层状半导体WSe2的电子结构和各向异性光学性质研究

采用第一性原理密度泛函理论研究了六角层状晶体 WSe2 的电子结构和各向异性光学性质. 结果表明:WSe2 为间接带隙半导体, 带隙值为1 .44 eV, 略小于实验值(1 .51 eV) ; 价带和导带均主要由 W-5d 和Se-4p 电子构成, 在价带顶(0~2eV) 及导带底(1 .5 ~3.5 eV) , W-5d 和 Se-4p 电子杂化明显, 形成共价键. 介电函数的虚部和实部均表现出明显的各向异性,εi (xx ) 有一个明显的介电吸收峰, 而εi (zz ) 却有两个明显的介电吸收峰; WSe2 晶体对zz 光的低频透明区的能量范围几乎是xx 光的2 倍, 应用 WSe2 晶体的这一特性可以制备不同要求的偏振片.     

稀土改性BaTiO3粉体的制备及其导电性分析

采用溶胶-凝胶法制备了纯BaTiO3粉体,并以La、Pr、Nd、Sm、Gd和Er等稀土元素通过液相掺杂、气相掺杂和液-气共掺3种不同的方式对其进行改性,以提高BaTiO3粉体的导电性.实验结果表明:各种稀土均可降低BaTiO3粉体的电阻率,效果最好的是Sm.不同掺杂方式中液-气共掺的效果最好,通过液相掺杂、气相掺杂和液-气共掺,BaTiO2粉体的电阻率由4.30×109Ω·m分别降至2.38×105,4.34×104和35.4 Ω·m.XRD、SEM、FTIR分析表明.液相掺杂时进入BaTiO3粉体的稀土元素主要集中在晶界处,而气相掺杂后稀土元素主要进入晶格内部,可能取代了Ti4+在晶格中的位置.半径较小的稀土元素更容易迁移而偏离钛氧八面体的中心位置,由此导致稀土掺杂后BaTiO3粉体的电阻率显著降低.