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1.
铌酸锂晶体历史悠久,物理效应最为齐全,被用于制备声学滤波器、谐振器、延迟线、电光调制器、电光调Q开关、相位调制器等器件,在电子技术、光通信技术、激光技术等领域得到了广泛应用,并且在第五代无线通信技术、微纳光子学、集成光子学及量子光学等近期快速发展的领域中展示了重要的应用前景.本文简要综述了铌酸锂晶体的基本性质、晶体制备以及应用情况,对铌酸锂晶体未来的应用发展进行了简要分析.  相似文献   
2.
研究了铌酸锂晶体在研磨过程中产生的表面损伤层.首先通过激光共聚焦显微镜观察了研磨后晶体的表面形貌,通过原子力显微镜测试了研磨后晶体表面的粗糙度,分别通过角度抛光法及直接抛光层层去除的方法测量了损伤层的深度.分析了损伤层的组成及影响因素,对优化研磨工艺参数、提高研磨效率具有指导意义.  相似文献   
3.
离子注入对C60薄膜结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用高能离子注入技术系统地研究了不同剂量、不同种类离子注入对C60薄膜结构的影响,并利用Raman光谱对其结构进行分析.结果表明:中等能量的离子注入会影响C60薄膜的结构,使C60分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,但上述现象的出现与注入离子的剂量大小有关,并存在一注量阈值,只有在此阈值之上,C60薄膜结构才发生改变,研究表明这与注入离子同C60分子之间互作用方式有关  相似文献   
4.
以双中心模型为基础,在低光强连续光条件下研究了LiNbO3∶Fe∶Mn晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能。采用数值方法,通过比较双中心模型中深(Mn2+/Mn3+)、浅(Fe2+/Fe3+)能级之间所有可能的电子交换过程,发现由隧穿效应引起的深浅能级之间直接电子交换过程对LiNbO3∶Fe∶Mn晶体总的空间电荷场大小起着决定性的作用。同时,这一电子交换过程对晶体非挥发全息存储性能也起着至关重要的作用。此外,通过相同实验条件下LiNbO3∶Fe∶Mn晶体与近化学比LiNbO3∶Fe晶体总的空间电荷场的比较,显示LiNbO3∶Fe∶Mn晶体在低抽运光和高记录光光强条件下有着比近化学比LiNbO3∶Fe晶体更佳的全息存储性能。  相似文献   
5.
非线性光学效应与光速减慢   总被引:2,自引:0,他引:2  
激光技术的发展为极限光速的测量和应用提供了有效工具。本主要介绍了与光速减慢有关的非线性光学知识和光速减慢的实验原理及方法。光速减慢实验中用到的低温Na原子气在探测激光和耦合激光的共同作用下处于量子相干态--一种非线性极化状态,由于电磁感应透明效应(EIT),探测光可以使介质的折射率改变并能透过Na原子气,使极限光速的测量和应用变为实现。  相似文献   
6.
We report on the implementation of a KTP optical parametric oscillator pumped by a pulsed tunable Ti:sapphire laser. Two major improvements were achieved, including the connection of the signal and idler tuning ranges and the high-output conversion efficiency through the signal and idler tuning ranges. Both in the signal and idler, the continuous output wavelength from 1.261 to 2.532μm was obtained by varying the pump wavelength from 0.7 to 0.98μm. The maximum output pulse energy was 27.2mJ and the maximum conversion efficiency was 35.7% at 1.311μm (signal).  相似文献   
7.
实验研究了在一定条件下LiNbO3:Fe晶体中从自散焦到等效“自聚焦”转换的动态行为 ,提出了出现自聚焦的物理机理为双相位共轭的法布里 珀罗干涉腔中的多光束干涉与光折变效应的共同结果 .该效应有希望在光折变自散焦介质中形成亮空间孤子  相似文献   
8.
测量了Tm∶YVO4 晶体的吸收光谱 ,以 34 6nm、36 3nm(1D2 )、475nm(1G4 )、6 98nm (3 F2 ,3 F3 )和 80 1nm(3 H4 )光激发时的发射光谱 ,以及位于 45 4nm (1D2 → 3 F4 )、475nm (1G4 → 3 H6)、6 46nm (1G4 → 3 F4 )、80 6nm(3 H4 →3 H6)的荧光谱线的激发光谱 ,对测量的结果进行了详细分析 ,解释了离子能级间的跃迁过程。提出了Tm∶YVO4 晶体基质与Tm3 + 之间的能量交换的概念和新的跃迁通道 ,证实了存在1D2 +3 H6→1G4 +3 F4 以及1G4 +3 H6→3 H4 +3 H5的能量传递过程 ,还可能存在交叉弛豫过程 1G4 +3 H6→3 F2 +3 F4 。这些过程使得Tm∶YVO4 晶体难以实现1D2 能级上转换发光 (4 5 4nm左右 ) ,但 475nm的上转换发光 (1G4 →3 H6)较强 ,3 F4 能级是潜在红外激光发射能级。  相似文献   
9.
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/AlAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920hm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。  相似文献   
10.
测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量 子点的辐射寿命在500 ps 至 800 ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的 较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈 依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为 35 ps,纵光学声子发射为主要的 载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程 为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用. 关键词: 亚单层 量子点-量子阱 时间分辨光致发光谱  相似文献   
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