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机械合金化-放电等离子烧结制备Ti_2SnC导电陶瓷 总被引：1，自引：0，他引：1
采用放电等离子烧结(SPS)技术对机械合金化合成的Ti2SnC粉体进行烧结,研究了烧结温度对机械合金化和SPS烧结Ti2SnC导电陶瓷块体相组成、显微组织及微结构的影响。结果表明:机械合金化合成Ti2SnC粉体在800~1000℃之间进行SPS烧结可以获得纯度较高的致密块体,在1000℃进行烧结时,孔隙率低于2%。在600~1000℃范围内,烧结块体中Ti2SnC的含量随烧结温度的提高逐渐增加;Ti2SnC的晶粒大小随温度升高逐渐长大。 相似文献
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采用化学计量比为3Ti/Si/2C的单质粉体为反应原料,通过机械合金化工艺和热处理制备高纯度的Ti3SiC2陶瓷粉体,研究了热处理温度对提高机械合金化混合粉体中Ti3SiC2纯度的影响.研究表明:在球磨转速400 r/min,球磨时间10 h的条件下,合成以Ti3SiC2为主相的混合粉体,其中Ti3SiC2含量为75.5vol;,同时出现表面灰黑色且坚硬的不规则块体,成分与球磨粉体相似.在热处理温度为850～1000℃范围内,混合粉体中Ti3SiC2的含量随着热处理温度的升高而提高,当热处理温度为1000℃时,计算粉体中Ti3SiC2的含量高达98.5vol;.. 相似文献
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