新型含氟耐高温聚吡咙--合成与性能研究

通过改进的Chichibabin反应合成了主链含有吡啶单元的新型含氟四胺单体 ,2 ,6 双 (3′ ,4′ 二氨基苯基 ) 4 (3″ ,5″ 双三氟甲苯基 )吡啶 (6FPA) .利用 6FPA与芳香族二酐单体 3,3′ ,4 ,4′ 二苯醚四羧酸二酐 (ODPA)通过两步热环化工艺制备了新型聚吡咙 (Polypyrrolone ,PPy)化合物 .对其所进行的各种性能测试结果表明 ,这种主链含有刚性吡啶结构、侧链带有含氟取代基的芳杂环高分子材料不仅保持了其固有的耐热性能 ,而且具有优良的成膜性能与耐水解性能 .例如其起始热分解温度为 5 5 8℃ ,失重 10 %温度为 5 91℃ ,72 0℃时的残余重量百分数为 6 8% ,玻璃化转变温度为 318℃ .PPy薄膜在 10 %NaOH水溶液中水解 7天仍具有良好的耐热性能与柔韧性 .     

含氟聚酰亚胺及其在微电子工业中的研究进展Ⅰ含氟单体及聚酰亚胺的合成

综述了近年来国内外在含氟聚酰亚胺(PI)研究及应用领域中的最新进展情况.主要从含氟二胺单体、二酐单体及含氟聚酰亚胺在合成方面的研究进展情况进行了详细的综述.重点阐述了中国科学院化学研究所305组近几年在这方面的研究进展情况,并指出为了推动含氟聚酰亚胺这类具有优良综合性能的功能材料在工业上的广泛应用,就必须首先解决含氟单体种类较少这个制约含氟聚酰亚胺发展的瓶颈问题.     

含氟芳杂环高分子及其在微电子工业中的研究进展

综述了近年来国内外在含氟芳杂环高分子方面的研究及应用进展情况。主要介绍了含氟聚苯并睬咪唑(PBI)、聚苯并喏唑(PBO)、聚芳醚(PAE)及其衍生物等材料。从含氟单体的合成、聚合物的合成及其应用等几个方面进行了阐述。     

Sr_2Si_5N_(8-δ)C_x:Eu~(2+)碳氮化物荧光粉的制备及发光性能研究

采用高温固相法成功制备了Sr_2Si_5N_(8-δ)C_x:Eu~(2+)碳氮化物荧光粉,并研究了Si-C替代Si-N对晶体结构和发光性能的影响。XRD结果表明,部分Si-C替代Si-N并未改变荧光粉的晶体结构,C4-替代N3-最大掺杂量不超过x=1.2。荧光光谱结果表明,荧光粉的激发和发射光谱并未随着x值增加而发生偏移,意味着Si-C替代Si-N对Eu2+周围晶体场环境影响较小;当x=0.3时,荧光粉的发光强度达到最大,随着x值进一步增大,样品结晶性变差,导致其发光强度降低。荧光粉热猝灭性能结果表明,适量的Si-C替代Si-N能够提升样品的热猝灭性能;热猝灭性能提升机制主要采用离子半径错配模型进行解释。     

添加Y_2O_3对TiN-Sialon-Al_2O_3复相材料的制备与冲蚀磨损性能的影响

采用铝热还原氮化法原位制备了TiN-Sialon-Al_2O_3复相材料,探讨了Y_2O_3添加量对TiN-Sialon-Al_2O_3复相材料的物相组成、微观结构和固体粒子冲蚀磨损性能的影响。结果表明:添加Y_2O_3能够显著提高TiN-Sialon-Al_2O_3复相材料的抗折强度。Y_2O_3在高温下形成Y-Si-Al-TiO-N低共融相,起到弥合气孔及愈合裂纹的作用,促进了复相材料的烧结致密。Y_2O_3添加量5%时,材料在室温和1400℃下的冲蚀磨损性能最好,体积冲蚀磨损率最小分别为1.99和0.65 mm~3·g~(-1)。添加Y_2O_3后形成的Y-Si-Al-Ti-O-N玻璃相1400℃下发生软化并产生塑性,减弱了材料受到的磨削和切削作用,提高了TiN-Sialon-Al_2O_3复相材料的冲蚀磨损性能。     

含氟聚酰亚胺及其在微电子工业中的研究进展I含氟单体及聚酰亚胺的合成

综述了近年来国内外在含氟聚酰亚胺(PI)研究及应用领域中的最新进展情况。主要从含氟二胺单体、二酐单体及含氟聚酰亚胺在合成方面的研究进展情况进行了详细的综述。重点阐述了中国科学院化学研究所305组近几年在这方面的研究进展情况，并指出为了推动含氟聚酰亚胺这类具有优良综合性能的功能材料在工业上的广泛应用，就必须首先解决含氟单体种类较少这个制约含氟聚酰亚胺发展的瓶颈问题。     

含氟聚酰亚胺及其在微电子工业中的研究进展Ⅱ含氟聚酰亚胺在微电子工业中的应用

综述了近年来国内外在含氟聚酰亚胺(PI)研究及应用领域中的最新进展情况。主要从现代微电子工业对相关材料的性能要求、标准型聚酰亚胺材料所面临的挑战以及新型含氟聚酰亚胺在微电子工业中的应用等几个方面进行了详细的综述。重点阐述了中国科学院化学研究所305组近几年在这方面的研究进展情况。并指出为了推动我国微电子工业的发展，研制开发低成本、高技术含量的含氟聚酰亚胺材料具有十分重要的现实意义．