次澳酸氧化葡萄糖反应动力学研究

使用分光光度法在近 中性介质 中对 H O Br氧化葡萄糖的反 应动力学进行了研究.结果表明,该 反 应对葡萄糖和 H O Br 都是一级,反 应有 负盐 效应,并 随 Br一浓 度的增 加,反 应速度 减慢.本文还提出 了可能的反 应机理.     

纳米碳管的电化学贮锂性能

用透射电镜、高分辨透射电镜、X射线衍射和拉曼光谱表征了用催化热解法制备的纳米碳管的结构,研究了纳米碳管的电化学嵌脱锂性能。以纳米级铁粉为催化剂热解乙炔气得到的纳米碳管石墨化程度较低,结构中存在褶皱的石墨层、乱层石墨和微孔等缺陷,具有国交高的贮锂容量,初始容量为640mAh/g,但循环稳定性较差。而以纳米级氧化铁粉为催化剂热解乙烯得到的纳米碳管结构比较规则,循环稳定性较好,但贮锂容量较低,初始容量为282mAh/g。讨论了纳米碳管的结构对其温度特性和不同电流密度下的充放电容易的影响。     

一种节状纳米碳纤维的CVD生长

介绍了以发泡Ni为催化剂、用CVD法生长节状纳米碳纤维的工艺过程,讨论了工艺参数对生成样品的产率和形貌的影响,同时还探讨了该样品的生长机理。认为催化剂的不同晶面分别有利于烃类气体的吸附解离或碳的沉积,因此催化剂颗粒的原始形貌影响了不同开貌的碳纤维生长。     

第一性原理计算研究立方氮化硼空位的电学和光学特性

对立方氮化硼的空位进行了基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法的研究. 通过对总能量、能带结构、态密度及电子密度分布图的分析发现, B空位相比起N空位更加稳定. 并且空位仅影响最近邻原子的电子分布, 空位浓度的增加使禁带宽度逐渐变窄. 从复介电函数和光学吸收谱分析中发现, 随着空位浓度的增加, 立方氮化硼在深紫外区的吸收逐渐减弱. 并且B空位还导致在可见光区域出现明显的吸收带. 关键词： 立方氮化硼 空位 第一性原理 电光学特性     

TiO2纳米管阵列负载MnOx复合催化剂的脱硝性能

研究了TiO2纳米管阵列负载的MnOx复合物选择性催化还原NOx的性能.结果显示,在150～250℃下该催化剂脱除NOx的效率达90%以上(200℃下为99%以上),表现出优异的中低温脱硝性能.当反应温度更高时,有可能使反应进入努森扩散控制状态,从而在一定程度上抑制了催化反应的进行.     

一种生长巴基洋葱的新方法—射频CVD法

在用射频ＣＶＤ法沉积碳的实验中，发现有较多量碳巴基洋葱生成。电镜观察表明，该方法只生成碳巴基洋葱，并无碳纳米管等们随生成，因而制得的巴其洋葱纯度较高。为制取纯净的碳巴基洋葱提供了一种可能的新途径。讨论了射频ＣＶＤ法中碳巴基洋葱的可能生长机理。认为在等离子作用下使甲烷的部分氢原子解离生成碳氢自由基，在催化剂的作下，生成的碳烯为了消除碳悬键而卷曲，而碳氢自由基则在表面不断沉积生长成碳巴基洋葱。     

立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制

在立方氮化硼薄膜气相生长过程中生成的无定形初期层和乱层结构氮化硼中间层，一直是阻碍立方氮化硼薄膜外延生长的主要原因.系统地分析了硅衬底预处理对立方氮化硼薄膜中无定形初期层成分的影响，发现在等离子体化学气相生长法制备薄膜时，硅衬底上形成无定形初期层的可能原因有氧的存在、离子轰击以及高温下硅的氮化物的形成.在H₂气氛中1200K热处理硅衬底可以有效地减少真空室中残留氧浓度，除去硅表面的自然氧化层，保持硅衬底表面晶体结构.控制衬底温度不超过900 K，就能防止硅的氮化物的形成，成功地除去无 关键词： 立方氮化硼薄膜 等离子体化学气相生长 界面 电子显微镜     

机械球磨对石墨结构的影响

对石墨进行了150h机械球磨,发现石墨原有的晶体结构被破坏,引入各种晶格缺陷的同时,生成了巴基洋葱、三脚架形碳纳米结构和纳米弓形等具有高度弯曲石墨面的碳纳米结构材料.还研究了其结构特征,并讨论了其形成机理 关键词：     

一种节状纳米碳纤维的CVD生长

介绍了以发泡Ｎｉ为催化剂、用ＣＶＤ法生长节状纳米碳纤维的工艺过程,讨论了工艺参数对生成榈的产率和形貌的影响,同时还探讨了该样品的生长机理,认为催化剂的不同晶面分别有利于烃类气体的吸附解离或碳的沉积,因此催化剂颗粒的原始形貌影响了不同形貌的碳纤维生长。     

射频等离子体辅助化学气相沉积方法生长碳纳米洋葱

用射频等离子体辅助化学气相沉积方法生长碳纳米洋葱.电子显微镜观察表明,产物中无碳纳米管等伴随生成,因而制得了较高产率、较高纯度的纳米洋葱.尤其是Co-SiO₂催化剂生长的碳纳米洋葱,实心、光滑,且内无催化剂颗粒,其外层由未闭合的、呈波浪状的石墨片构成,显示出与众不同的微观结构和性能.提出了该方法中碳纳米洋葱的生长机理为碳笼由里向外嵌套形成球形粒子.对波浪状、非闭合结构的形成过程进行了讨论. 关键词： 射频等离子体 化学气相沉积 碳纳米洋葱