氧化镁两步法制备阻燃型氢氧化镁

以氯化镁焙烧生成的氧化镁为原料,采用两步法即先水化后水热的方法制备出六方片状氢氧化镁。考察了水化时间、水热时间和温度及水热添加剂氢氧化钠浓度对氢氧化镁材料形貌的影响。研究表明,水化时间超过3 h,氧化镁水化率基本不变,水热温度越高对晶体形貌改善越大,水热时间的延长可促进晶体粒径及厚度的增加,但是对晶体的宽厚比改变不大。水热添加剂氢氧化钠浓度的增加可明显地提高晶体结晶度,减小晶体微观内应变,提高粉体分散性。     

掺杂镁钴锌的微纳结构球形氢氧化镍的高温电性能研究

利用共沉淀法,制备出具有微纳结构的球形氢氧化镍,并通过掺杂镁钴锌,制备出掺杂球形氢氧化镍。通过XRD和SEM表征了掺杂氢氧化镍的晶体结构和形貌,采用循环伏安测试和充放电循环测试研究了不同掺杂元素对氢氧化镍电化学性能的影响。结果表明,同时掺杂1%钴、1%锌、1%镁的氢氧化镍样品在高温下具有优异的电性能表现。在65℃时,其带电比容量、ΔE_(a,c)、ΔE_(a,o)分别为288 m Ah/g、0.38 V、0.12 V。     

硼酸镁纳米晶须的水热-熔盐焙烧合成研究

以MgCl2·6H2O、H3BO3和NaOH为原料,采用定-转子反应器合成MgBO2 (OH)前驱体,水热合成MgBO2 (OH)纳米棒,进而熔盐焙烧合成了直径为50 ～105 nm、长度为6～13μm(平均长径比为120)、高度分散的纯单斜相单晶Mg2B2O5纳米晶须.采用XRD、SEM、EDX、TEM及SAED等手段进行表征.研究发现,MgBO2( OH)纳米棒的最佳合成条件是水热温度为210℃、水热时间为8h,该条件下可获得分散良好、形貌规则,尺寸分布范围窄的MgBO2 (OH)纳米棒.     

矿化剂对水热法改性氢氧化镁晶体的影响

近几年来,氢氧化镁作为一种无机阻燃剂由于其具有制备条件相对温和,生产工艺简单且产品与自然环境友好等特点,在研究及生产活动方面备受关注且得到了长足的发展[1～4].目前采用氢氧化钠法进行反应一水热制备高分散阻燃级氢氧化镁的工艺路线已经比较成熟[5～8].然而,不利的是,氢氧化钠偏高的价格导致了产品的制造成本较高.而采用石灰法制备氢氧化镁阻燃剂具有价格低廉的特点,引起了人们的关注.     

棒状氢氧化镁的合成

以氯化镁和氢氧化钠为原料合成了棒状氢氧化镁粉体。考察了氢氧化钠浓度、陈化温度、陈化时间对氢氧化镁形貌的影响。采用SEM、HRTEM、XRD、TG等对所得氢氧化镁颗粒的形貌、颗粒大小、晶习及热稳定性进行了表征。结果表明,当陈化温度为90℃时,所得棒状氢氧化镁随氢氧化钠浓度的升高及陈化时间的增加,晶形更加完整;当陈化温度在120℃时,所得氢氧化镁颗粒的形貌为片状,不能得到棒状氢氧化镁。     

水热反应条件对氢氧化镁晶体微观内应变的影响

用氯化镁和氢氧化钠反应合成氢氧化镁前驱体,通过水热反应制备出氢氧化镁阻燃剂粉体,采用X射线衍射进行表征,分析水热条件对氢氧化镁晶体(101)面微观内应变和晶体生长方向的影响.结果表明:在实验温度范围内,碱浓度和水热时间对氢氧化镁晶体在(101)面微观内应变的影响规律比较明显.碱浓度和水热温度是影响晶体生长方向的主要因素.     

波长路由全光城域自愈试验环网

本文给出了在上海交通大学建立的由三个OADM组成的波长路由全光自愈试验环网的结构和性能.同时,我们还介绍了它的升级系统,由两个OADM和不同结构的OXC组成的四节点全光自愈试验双环网.     

氧化镁两步法制备阻燃型氢氧化镁

以氯化镁焙烧生成的氧化镁为原料,采用两步法即先水化后水热的方法制备出六方片状氢氧化镁。考察了水化时间、水热时间和温度及水热添加剂氢氧化钠浓度对氢氧化镁材料形貌的影响。研究表明,水化时间超过3h,氧化镁水化率基本不变,水热温度越高对晶体形貌改善越大,水热时间的延长可促进晶体粒径及厚度的增加,但是对晶体的宽厚比改变不大。水热添加剂氢氧化钠浓度的增加可明显地提高晶体结晶度,减小晶体微观内应变,提高粉体分散性。