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1.
砷化锗镉(CdGeAs2)晶体是一种重要的中远红外波段非线性光学晶体,非线性光学系数高达236pm/V[1]。此外,晶体的透光波段宽(2.4~18μm)[2],双折射率适中(ne-no=0.1)·K)[3],具有广泛的应用前景。本文采用单温区法合成了CdGeAs2多晶原料。采用可视温梯冷凝法生长了大尺寸,低吸收系  相似文献   
2.
前期采用环境友好方法制备的改性碳化硅颗粒,经较长时间放置,发现其由亲水性转变为超疏水性,接触角为156°。为解释这一新的现象,采用扫描电子显微镜、能谱、(高分辨)透射电子显微镜、X射线光电子能谱(XPS)对原粉碳化硅、改性后碳化硅及久置碳化硅进行了测试与分析。结果显示:改性后碳化硅经较长时间放置,表面胞状颗粒增大并出现凸起物,粗糙度增加,存在类似于荷叶的微纳米结构。改性后颗粒的主要成分为Ni、Si、O,其中凸起处Ni、O元素的含量明显高于凹陷处。Ni颗粒表面出现清晰的膜层,膜层厚度为2~3 nm,但结晶度偏低。XPS测试结果显示金属镍的特征峰正向移动近4eV,与镍的氧化态特征峰相一致,从而解释了颗粒表面形态发生细小改变,自发形成超疏水膜层的机理。  相似文献   
3.
黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势。长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂。砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的。本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收。  相似文献   
4.
前期采用环境友好方法制备的改性碳化硅颗粒,经较长时间放置,发现其由亲水性转变为超疏水性,接触角为156°。为解释这一新的现象,采用扫描电子显微镜、能谱、(高分辨)透射电子显微镜、X射线光电子能谱(XPS)对原粉碳化硅、改性后碳化硅及久置碳化硅进行了测试与分析。结果显示:改性后碳化硅经较长时间放置,表面胞状颗粒增大并出现凸起物,粗糙度增加,存在类似于荷叶的微纳米结构。改性后颗粒的主要成分为Ni、Si、O,其中凸起处Ni、O元素的含量明显高于凹陷处。Ni颗粒表面出现清晰的膜层,膜层厚度为2~3 nm,但结晶度偏低。XPS测试结果显示金属镍的特征峰正向移动近4 eV,与镍的氧化态特征峰相一致,从而解释了颗粒表面形态发生细小改变,自发形成超疏水膜层的机理。  相似文献   
5.
设计并合成了吡啶二亚胺金属铜(Ⅱ)配合物,其结构经元素分析和荧光光谱表征.配合物在室温、二氯甲烷溶液中呈现蓝色荧光,其λmax=486 nm.  相似文献   
6.
针对风洞试验装备健康管理面临的实际问题,基于层次分析法(AHP)确定装备全寿命过程中影响装备健康的因素体系,并计算各类因素所占的权重,建立了量化评价模型和反馈修正方法,并给出了该方法在风洞试验装备健康管理工作中的实际应用流程。  相似文献   
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