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1.
赵坚  高泉涌  杨勇  林祖赓 《电化学》2000,6(4):393-398
本文利用氧化铝模板法合成了不同纳米尺寸的LiMn2 O4 纳米管 /纳米线及碳纳米管 .采用原子力显微镜 (AFM )及高分辨透射电镜 (TEM )表征了相关的模板及纳米管 .同时也报道了以纳米管阵列的LiMn2 O4 电极的循环伏安法的初步研究结果  相似文献   
2.
Y型分支的碳纳米管的氧化铝模板法制备及其表征(英文)   总被引:2,自引:0,他引:2  
张静  高泉涌  杨勇 《电化学》2003,9(4):381-386
利用两步氧化法,通过对氧化直流电压进行周期性调制可制备出带有Y型孔道的氧化铝模板;然后以金属钴为催化剂,乙炔为碳源,通过CVD法制取得到具有规则Y型分支的碳纳米管阵列.已制备出的碳管分支角度在20°~120°的范围内.实验表明,两段分支所成的角度以及分支的长度与合成氧化铝模板的脉冲电压调节规律有关,短脉冲,高氧化电压有利于生长出的短而密集的分支构型.  相似文献   
3.
高泉涌  张静  杨勇 《电化学》2005,11(1):87-91
本文提出一种改进的氧化铝模板法制备碳纳米管阵列电极:首先结合气相化学沉积和磁控溅射在氧化铝模板中制得碳纳米管阵列电极,然后用HF溶液将沉积了碳纳米管的氧化铝模板阻挡层除去,控制溶出时间即可得到不同溶出长度的碳纳米管阵列电极.循环伏安测试表明,锂离子在该阵列电极中的嵌入脱出反应主要发生在碳纳米管的端口处.此外,还应用固定频率交流阻抗法,研究了不同溶出时间的碳纳米管阵列电极的电容性质.  相似文献   
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