PS-b-P(DMS-stat-VMS)嵌段聚合物的制备及性能

采用活性阴离子聚合方法,以仲丁基锂为引发剂,以苯乙烯、六甲基环三硅氧烷(D3)和2,4,6-三乙烯基-2,4,6-三甲基环三硅氧烷(V3)为反应单体,分步聚合制备了聚苯乙烯-b-聚(二甲基硅氧烷-stat-乙烯基甲基硅氧烷)[PS-b-P(DMS-stat-VMS)]嵌段聚合物.采用傅里叶变换红外光谱、氢核磁共振谱及凝胶渗透色谱对共聚物的化学结构、分子量及分子量分布进行了表征,并通过扫描电子显微镜、原子力显微镜及接触角等测试方法研究了共聚物各链段组分对共聚物形貌及表面亲疏水/油性的影响.结果表明,所制备的共聚物分子量分布较窄,由于各组分性能的差异而呈现出微相分离结构,同时该共聚物保留了PS-b-PDMS原有的表面性质,为设计结构多样性及性能优异的聚硅氧烷共聚物提供了新思路.     

EPM-g-GMA接枝率的测定及其增韧PBT的力学性能和形态结构研究

在同向双螺杆挤出机中通过熔融接枝反应制备了EPM g GMA ,将其与PBT在转矩流变仪中熔融共混可以获得增韧的PBT工程塑料 .实验中EPM g GMA接枝率的测定采用红外工作曲线法 ,选用CCl4 做溶剂以避免溶剂对样品吸收峰的干扰 .随着EPM g GMA接枝率的增加 ,PBT EPM g GMA的缺口冲击强度相应提高 ,共混物中EPM g GMA的粒径尺寸减小 ,当EPM g GMA的接枝率为 4 7mL 1 0 0gEPM时 ,EPM g GMA的粒径尺寸可达 0 5 μm ,PBT EPM g GMA的缺口冲击强度达到 5 1 6kJ m2 ,是纯PBT的 3 1倍     

柔性高储能P(VDF-CTFE)/PA11-g-GMA聚合膜的制备与性能研究

采用反应增容及等温拉伸技术制备了柔性高储能P(VDF-CTFE)/PA11-g-GMA聚合物薄膜.通过XRD、SEM以及电性能测试分析了聚合物薄膜的微观结构与介电性能.结果表明,经GMA接枝改性后的P(VDF-CTFE)/PA11-g-GMA聚合物薄膜两相相容性增加;经外力拉伸后,P(VDF-CTFE)/PA11-g-GMA的分子链在外力作用下被强制解缠,极性基团在外场作用下取向程度增大,增加了结晶结构中β相的含量,有效提高了s-P(VDF-CTFE)/PA11-g-GMA聚合膜的介电性能和储能密度;同时,由于外力协同分子链的运动,聚合物链段运动能力也增大,经过增容改性的聚合物薄膜介电损耗下降.因此制备了一类高储能、低损耗的柔性聚合物薄膜,耐压强度达到275 MV/m,储能密度可达8.09 J/cm3,为轻质、柔性、小型功能器件的发展奠定了基础.     

磁性荧光纳米材料的制备与性能

采用表面活性剂3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)修饰Fe3O4磁性纳米粒子,经质子化后,Fe3O4磁性纳米粒子表面披覆大量的正电荷,与表面带负电荷的巯基丙酸(MPA)修饰的核壳CdSe/CdS/ZnS量子点(QDs)通过强烈的静电作用而发生组装,得到兼具磁性和荧光性能的磁性荧光纳米材料.利用透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线衍射仪(XRD)、荧光分光光度计和振动样品磁强计(VSM)等测试手段对磁性荧光纳米材料进行表征.研究表明,由两种粒子组装的核壳结构复合粒子拥有良好的磁性能和荧光性能.