细地给出拉格朗日描述和更新拉格朗日描述下的力电耦合偏场理论,甄别不同理论表述版本之间的异同,以廓清目前文献中的混乱现象,为今后的相关研究提供理论指导.最后,本文讨论和展望了力电耦合偏场理论在不同研究领域的若干研究重点及其未来发展趋势.  相似文献   
2.
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO:As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。  相似文献   
3.
温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜。最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量。  相似文献   
4.
V2O5-CeO2/TiO2催化剂上低温氨选择性催化还原NO的性能   总被引:8,自引:5,他引:3  
考察了V2O5-CeO2/TiO2催化剂中V、Ce活性组分的担载量和焙烧温度对催化剂低温催化还原NO活性的影响及其在单独SO2、H2O和两者共存气氛下的抗毒化性能。结果表明,焙烧温度400℃下制备的5V30Ce/TiO2催化剂具有良好的低温催化还原NO活性,空速为10000h-1,165℃时NO转化率达99.2%;500℃以下低焙烧温度时,添加的Ce不与V相互作用,在催化剂表面主要以CeO2形式存在,有利于增大催化剂比表面积,增强V2O5在催化剂上的分散度,提高催化活性。而在500℃以上较高焙烧温度下,Ce与V会形成CeVO4,对活性提高不利。催化剂具有良好的低温抗水中毒性能,但受SO2毒化作用明显,其在SO2、H2O共存气氛下中毒程度较单独SO2下浅。  相似文献   
5.
谢航  李娇娇  王小勇  伍斌  夏茹  陈鹏  钱家盛 《高分子学报》2021,(4):399-405,I0004
生物基尼龙(PA56)源于天然产物,具有优良的环保性能和广阔应用前景,有望替代传统的石油基尼龙材料.为了开发基于PA56的导热材料,利用分子动力学模拟研究方法探索了石墨烯/PA56复合材料界面热阻的影响因素.首先,利用实验测试商用PA56样品的玻璃化转变温度(Tg)和导热系数(Tc),验证了PA56模型的模拟参数.接着,通过设计和比较不同表面改性状态对石墨烯/PA56复合材料的界面热阻的影响规律,最后,为了降低界面改性的难度,设计了一种新型的二嵌段共聚物作为石墨烯/PA56复合体系的界面改性剂,研究了界面改性剂的结构对界面热阻的影响规律.研究结果对于实验研究制备生物基尼龙导热复合材料具有重要的参考价值.  相似文献   
6.
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200 ℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.07×1020 cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。  相似文献   
7.
p-ZnO:As is prepared by the GaAs interlayer doping method. The potential applications of p-ZnO:As are evaluated by applying it into the construction of a p-ZnO/n-GaN heterojunction, though its hall, electrochemical capacitance-voltage and photoluminescence results show a hole concentration at the level of -10^17 cm-3 and a good optical quality. Ultraviolet random lasing is detected from the studied device under forward bias. Specific lasing modes are confirmed to originate from p-ZnO:As by further introducing the p-ZnO/MgO/n-GaN het- erostructure. The resulting random lasing phenomena demonstrate the promising prospects in device application of p-ZnO:As fabricated by using our methods.  相似文献   
8.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了模型弛豫方式和隐式溶剂化模型的使用对α-Al2O3(0001)表面初始结构和Cl~-在表面吸附行为的影响.结果表明,在VASPsol方法模拟的水溶液环境下,全弛豫的α-Al2O3(0001)模型最上侧两个原子层的层间距变化量分别为-66.0%和+7.7%,更接近于实验值的-51%、+16%. Cl~-在液相表面上有着更低的吸附能,更容易与表面发生相互作用.相对于全弛豫的方法,固定底层6层原子的方式对α-Al2O3(0001)的表面结构、Cl~-在表面的吸附能、吸附距离以及表面原子bader电荷的变化量均造成了一定的影响.此工作将为α-Al2O3(0001)表面的点蚀研究提供可参照的前期结果和部分参数设置依据.  相似文献   
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