Y2O3-Eu2O3-SnO2三元系固相线下相关系及其发光性质研究

采用固态反应法及改良固态反应法合成了一系列Y₂O₃-Eu₂O₃-SnO₂体系中的试样，利用X射线粉末衍射法测定了Y₂O₃-Eu₂O₃-SnO₂三元系固相线下的相关系.结果表明，Y₂O₃-Eu₂O₃二元系 关键词： 2O₃-Eu₂O₃-SnO₂三元系')" href="#">Y₂O₃-Eu₂O₃-SnO₂三元系 烧绿石型结构 激发光谱 发射光谱     

赝二元固溶体TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)的结构与磁性

采用电弧熔炼法在高纯氩气保护下合成了一系列TbGa_1-xGe_x(0≤x≤0.4)样品. X射线粉末衍射数据表明,样品均为正交晶系的CrB型结构,空间群为Cmcm. TbGa_1-xGe_x化合物的晶格常数随Ge含量的增加而线性减小,TbGa和TbGe赝二元系在0≤x≤0.4范围内形成固溶体. 化合物的顺磁居里温度以及有效磁矩由热磁测量结果确定. 相变温度由交流磁化率的测量获得. 随Ge含量的增加,化合物的相变温度单调下降. 变温X射线粉末衍射实验表明,x=0.2和0.3的样品在110—273K范围内无结构相变. 关键词： TbGa-TbGe 赝二元系 CrB结构 居里温度 磁化强度     

High-k材料研究进展与存在的问题

随着集成电路的飞速发展，SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求，需要一种新型Hish-k材料来代替传统的SiO2，这就要综合考虑以下几个方面问题：(1)介电常数和势垒高度；(2)热稳定性；(3)薄膜形态；(4)界面质量；(5)与Si基栅兼容；(6)工艺兼容性；(7)可靠性。本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题。目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求。但是，科学工作者们已经发现了几种有希望的Hihg-k候选材料。     

Y2O3-Eu2O3-SnO2三元系固相线下相关系及其发光性质研究

采用固态反应法及改良固态反应法合成了一系列Y2O3-Eu2O3-SnO2体系中的试样,利用X射线粉末衍射法测定了Y2O3-Eu2O3-SnO2三元系固相线下的相关系.结果表明,Y2O3-Eu2O3二元系和Eu2Sn2O7-Y2Sn2O7赝二元系形成连续固溶体.对于(Y1-xEux)2Sn2O7,最强的发光峰位置在590 nm附近,源于Eu3+的5 D0-7 F1的磁偶极跃迁.对于(Y1-xEux)2O3,最强峰的位置在611 nm附近,是由Eu3+的5 D0-7 F2的电偶极跃迁引起的.激发光谱表明,与(Y1-xEux)2O3相比,(Y1-xEux)2Sn2O7的电荷迁移带向低能方向移动.Eu3+在化合物中所处的晶体学位置决定了其光谱特征.     

La0.1Bi0.9-xEuxFeO3化合物的结构与性能研究

利用固相反应烧结技术制备La0.1Bi0.9-xEuxFeO3系列化合物.利用X射线粉末衍射进行物相鉴定和结构分析,确定了材料的相关系:x≤0.05,材料为R3c结构相;0.08≤x≤0.12,材料为赝R3c结构相;x≥0.15是Pbnm相,其中0.15≤x≤0.20区域Pbnm相存在畸变.磁测量结果表明,材料具有弱铁磁性,对于x≤0.20材料,磁矩在x=0.12成分存在极值.利用阻抗分析仪测量了室温介电常数随成分的变化关系.讨论了材料的结构与弱铁磁性和室温介电常数间的关系.     

La0.1Bi0.9-xEuxFeO3化合物的结构与性能研究

利用固相反应烧结技术制备La_0.1Bi_0.9-xEu_xFeO₃系列化合物. 利用X射线粉末衍射进行物相鉴定和结构分析,确定了材料的相关系：x≤0.05,材料为R3c结构相;0.08≤x≤0.12,材料为赝R3c结构相;x≥0.15是Pbnm相,其中0.15≤x≤0.20区域Pbnm相存在畸变. 磁测量结果表明,材料具有弱铁磁性,对于x≤0.20材料,磁矩在x=0.12成分存在极值. 利用阻抗分析仪测量了室温介电常数随成分的变化关系.讨论了材料的结构与弱铁磁性和室温介电常数间的关系. 关键词： 0.1Bi_0.9-xEu_xFeO₃')" href="#">La_0.1Bi_0.9-xEu_xFeO₃ X射线衍射 磁性 介电常数     

赝二元固溶体TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)的结构与磁性

采用电弧熔炼法在高纯氩气保护下合成了一系列TbGa1-xGex(0≤x≤0.4)样品.X射线粉末衍射数据表明,样品均为正交晶系的CrB型结构,空间群为Cmcm.TbGa1-xGex化合物的晶格常数随Ge含量的增加而线性减小,TbGa和TbGe赝二元系在0≤x≤0.4范围内形成固溶体.化合物的顺磁居里温度以及有效磁矩由热磁测量结果确定.相变温度由交流磁化率的测量获得.随Ge含量的增加,化合物的相变温度单调下降.变温X射线粉末衍射实验表明,x=0.2和0.3的样品在110-273 K范围内无结构相变.