金属阻尼性能测试方法的现状与发展

阻尼金属正成为减振降噪的首选方案之一，而阻尼性能测试结果可比性差已经成为制约高阻尼金属材料发展的一个“瓶颈”问题。由于自由衰减速率，共振峰宽度和应力一应变相位差都能够反映金属材料的阻尼性能高低，阻尼测试方法较多。本文论述了表征金属材料阻尼性能的物理量，并分析了由于设备，测试方法和试验参数不同可能引入的系统误差。介绍了弯曲共振装置，扭摆仪和DNFFA动态热机械分析仪等三种主要测试设备的原理和特点。文中还对测试设备和方法存在的系统误差，阻尼性能参数之间的换算以及金属材料阻尼性能的综合评价等若干问题进行了探讨，并对进一步完善和规范金属阻尼性能测试方法提出了建议。     

Ag/Fe_3O_4/rGO纳米复合材料的制备及抗菌性能

以四水合氯化亚铁和硝酸银为原料,硼氢化钠为还原剂,氧化石墨烯(GO)为载体,通过原位还原法制备了具有磁分离功能的银/四氧化三铁/还原氧化石墨烯(Ag/Fe_3O_4/rGO)纳米复合抗菌材料.采用X射线粉末衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微镜(TEM)等对复合材料进行了表征.结果显示,Fe_3O_4和Ag纳米颗粒均匀分布在rGO片层上.复合材料的饱和磁化率(Ms)为40.5 A·m~2·kg·(-1),表明其具有较强的磁性,将其与菌液混合后,在磁场作用下10 min即可吸附沉降完成磁分离.以大肠杆菌(E.coli)和金黄色葡萄球菌(S.aureus)为实验菌株,通过琼脂扩散法评价了复合材料的抗菌性能.结果表明,该复合材料具有良好的抗菌效果,对E.coli和S.aureus的抑菌圈直径分别为18 mm和13 mm,最低抑菌浓度值(MIC)分别为50 mg/L和80 mg/L,最低杀菌浓度值(MBC)分别为30 mg/L和50 mg/L.     

Co[(C6H11O)2PS2]2·2Py的合成和晶体结构

二烃基二硫代磷酸酯及其过渡金属配合物能阻止烃类自动氧化,是一种很重要的抗氧、抗磨广泛应用于石油的添加剂、高分子材料的稳定剂和人造橡胶的硫化促进剂[1,2].在生物学上也具有十分重要的地位,具有杀虫、抗菌、抗癌和抑制酶水解等特性[3].因此,对该领域的研究也十分活跃.对二烃基二硫代磷酸酯合过渡金属配合物及其加合物的研究,游效曾等已作过多次报导[4-16].     

石墨烯/银复合薄膜的制备及表征

采用静电自组装技术,通过交替沉积聚(二烯丙基二甲基氯化铵)(PDDA)(或硝酸银)和氧化石墨烯,制备氧化石墨烯/PDDA薄膜和氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜。然后在600℃下通入氩气和氢气进行气氛还原得到石墨烯薄膜和石墨烯/银复合薄膜。采用AFM、SEM、XPS、UV-Vis以及四探针电阻仪等对薄膜结构及性质进行表征。结果表明,通过静电自组装法可以获得生长均匀的薄膜。对比于相同自组装次数的石墨烯薄膜,石墨烯/银复合薄膜具有更好的透光性和更低的薄膜方块电阻。在λ=500 nm时,四层石墨烯/银复合薄膜的透过率为85%左右,而石墨烯薄膜的透过率为72%左右;石墨烯薄膜的方阻为161.39 kΩ.□-1,而石墨烯/银复合薄膜的方阻为99.11 kΩ.□-1。     

μ-PD法蓝宝石纤维晶体生长中传热传质的数值模拟

在μ-PD法纤维蓝宝石单晶生长中,利用Comsol软件数值分析了陶瓷管开裂现象、熔体对流和磁场分布.结果表明,试验中陶瓷管保温层总是在距底部0.03 m处断裂,数值模拟发现该处为温度和Von Mises应力最高点位置,验证了数值模拟的准确性;适当增大陶瓷管保温层厚度有利于降低陶瓷管温度,从而降低其开裂概率;熔体对流中Marangoni对流占主导,浮力对流可忽略;磁场分布能够满足μ-PD法蓝宝石晶体生长需求,“趋肤效应”使最高温度位于铱坩埚最上端.     

不同驱动力对Cz硅生长中熔体对流影响的数值模拟研究

为了确定Cz单晶硅生长各种驱动力对熔体对流及固/液界面形状的影响,利用CGSim软件,对典型的Cz单晶硅生长中的熔体对流进行数值模拟.研究了重力、表面张力、平流力、晶转、埚转和氩气剪切力等各种驱动力的大小对熔体对流涡胞、涡胞强度、界面形状、温度分布的影响.结果表明:各种驱动力对熔体对流的影响大小依次为:浮力＞表面张力＞晶转力＞氩气剪切力＞埚转力＞平流力;浮力和表面张力使熔体产生一沿坩埚壁上升、从固/液界面附近下降的涡胞,晶转力和氩气剪切力使熔体产生与前面反方向的涡胞,而埚转力产生多个不同流向的对流涡胞,使熔体混合更加均匀,熔体凝固引起的平流力对熔体对流影响不大;增大埚转,熔体中涡胞数量更多、对流换热更充分、温度梯度更小、熔体内的最高温度更低,有利于减少石英坩埚氧的熔解,但界面更向下凹;增大晶转,熔体内的最高温度无明显变化;固定埚转Ωc=-10 r/min,晶转存在一临界值Ωs(C)=60～ 80 r/min,当Ωs＜Ωs(C)时,增大晶转,固/液界面更向上凹,当Ωs＞Ωs(C)时,增大晶转,固/液界面更向下凹.     

Stacking fault energy of cryogenic austenitic steels

Stacking fault energy and stacking fault nucleation energy are defined in terms of the physical nature of stacking faults and stacking fault energy, and the measuring basis for stacking fault energy. Large quantities of experimental results are processed with the aid of a computer and an expression for calculating stacking fault energy has been obtained as γ³⁰⁰_SF(mJ·m^-2)=γ⁰_SF+1.59Ni-1.34Mn+0.06Mn²-1.75Cr+0.01Cr²+15.21Mo-5.59Si-60.69(C+1.2N)^1/2 + 26.27(C+1.2N)(Cr+Mn+Mo)^1/2+0.61[Ni·(Cr+Mn)]^1/2.     

三明治结构纳米银/氧化石墨烯基底的制备及SERS性能

采用易操作且低成本的静电自组装方法, 在质子化的玻璃基片上, 通过交替沉积氧化石墨烯(GO) 和带正电荷的银纳米粒子(AgNPs) 获得少数层GO和AgNPs复合薄膜(AgNPs/GO). 采用紫外-可见光吸收光谱、 原子力显微镜和扫描电子显微镜对复合薄膜的生长和表面形貌进行了表征. 结果表明, 通过调控AgNPs 溶胶浓度和自组装循环次数, 可以获得AgNPs/GO/AgNPs 的三明治结构, 并在基底表面形成均匀的AgNPs 聚集体. 表面增强拉曼散射(SERS)研究结果表明, AgNPs/GO-4基底具有最佳的SERS性能, 其对罗丹明6G(R6G) 和结晶紫的平均拉曼增强因子分别为3.4×10⁸和1.3×10⁹, 对R6G的最低检测浓度约为10^-12 mol/L. 多层三明治结构和较小颗粒间距使得AgNPs层之间产生强烈的耦合作用, 并在GO片层间产生大量的“热点”, 显著提高SERS性能, 而少数层GO具有强吸附性, 有利于分子在基底中富集, 从而起到化学增强作用, 提高SERS灵敏度.     

氮掺杂泡沫碳电催化剂的制备及氧还原性能

利用水解乙烯基咪唑鎓硝酸盐（[Hvim]NO₃）作为发泡剂和一次氮源,在碳化过程中实现材料自发泡。创造性地引入二次氮源三聚氰胺（C₃H₆N₆）,通过调控一次、二次氮源比例和碳化温度,制备得到氮掺杂泡沫碳材料（HxMy-T,其中x：y为一次和二次氮源的质量比,T对应不同的碳化温度）。该方法提升了催化剂的氮掺杂含量,构建了更多有利于氧还原反应（ORR）的活性氮位点。电镜结果显示,催化剂H1M1-1000呈现出典型的泡沫碳孔洞结构和丰富的层状褶皱结构;X射线光电子能谱测试结果表明,该样品具有较高的活性氮含量（原子分数6.77%）,吡啶氮和石墨氮的原子分数分别高达22.23%和55.59%;电化学测试结果表明,该样品在碱性环境中的半波电位为0.834 V（vs RHE）,与商业Pt/C相当,且具有优于商业Pt/C的抗甲醇性能和稳定性。     

Co[(C6H11O)2PS2]2·2Py的合成和晶体结构

Oxidation process of Co[(C₆H₁₁O)₂PS₂]₂ and substitute-reduction reaction of Co[(C₆H₁₁O)₂PS₂]₃ with pyridine have been studied by spectrophotometric methods, respectively. The equilibrium constant was found to be K=0.63±0.02(mol·dm^-3)^-3. The crystal structure of Co[(C₆H₁₁O)₂PS₂]₂·2Py has been determined by X-ray diff- raction method. The crystal belongs to triclinic system, space group P1, with cell parameters: a=6.944(2)?,b=9.277(3)?,c=15.981(6)?,α=91.79(3)°,β=99.55(3)°,γ=94.44(3)°,V=1011.2(6)?³,Z=2,M_r=803.94,D_c=1.320Mg·m^-3,F(000)=425,μ=0.747mm^-1,final R=0.0700 and wR=0.1988 for 3626 re-flections with I≥2σ(I). The cobalt atom in the title complex has a octahedral geometry with four Co-S bonds and two Co-N bonds. The central atom P is tetrahedrally surrounded by two sulphur atoms and two oxygen atoms in the dicyclohexyldithiophosphate ligand. The six carbon atoms of cyclohexyl take the chair conformation.