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1.
Physics of Atomic Nuclei - In an experiment with the SND detector at the VEPP-2000 $$e^{+}e^{-}$$ collider, the cross sections for the processes $$e^{+}e^{-}\to K^{+}K^{-}\pi^{0}$$ and...  相似文献   
2.
A new boron nitride polymorph, P213 BN (space group: P213), is investigated by first-principles calculations, including its structural properties, stability, elastic properties, anisotropy and electronic properties. It is found that the new boron nitride polymorph P213 BN is mechanically, dynamically and thermodynamically stable. The bulk modulus (B), shear modulus (G) and Young's modulus of P213 BN are 91 GPa, 41 GPa and 107 GPa, respectively, all of which are larger than that of Y carbon and TY carbon. By comparing with c-BN, the Young's modulus, shear modulus and Poisson's ratio of P213 BN show tiny anisotropy in the (001), (010), (100) and (111) planes. At the same time, in contrast with most boron nitride polymorphs, P213 BN is a semiconductor material with a smaller band gap of 1.826 eV. The Debye temperature and the anisotropic sound velocities of P213 BN are also investigated in this work.  相似文献   
3.
针对室内可见光定位接收光功率不均匀、定位精度低等问题,提出一种自适应花授粉定量式灯源优化方案结合改进径向基函数(RBF)的神经网络接收信号强度指示(RSSI)可见光定位方法.所提方法采用自适应花授粉算法优化发射器的光照强度;通过基于改进RBF神经网络的RSSI定位方法处理接收到的均匀光信号,实现精确有效定位.利用核主成分分析K-means++(KPCA-K means++)聚类模型对RSSI样本值进行预处理,得到最优聚类数目和聚类中心,作为隐含层神经元个数和中心值.通过遗传算法-最小均方(GA-LMS)模型对RBF神经网络参数进行寻优.仿真结果表明,在9 m×12 m×3.5 m的室内环境中,接收光功率为 28.6 dBm~-25.1 dBm,定位误差小于0.1m.因此,所提改进后的可见光定位方法具有定位精度更高、实用性更强等优点.  相似文献   
4.
The trends of the future electronic devices should be miniaturized,flexible,stable,portable,light,and highly integrated.Although flexible electronic products(i.e.,flexible display products[1-3],batteries[4,5],cell phones[6])have been commercially available recently,which represents the starting of a new era in electronics,these progresses are still in their infancy and more efforts are required to boom their multifunction and speed up their marketization from lab.Considering their low-cost and mass-productive synthesis technologies,rich species,high performances,and especially,the excellent flexibility and stability,organic materials(insulating,conductive and semiconducting)have triggered the tide of the development of"plastic electronics",especially in transistors,an indispensable logic device in these logic-control based devices(i.e.,intelligent electronics).  相似文献   
5.
本文采用第一性原理方法,在100 GPa的压力范围内,计算了GeO_2理想晶体和含锗、氧空位点缺陷晶体的光学性质.吸收谱数据表明,压力诱导的三个结构相变对GeO_2晶体的吸收谱均有影响:第一个相变将导致其吸收边蓝移,而第二和第三相变将使得其吸收边红移.锗和氧空位点缺陷的存在将导致GeO_2的吸收边红移,但氧空位点缺陷引起的红移更明显.尽管如此,分析发现,在100 GPa的压力范围内,压力、相变以及空位点缺陷等因素都不会导致GeO_2晶体在可见光区出现光吸收现象(是透明的).波长在532 nm处的折射率数据显示,在GeO_2的四个相区,其折射率均随压力增加而降低;而且,GeO_2的三个结构相变以及锗、氧空位点缺陷都会导致其折射率有所增大.本文预测,GeO_2有成为冲击光学窗口材料的可能.  相似文献   
6.
Zhong  Weizhou  Zhang  Zexiong  Chen  Xiaowei  Wei  Qiang  Chen  Gang  Huang  Xicheng 《Acta Mechanica Sinica》2021,37(7):1136-1151
Acta Mechanica Sinica - Multi-scale finite element method is adopted to simulate wood compression behavior under axial and transverse loading. Representative volume elements (RVE) of wood...  相似文献   
7.
A type of infinite horizon forward-backward doubly stochastic differential equations is studied.Under some monotonicity assumptions,the existence and uniqueness results for measurable solutions are established by means of homotopy method.A probabilistic interpretation for solutions to a class of stochastic partial differential equations combined with algebra equations is given.A significant feature of this result is that the forward component of the FBDSDEs is coupled with the backward variable.  相似文献   
8.
Acoustical Physics - The paper studies the evolution of a pulsed signal initiated by the pushing of a cylindrical piston and propagating through a stationary fluid filling a buried pipeline with an...  相似文献   
9.
Zhang  Yanzhen  Li  Ying  Wei  Musheng  Zhao  Hong 《Numerical Algorithms》2021,87(4):1563-1576
Numerical Algorithms - Quaternion equality constrained least squares (QLSE) problems have attracted extensive attention in the field of mathematical physics due to its applicability as an extremely...  相似文献   
10.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。  相似文献   
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