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研究了锇-锗单键双金属配合物[OsGe(ArTrip)(PPh3)(H)Cl2] (1)的反应性,其中ArTrip=C6H3-2-(η6-Trip)-6-Trip,Trip=2,4, 6-iPr3-C6H3。通过与不同试剂反应,成功合成并表征了3个新型锇-锗双金属配合物。通过配合物1与EtMgBr反应合成了锗原子上氯原子被溴原子取代的产物[OsGe(ArTrip)(PPh3)(H)Br2] (2);1与LiHBEt3反应合成了锗原子上氯原子被乙基取代的产物[OsGe(ArTrip)(PPh3)(H)Et2] (3);1与HBF4作用合成了加成产物[OsGe(ArTrip)(PPh3)(H)2Cl2]BF4 (4)。配合物4不稳定,在H2O (nH2O/n4=1)作用下能转化为配合物1。 相似文献
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为了研究V形反应装甲中线上不同弹着点位置对射流干扰的影响,利用三维有限元程序(LS-DYNA)对V形反应装甲靶板的射流侵彻过程进行模拟,并通过实验进行对比分析。结果表明,数值模拟结果与实验结果符合较好。弹着点不同时,V形反应装甲靶板对射流的干扰效果有明显差别,并且随着弹着点与底端距离的增大,射流在后效靶板上的侵彻深度呈先减小后增大的趋势;当弹着点距顶端6.25倍射流直径时,射流在后效靶板上的侵彻深度最小,该点的防护能力最优;顶端的防护能力优于底端。 相似文献
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钌-锗化合物(PPh3)(X)RuGeCl2Ar Trip (X=H,1;Cl,2;Ar Trip=C6H3-2-(η6-Trip)-6-Trip,Trip=2,4,6-iPr3-C6H3)与有机试剂如格氏试剂、LiHBEt3以及萘钠反应实现了锗和钌原子上的取代基团的调控.化合物1与格氏试剂EtMgBr在不同的温度下反应,分别生成(PPh3)HRu Ge Br2ArTrip (3)和(PPh3)HRuGeEt2ArTrip (4).化合物1和LiHBEt3反应也生成化合物4,在该反应中LiHBEt3作为乙基转移试剂而不是氢化试剂.此外,化合物1与HBF4反应生成离子型化合物[(PPh3)H 相似文献
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研究了锇-锗单键双金属配合物[OsGe(ArTrip)(PPh3)(H) Cl2] (1)的反应性, 其中 ArTrip=C6H3-2-(η6-Trip)-6-Trip, Trip=2, 4,6-iPr3-C6H3。通过与不同试剂反应, 成功合成并表征了 3个新型锇-锗双金属配合物。通过配合物 1与 EtMgBr反应合成了锗原子上氯原子被溴原子取代的产物[OsGe(ArTrip)(PPh3)(H)Br2] (2); 1 与 LiHBEt3反应合成了锗原子上氯原子被乙基取代的产物[OsGe(ArTrip)(PPh3)(H) Et2] (3); 1 与 HBF4 作用合成了加成产物[OsGe(ArTrip)(PPh3)(H)2Cl2]BF4 (4)。配合物 4 不稳定, 在 H2O(nH2O/n4=1)作用下能转化为配合物 1。 相似文献
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运用LS-DYNA有限元程序模拟了不同横向飞行速度(150、200、300、400、500m/s)和侵彻角度(30°、45°、60°)情况下聚能战斗部对披挂反应装甲后效靶板的侵彻过程,讨论了射流所受干扰情况及其对后效靶板的侵彻结果。研究结果表明:当侵彻角度一定时,射流对靶板表面的切割长度随速度的增大而增大,且在侵彻角度为30°时增大速率最快;但射流侵彻深度随速度的增大而减小,且在侵彻角度为60°时减小速率最慢。当飞行速度一定时,射流对靶板表面的切割长度和侵彻深度均随侵彻角度的增大而减小,且表面切割长度降幅随速度的增大呈先增大后减小的趋势,在速度为300m/s时,降幅最大,为59.6%;而侵彻深度降幅随速度的增大呈先减小后增大的趋势,在速度为350m/s时,降幅最小,为39.3%。最后通过理论方法分析了数值模拟结果,论证了数值模拟方法的正确性。 相似文献
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研究多色打印机的光谱特征化,提出了一种基于降维的光谱特征化模型,保证了多色打印机颜色转换的精度,同时也提高了特征化的运行效率。该模型结合颜色分区理论和LabPQR非线性降维方法,首先将高维光谱数据降低至LabPQR六维空间中,然后通过胞元搜索算法查找目标颜色所属的胞元空间,最后利用反向四面体插值算法对目标的LabPQR值进行计算,得到打印机最终的通道信号输出值。检测颜色样本的实验数据表明,正向模型和反向模型的平均色差达到0.714和1.016NBS,模型的运行时间为2.03和9.05s。新算法能够实现多色打印机光谱数据与通道信号值间的准确转换。 相似文献
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