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1.
SrA12O4:Eu的荧光效应及其陶瓷漫反射特性   总被引:5,自引:0,他引:5  
采用SrA12O4:Eu荧光材料为主相制备具有此外线转换功能的陶瓷泵浦 腔材料。研究了SrA12O4:Eu粉体制备与荧光性能的关系,考虑了与低折射率玻璃复合制成陶瓷的漫反射性能特性。结果显示SrA12O4:Eu基陶瓷作为泵浦腔用材料在技术是可行的。  相似文献
2.
Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜;p-CuSCN薄膜;电化学沉积;EDTA  相似文献
3.
纳米TiO2介孔薄膜的模板组装制备研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
以TiCl4为无机前驱体、三嵌段高分子共聚物EO20PO70EO20为模板剂,在非水条件下制备了有序的锐钛矿TiO2纳米晶介孔薄膜。通过热重-差热(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、原子力显微观察(AFM)及N2吸附-脱附等测试对样品进行了表征。结果表明,薄膜具有均一的大介孔孔径(~10 nm),其BET比表面积为150 m2·g-1,薄膜较宽的无机壁厚显著提高了介孔结构的热稳定性。通过红外(IR)光谱分析考察了溶胶-凝胶过程中发生的物理化学变化。在对薄膜表面形貌进行AFM观察的基础上初步探讨了嵌段共聚物EO20PO70EO20对薄膜孔结构形成的导向机理。  相似文献
4.
甘油基电解液中阴离子对阳极氧化TiO2纳米管生长的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
在NH4F-甘油-水电解液中,采用阳极氧化法,在纯Ti基底上制备了高度取向的TiO2纳米管阵列,考察了阴离子种类、阳极氧化时间及NaAc浓度对纳米管阵列生长的影响.结果表明,TiO2纳米管的生长速率和长度强烈依赖于阴离子的种类和浓度.NaNO3和NaCl的加入能增大阳极氧化时的电流密度,提高TiO2纳米管底部的腐蚀速率,提高管的生长速率及增加管的长度;而NaAc的加入更大程度上抑制了已生成的TiO2纳米管顶部的溶解,提高了纳米管的净生长速率,得到较长的纳米管阵列.  相似文献
5.
晶种面织构对溶液化学法生长ZnO纳米棒的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
赵娟  靳正国  刘晓新 《无机化学学报》2005,21(11):1643-1648
采用化学沉积法,在ZnO晶种面上研究了纳米棒于70 ℃过饱和硝酸锌/氢氧化钠溶液中的定向生长。通过sol-gel法在玻璃基底上引入了ZnO的晶种面,通过热处理温度、冷却方式和拉膜速度改变其织构,重点考察其对ZnO纳米棒生长形态的影响。采用XRD和SEM分析了不同晶种面以及相应棒晶的生长形态。结果表明,随热处理温度的提高,晶种长大,相应的棒晶直径从25 nm增加到50 nm,1.5 h的生长棒长达约800 nm。300~400 ℃热处理、急冷或低的拉膜速度条件下制备的晶种面具有更高的晶体取向和较少的表面缺陷。从而导致生长面高的成核密度,使得ZnO纳米棒能够在垂直于基底的方向上择优生长。  相似文献
6.
手性气相色谱分离α-醇腈和α-羟基酸对映体   总被引:1,自引:0,他引:1  
以3-丙酰基-2,6-O-二戊基-γ-环糊精和3-三氟乙酰基-2,6-O-二戊基-γ-环糊精为手性固定相,利用气相色谱进行了α-醇腈化合物、α羟基酸以及二共存时的对映体分离。系统观察了影响对映体分离的主要因素,优化了十种α-醇腈和七种α-羟基酸拆分条件,3-三氟乙酰基-2,6-O-二戊基-γ-环糊精毛细管柱的分离因子达到1.05~3.12,对α-羟基酸,并对分离的机理进行了初步分析。  相似文献
7.
甘油-DMSO-H2O中阳极氧化TiO2纳米管阵列的生长与性能   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
阴育新  靳正国  侯峰 《物理化学学报》2007,23(11):1797-1802
采用NH4F-甘油-DMSO(二甲基亚砜)-H2O溶液体系的电化学阳极氧化法, 在金属钛基板上形成厚度为0.4-1.5 μm的有序TiO2纳米管阵列薄膜. 利用场发射电子扫描显微镜(FESEM)技术, 研究了电解液的组成及阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列生长形貌的影响. 结果表明, 阳极氧化电压可以影响TiO2纳米管的径向尺寸和长度;通过改变电解液中DMSO/H2O的体积比, 能够调控纳米管的生成速率与形貌. 利用X射线衍射(XRD)对经过不同温度热处理的TiO2纳米管阵列薄膜的物相进行了分析. TiO2纳米管阵列薄膜的光电催化分解水过程的电压-电流特性测量显示, 光电流密度大于0.2 mA·cm-2.  相似文献
8.
0引言Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体薄膜太阳能电池具有价格低廉、性能优良和工艺简单等优点,已成为最有希望的光电转换器件,是当前国际光伏电池研究领域的热点之一。在Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体中,CuInS2因其光学禁带宽度适中(1.50eV),可见光区域吸收系数较高(6×105cm-1),化学稳定性好等特点而成为人们最为关注的薄膜太阳能电池材料之一[1~5]。目前,CuInS2薄膜太阳能电池的最高转换效率约为11%[6,7],距理论转换效率(27%~32%)[8]还有很大的差距,而改善CuInS2薄膜质量是提高其光电转换效率的关键。研究表明,CuInS2薄膜的制备技术及工艺条件对薄膜的结构…  相似文献
9.
在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2 /cIn3 在1 ̄1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2 /cIn3 的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2 /cIn3 =1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104cm-1,禁带宽度Eg为1.45eV。  相似文献
10.
0引言铜铟硒(CIS)具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率,是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料[1]。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备,如金属前驱体硒化法[2]、共沉积法[3]、溅射法[4]、电沉积法[5]和化学气相沉积法[6]等。这些方法都有各自的  相似文献
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