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本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。 相似文献
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以Zn粉为原料,在CuE(E=S, Se)微米球的辅助下,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上成功制备出微米级ZnE(E=S, Se)网状晶须.用XRD,EDS,SEM和PL谱分别对产物的结构、成分、形貌和结晶质量进行了测试和分析.结果表明:生长的ZnS和ZnSe微米晶须均为立方闪锌矿结构,长度达300 μm以上,具有接近理想化学计量比的成分和较高的结晶质量.ZnE微米晶须的生长符合氧化还原反应下的气-液-固生长机制,Cu3Zn合金充当了实际的微米晶须生长催化剂,在晶须生长过程中Cu3Zn合金汇聚在一起使ZnE微米晶须形成交叉网状结构. 相似文献
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开放体系优化ZnSe多晶原料化学计量比 总被引:1,自引:1,他引:0
本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯.以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500 ℃、550 ℃和800 ℃.能谱分析(EDS)和热重图谱(TG)结果表明:800 ℃处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比与理想化学计量比非常接近,而且升华开始温度提高到了850 ℃以上.运用化学气相输运(CVT)法进行晶体生长结果进一步表明,以800 ℃处理后的ZnSe多晶为原料时,消除了单质Se在生长区沉积对晶体成核生长的影响,达到了CVT法晶体生长对原料的要求.此外,以混合气体(H210;+Ar 90;)作为保护气时,在同等条件下处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比更加接近理想化学计量比,较氩气保护下的处理效果要好. 相似文献
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L-苏糖酸作为金属离子的载体 ,可使金属离子易与氨基酸或蛋白质结合而被动物吸收和利用 [1] 。镍是人体必需微量元素之一 ,它参与金属特异酶的各种功能 ,形成活性中心 ,通过形成络合物参与底物与酶的结合 ,通过抑制或促进其它金属元素的作用控制酶活性。目前已知镍有促进红细胞的再生 ,刺激生血机能作用 ,它还可能是胰岛素分子中的辅酶成分 ,与增强胰岛素效应、降低血糖水平有关 [2 ]。因此 ,研究镍 ( )与 L -苏糖酸的化合作用很有必要。文献 [3,4]报道了 Fe2 +、Zn2 +、K+、Na+、Mg2 +和 Cr3+与L-苏糖酸所形成的化合物的制备方法。而… 相似文献
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在水-丙酮溶液中制备了Zn(Leu)SO4·0.5H2O的配合物。通过热重和红外分析,研究了它的热分解机理,可分为三步完成。第一阶段配合物的脱水过程在60~180℃,形成Zn(Leu)SO4,第二阶段,Zn(Leu)SO4进一步分解为Zn(Leu)SO4·9ZnSO4,随后其在728℃完全分解为ZnO。在不同线性升温5.0,10.0,15.0,20.0K·min-1条件下,用两种积分法和三种微分法研究了题目化合物失去配体过程的非等温动力学,相应过程的表观活化能E为133.78kJ·mol-1,指前因子A为108.19s-1,配体失去过程为三维扩散机理控制,并建立了反应过程的动力学方程。 相似文献
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在水-丙酮溶液中制备了zn(Leu)SO4@0.5H2O的配合物.通过热重和红外分析,研究了它的热分解机理,可分为三步完成.第一阶段配合物的脱水过程在60-180℃,形成Zn(Leu)S04,第二阶段,Zn(Leu)SO4进一步分解为Zn(Leu)SO4@9ZnSO4,随后其在728℃完全分解为ZnO.在不同线性升温5.O,10.0,15.0,20.OK@min-1条件下,用两种积分法和三种微分法研究了题目化合物失去配体过程的非等温动力学,相应过程的表观活化能E为133.78KJ@mol-1,指前因子A为1O8.19s-1,配体失去过程为三维扩散机理控制,并建立了反应过程的动力学方程. 相似文献
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