镍的14MeV中子反应分截面测量

用活化法测量了⁵⁸Ni(n,2n)⁵⁷Ni反应截面和⁵⁸Ni(n,p)^58mCo,⁵⁸Ni(n,p)^58gCo,⁵⁸Ni(n,p)^58m+gCo反应分截面,入射中子能量为14.10MeV和14.62MeV,所得结果与已有数据作了比较,首次给出了^58mCo和^58gCo产生分截面的数据.     

浮栅ROM器件辐射效应机理分析

分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和⁶⁰Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词： FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">⁶⁰Co γ 总剂量效应     

浮栅ROM器件的辐射效应实验研究

浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明，其31.9MeV质子和14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应，而是一种总剂量效应。浮栅ROM器件的^60Coγ辐照实验验证了这一点，器件出现错误有个注量或剂量阈值。动态监测和静态加电的器件都出现数据错误，且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高注量的质子或中子或更高剂量的γ辐照下未出现错误，器件刚开始出错时，错误数及错误地址都是不确定的。     

永磁体辅助下单畴GdBCO超导体和永磁体之间的磁悬浮力研究

通过对永磁体辅助下单畴GdBCO超导体和圆柱形永磁体在液氮温度、零场冷、轴对称情况下磁悬浮力的测量,研究了两种不同组态下辅助永磁体对超导体磁悬浮力特性的影响.实验结果表明,当长方体辅助永磁体水平磁化、且磁极N指向超导体时,超导体的最大磁悬浮力从没有引入辅助永磁体的29.8 N增加到61.5 N,增加为没有引入辅助永磁体时的206%.当长方体辅助永磁体的N极与圆柱形永磁体的N极反平行时,超导体的最大磁悬浮力从没有引入辅助永磁体的29.8 N减小到19.6 N,减小为无辅助永磁体时的65.8%.这些研究结果说明,通过科学合理地设计超导体和永磁体的组合方式,能有效地提高超导体的磁悬浮力.该研究结果对促进超导体的应用具有重要的指导意义. 关键词： 单畴GdBCO 永磁体 磁悬浮力     

用一种新的装配方式制备单畴GdBCO超导块材

在顶部籽晶熔渗生长工艺(TSIG)的基础上,采用一种新的装配方式制备单畴Gd-Ba-Cu-O(GdBCO)超导块材,并对所得样品的形貌、微观结构以及超导性能进行了研究.结果表明,应用新的装配方式可以提高液相源块的支撑能力,有效避免样品在热处理过程中的倾斜或坍塌现象,从而提高了样品制备过程的稳定性和可重复性.此外,应用新的装配方式还有助于GdBCO样品的完整生长. 关键词： 熔渗生长 新的装配方式 GdBCO     

Co掺杂的OMS-2纳米纤维的合成研究

以KMnO4、MnSO4、Co (NO3)2?6H2O和HNO3为反应原料,采用水热法合成了一系列掺杂过渡金属Co的氧化锰八面体分子筛(OMS-2),采用X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),傅里叶红外光谱(FT-IR),低温氮气物理吸脱附和H2程序升温还原(H2-TPR)对样品进行了表征,研究了Co的掺杂对OMS-2分子筛的结构、形貌和氧化还原性质等的影响,并对该系列催化剂进行了CO氧化性能评价。结果表明,掺杂的Co并未改变OMS-2的晶体结构,并高分散在OMS-2骨架结构中;掺杂Co的OMS-2分子筛的形貌发生了由纳米短棒向纳米纤维的转变。不仅如此,Co的掺杂增加了活性氧物种的移动性,改善了OMS-2分子筛的催化CO氧化性能。     

利用加速器重离子进行SRAM单粒子效应研究

 报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量转移值的变化关系曲线。     

单畴GdBCO超导块材制备方法的改进及超导特性研究

通过改变液相源成分和先驱块的装配方式对顶部籽晶熔渗生长方法(TSIG)进行改进,并用新方法成功制备了单畴Gd-Ba-Cu-O(GdBCO)超导块材.对样品形貌和微观结构的研究发现,应用新方法制备的样品呈现出良好的织构度,其内俘获的Gd₂BaCuO₅(Gd-211)内含物分布均匀且粒度较小.超导性能的测试表明,样品具有较高的超导转变温度和自场临界电流密度,表现出较大的磁悬浮力.此外,应用新方法可以简化实验步骤,缩短制备周期,提高实验的稳定性,从而降低了实验难度,为大尺寸单畴块材的批量化制备打下了基础. 关键词： GdBCO 熔渗生长 液相源 装配方式     

热释光剂量计监测质子注量

 理论计算了采用热释光剂量计(TLD)监测不同能量(14~32MeV) 的质子注量灵敏度,在35MeV质子加速器上利用TLD对质子注量进行了监测,并将结果与法拉第筒所测注量进行了比较,证明采用TLD监测质子注量的结果是准确的。     

利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究

报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转戴面随线性能量转移值的变化关系曲线。