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1.
采用超声分散法制备出氧化铝、高岭土、氧化硅/聚四氟乙烯复合材料, 使用线性往复摩擦磨损试验机对比三种复合材料的摩擦学性能. 结果表明 质量分数10%的氧化铝、高岭土能将聚四氟乙烯的磨损率降低约4个数量级, 而氧化硅仅能降低约3个数量级. 对金属对偶表面形成的转移膜的形貌和化学成分进行分析发现 氧化铝、高岭土/聚四氟乙烯在金属对偶面上形成了高度羧酸盐化的转移膜. 用密度泛函理论对三种填料表面上碳氟分子吸附过程进行模拟, 结果显示氧化铝、高岭土表面的路易斯酸性位点促进了碳氟分子的脱氟过程, 产生了更多的羧酸螯合物的中间产物; 氧化硅缺少路易斯酸性位点, 因此不能促进高度羧酸盐化的转移膜形成.  相似文献   
2.
Bo  Luo  Gao  Wei  Yu  Yuguo  Chen  Xiaojun 《Nonlinear dynamics》2022,110(1):281-311
Nonlinear Dynamics - The perovskite solar cell (PSC) is one of the most promising photovoltaic candidates along with the highly increasing demand for green electricity. One of the main concerns...  相似文献   
3.
In this paper, the authors discuss a generalization of Lappan’s theorem to higher dimensional complex projective space and get the following result: Let f be a holomorphic mapping of ? into Pn(C), and let H1, · · · , Hq be hyperplanes in general position in Pn(C).Assume that sup {(1 ? |z|2)f?(z) : z ∈ q[ j=1 f?1(Hj )o < ∞,if q ≥ 2n2 + 3, then f is normal.  相似文献   
4.
Set-Valued and Variational Analysis - We aim to establish Karush-Kuhn-Tucker multiplier rules involving higher-order complementarity slackness under Hölder metric subregularity. These rules...  相似文献   
5.
通过对盐酸伊达比星脱羟基杂质A的合成研究,为盐酸伊达比星的质控标准提供参考。以盐酸伊达比星为起始原料,经过4步反应得到脱羟基杂质A。本文提供了盐酸伊达比星杂质A的制备方法以及高效液相色谱分析方法,为杂质含量控制提供了依据。该工艺可以稳定、快速制备高纯度脱羟基杂质A,制备总收率为57.20%,纯度为57.20%,其结构经1H NMR, 13C NMR和MS(ESI)表征。  相似文献   
6.
7.
Wang  Ning  Zhang  Guoshan  Bao  Han 《Nonlinear dynamics》2020,99(4):3197-3216
Nonlinear Dynamics - Conservative chaotic flows, a category of incompressible chaos, are usually generated from dynamical systems without dissipation. The existing results on conservative chaos are...  相似文献   
8.
9.
The chemical properties of carbide‐cluster metallofullerenes (CCMFs) remain largely unexplored, although several new members of CCMFs have been discovered recently. Herein, we report the reaction between Sc2C2@C3v(8)‐C82, which is viewed as a prototypical CCMF because of its high abundance, and 3‐triphenylmethyl‐5‐oxazolidinone ( 1 ) to afford the corresponding pyrrolidino derivative Sc2C2@C3v(8)‐C82(CH2)2NTrt ( 2 ; Trt=triphenylmethyl). Single‐crystal X‐ray crystallography studies of 2 revealed that the reaction takes place at a [6,6]‐bond junction, which is directly over the encapsulated C2 unit and is far from either of the two scandium atoms. On the basis of theoretical calculations and by considering previously reports, we have found that a hexagonal carbon ring on the cage of Sc2C2@C3v(8)‐C82 is highly reactive toward different reagents due to the overlap of high p‐orbital axis vector (POAV) angles and large LUMO coefficients. We propose that this highly concentrated area of reactivity is generated by the encapsulation of the Sc2C2 cluster because this region is absent from the empty fullerene C3v(8)‐C82. Moreover, the absorption and electrochemical results confirm that derivative 2 is more stable than pristine Sc2C2@C3v(8)‐C82, thus illuminating its potential applications.  相似文献   
10.
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