向色谱分析工作者送佳音——高抗撕裂硅橡胶胶板已批量生产

硅橡胶具有突出的耐高温耐低温性能并且具有良好的电绝缘性、耐大气老化、生理惰性及对金属的不腐蚀性等特点,但其缺点是机械强度较差.特别是抗撕裂强度,一般只有通用胶的1/4(即10公斤/厘米左右)。因此满足不了现代技术发展的需要。例如分析仪器的进样塞柱,要求反复穿刺而不破     

广义氧化还原

在提出广义氧化还原新概念的基础上，利用广义氧化还原电极电势判断无机化学反应的方向、顺序和计算反应的平衡常数，使溶液中无机化学反应系统化。     

高抗撕硅橡胶胶板、胶粒研制成功

上海橡胶制品研究所在山东大学、济南油脂四厂的协助下,经几年研究试验,已使硅橡胶的抗撕裂性能有较大的提高,最近通过了技术鉴定。目前高抗撕硅橡胶胶板已在上海工程橡胶厂投入批量生产。其产品性能达到研制时各项性能指     

广义氧化还原滴定

根据广义氧化还原新概念 ,提出了广义氧化还原滴定。广义氧化还原滴定包括酸碱滴定、沉淀滴定、配位滴定和氧化还原滴定。它们的滴定曲线可以由相同的原理绘出     

N极性GaN/AlGaN异质结二维电子气模拟

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,较系统地研究了GaN沟道层、AlGaN背势垒层、Si掺杂和AlN插入层对N极性GaN/AlGaN异质结中二维电子气(2DEG)的影响,分析表明,GaN沟道层厚度、AlGaN背势垒层厚度及Al组分变大都能一定程度上提高二维电子气面密度,AlGaN背势垒层的厚度和Al组分变大也可提高二维电子气限阈性,且不同的Si掺杂形式对二维电子气的影响也有差异,而AlN插入层在提高器件二维电子气面密度、限阈性等方面表现都较为突出,在模拟中GaN沟道层厚度小于5nm时无法形成二维电子气,超过20nm后二维电子气面密度趋于饱和,而AlGaN背势垒厚度超过40nm后二维电子气也有饱和趋势,对均匀掺杂和delta掺杂而言AlGaN背势垒层Si掺杂浓度超过5×10~(19)cm~(-3)后2DEG面密度开始饱和,而厚度为2nmAlN插入层的引入会使2DEG面密度从无AlN插入层时的0.93×10~(13)cm~(-2)提高到1.17×10~(13)cm~(-2)。     

多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析

在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点，制作出多岛结构的单电子晶体管.在77K温度下对源漏特性进行了测试，得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应，观察到较大的库仑阈值电压.对试验数据进行了分析，阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果. 关键词： 单电子晶体管 量子点 库仑阻塞     

原位XPS技术研究碳化铀的表面氧化

采用X射线光电子能谱(XPS)原位分析研究了298 K时烧结UC的清洁表面在O₂气氛中的初始氧化过程. UC试样清洁表面通过氩离子束长时间溅射获取. 初始反应各阶段U4f, O1s和C1s芯能级谱的变化显示样品表面的氧化产物为UO₂和自由碳. 当O₂饱和吸附后, UC表面氧化膜的增长呈抛物线型, 氧透过氧化膜的扩散为UC进一步氧化的速率控制步骤. 定量分析表明, 反应过程中U, C原子均未出现明显的表面偏析.     

UC表层结构的X射线光电子谱研究

UC具备优良的物理性能，可用作核反应堆燃料。但UC在大气中易与氧气和湿气作用而发生腐蚀。块状UC在高温下的氧化行为已采用传统的热重、金相和X射线衍射等分析方法开展过广泛的研究，但这些技术难以提供UC表面氧化物薄层的相关信息。本文旨在运用XPS谱仪结合氩离子蚀刻确定常温时形成在UC表面的大气腐蚀产物并获取UC清洁表面的XPS谱。