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1.
TiN/TiB2异结构纳米多层膜的共格生长与力学性能   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
魏仑  梅芳华  邵楠  董云杉  李戈扬 《物理学报》2005,54(10):4846-4851
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同TiB2调制层厚度的TiN/TiB2纳米多层膜.利用x射线衍射仪、高分辨电子显微镜和微力学探针研究了TiB2层厚变化对多层膜生长结构和力学性能的影响.结果表明,在fcc-TiN层(111)生长面的模板 作用下,原为非晶态的TiB2层在厚度小于2.9nm时形成hcp晶体态,并与fcc-TiN 形成共格外延生长;其界面共格关系为{111}TiN//{0001}TiB2,〈110〉TiN//〈1120〉TiB2.由于共格界面存在晶格失配 度,多层膜中形成拉、压交变的应力场,导致多层膜产生硬度和弹性模量升高的超硬效应, 最高硬度和弹性模量分别达到46.9GPa和465GPa.继续增加TiB2层的厚度,TiB2形成非晶态并破坏了与TiN层的共格外延生长,多层膜形成非晶TiN层和非晶TiB< sub>2层交替的调制结构,其硬度和弹性模量相应降低. 关键词: 2纳米多层膜')" href="#">TiN/TiB2纳米多层膜 共格生长 晶体化 力学性能  相似文献   
2.
以二氯化镍为原料制得配合物(DME)Ni Cl2(1);以2,6-二异丙基苯胺和丁二酮为原料,经缩合反应制得α-二亚胺配体(2);1与2经络合反应合成了一种用于乙烯齐聚制备超支化聚乙烯的新型链行走催化剂(3),其结构经IR,XRD和元素分析表征。以乙烯齐聚为探针反应,考察了助催化剂,反应温度和反应时间对3催化活性的影响。结果表明:在较优反应条件[Al Et30.14 mol,n(Al)∶n(Ni)=600,于20℃反应0.5 h]下,3催化活性为2.5×106g PE·(mol·Ni·h·MPa)-1。齐聚产物为支化聚乙烯,部分支链中碳原子数大于4。  相似文献   
3.
TiN/SiO2纳米多层膜的晶体生长与超硬效应   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
魏仑  梅芳华  邵楠  李戈扬  李建国 《物理学报》2005,54(4):1742-1748
高硬度的含氧化物纳米多层膜在工具涂层上具有重要的应用价值.研究了TiN/SiO22纳米多 层膜的晶体生长特征和超硬效应.一系列具有不同SiO22和TiN调制层厚的纳米多 层膜采用多 靶磁控溅射法制备;采用x射线衍射、x射线能量色散谱、高分辨电子显微镜和微力学探针表 征了多层膜的微结构和力学性能.结果表明,虽然以单层膜形式存在的TiN和SiO22分别形成 纳米晶和非晶结构,它们组成多层膜时会因晶体生长的互促效应而呈现共格外延生长的结构 特 关键词: 2纳米多层膜')" href="#">TiN/SiO22纳米多层膜 外延生长 非晶晶化 超硬效应  相似文献   
4.
TiN/SiO2纳米多层膜的晶体生长与超硬效应   总被引:6,自引:4,他引:2       下载免费PDF全文
高硬度的含氧化物纳米多层膜在工具涂层上具有重要的应用价值.研究了TiN/SiO2纳米多层膜的晶体生长特征和超硬效应.一系列具有不同SiO2和TiN调制层厚的纳米多层膜采用多靶磁控溅射法制备;采用x射线衍射、x射线能量色散谱、高分辨电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能.结果表明,虽然以单层膜形式存在的TiN和SiO2分别形成纳米晶和非晶结构,它们组成多层膜时会因晶体生长的互促效应而呈现共格外延生长的结构特征.在SiO2调制层厚度约小于1 nm时,多层膜呈现强烈的(111)织构,并伴随着硬度和弹性模量的显著上升,最高硬度和弹性模量分别达到44.5和473 GPa.进一步增加SiO2层的厚度,由于SiO2层呈现非晶态,多层膜的共格外延生长受到抑制,硬度也相应降低.TiN调制层厚度的改变虽对多层膜的生长结构和力学性能也有影响,但并不明显.  相似文献   
5.
类似人类记忆的短期、长期记忆现象在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.在多篇这类忆阻器的研究文献中还报道了经验学习特性:"学习-遗忘-再学习"实验中,短期记忆遗忘后再次学习,记忆恢复的速度明显比初次学习的记忆形成速度更快.本文对这类忆阻器已有数学模型在"学习-遗忘-再学习"实验中的特性给出进一步分析.仅考虑短期、长期记忆现象的忆阻模型在该实验中表现为较快速再次学习特性,再次学习的记忆恢复速度较快主要是由于脉冲间隔期间的遗忘速度比初次学习时更慢.考虑经验学习特性的忆阻模型在再学习阶段的记忆恢复速度更快主要是因为脉冲作用时的记忆增速更快,同时仍然存在脉冲间隔期间的遗忘速度减慢.与经验学习特性相关的状态变量的物理意义可利用连通两电极的导电通道的周围区域在不同外加电压作用下的变化来给出解释.  相似文献   
6.
邵楠  张盛兵  邵舒渊 《物理学报》2019,68(1):18501-018501
人类记忆的形成包括感觉记忆、短期记忆、长期记忆三个阶段,类似的记忆形成过程在不同材料忆阻器的实验研究中有过多次报道.这类忆阻器的记忆形成过程存在有、无感觉记忆的两种情况,已报道的这类忆阻器的数学模型仅能够描述无感觉记忆的忆阻器.本文在已有模型的基础上,根据有感觉记忆的忆阻器的研究文献中所报道的实验现象,设计了具有感觉记忆的忆阻器模型.对所设计模型的仿真分析验证了该模型对于存在感觉记忆的这类忆阻器特性的描述能力:对忆阻器施加连续脉冲激励,在初始若干脉冲作用时忆阻器无明显的记忆形成,此时忆阻器处于感觉记忆阶段,后续的脉冲作用下忆阻器将逐渐形成短期、长期记忆,并且所施加脉冲的幅值越大、宽度越大、间隔越小,则感觉记忆阶段所经历的脉冲数量越少.模型状态变量的物理意义可用连通两电极的导电通道在外加电压作用下的形成与消失来给出解释.  相似文献   
7.
邵楠  张盛兵  邵舒渊 《物理学报》2016,65(12):128503-128503
许多忆阻器都具有与生物神经突触功能相似的特性,这些特性包括记忆与遗忘特性、经验学习特性等.文献[17]根据记忆与遗忘特性建立了这类忆阻器的模型,文献[19,20]在对该模型的仿真研究中发现该模型也具有描述经验学习特性的能力.在关于这一模型已有研究的基础上,本文对该模型状态方程的特性与机理给出进一步的分析.分析中发现原模型的窗口函数的设计和使用存在问题,并且原模型建模时对于实验现象的解读不够准确.针对这些问题对原模型的状态方程进行了改进,完善了模型功能.对于该模型能够描述经验学习特性的机理,分别利用对于模型的状态方程的分析以及周期脉冲信号作用下的状态方程解析分析,对该机理给出定性和定量的讨论.利用机理分析所得的相关结论,设计了基于经验学习实验的模型状态方程中的参数和函数的估计方法,方便了该模型在这一类忆阻器的实验研究中的应用.  相似文献   
8.
TiN/TiB2异结构纳米多层膜的共格生长与力学性能   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同TiB2调制层厚度的TiN/TiB2纳米多层膜.利用x射线衍射仪、高分辨电子显微镜和微力学探针研究了TiB2层厚变化对多层膜生长结构和力学性能的影响.结果表明,在fcc-TiN层(111)生长面的模板作用下,原为非晶态的TiB2层在厚度小于2.9nm时形成hcp晶体态,并与fcc-TiN形成共格外延生长;其界面共格关系为{111}TiN∥{0001}TiB2,〈110〉TiN∥〈1120〉TiB.由于共格界面存在晶格失配度,多层膜中形成拉、压交变的应力场,导致多层膜产生硬度和弹性模量升高的超硬效应,最高硬度和弹性模量分别达到46.9GPa和465GPa.继续增加TiB2层的厚度,TiB2形成非晶态并破坏了与TiN层的共格外延生长,多层膜形成非晶TiN层和非晶TiB2层交替的调制结构,其硬度和弹性模量相应降低.  相似文献   
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