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1.
本文利用60 MeV质子束流,开展了NAND (not and) flash存储器的质子辐照实验,获取了浮栅单元的单粒子翻转截面,分析了浮栅单元错误的退火规律,研究了质子辐照对浮栅单元的数据保存能力的影响.实验结果表明,浮栅单元单粒子翻转截面随质子能量的升高而增大,随质子注量的升高而减小.浮栅单元错误随着退火时间的推移持续增多,该效应在低能量质子入射时更为明显.经质子辐照后,浮栅单元的数据保存能力有明显的退化.分析认为高能质子通过与靶原子的核反应,间接电离导致浮栅单元发生单粒子翻转,翻转截面与质子注量的相关性是因为浮栅单元单粒子敏感性的差异.质子引起的非电离损伤会在隧穿氧化层形成部分永久性的缺陷损伤,产生可以泄漏浮栅电子的多辅助陷阱导电通道,导致浮栅单元错误增多及数据保存能力退化.  相似文献   
2.
与石墨烯相比,氧化石墨烯(graphene oxide, GO)的亲水性、分散性和反应活性更好,更易于作为增强材料而研发生成性能超常的复合材料,但另一方面,由于其电子结构较为复杂,致使目前有关力学方面的研究存在一定差异.本文利用分子动力学方法,建立了羟基、羧基和环氧基等官能团随机分布的GO原子模型;通过单向拉伸模拟,分析了其断裂行为,结果表明,远离羟基和羧基的环氧基对断裂具有"诱导"作用,并从化学成键、体系能量和应力分布三个角度对其机理进行了阐释;此外,进一步研究了拉伸应力-应变曲线、极限强度、极限应变等力学性能与含氧官能团覆盖度间的关系,结果表明,极限强度、极限应变均随含氧官能团覆盖度的增大而呈减小趋势.分析认为,主要原因是官能团的出现对石墨烯面内的sp~2杂化形式造成了破坏,进而使得原子间键合能弱化,随着含氧官能团的覆盖度的增大,被弱化的键合能的数量和程度将越大,从而使得GO的极限强度、极限应变等越低.研究结果可为GO的基础研究和工程应用提供参考.  相似文献   
3.
The energy deposition and electrothermal behavior of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)under heavy ion radiation are investigated based on Monte Carlo method and TCAD numerical simulation.The Monte Carlo simulation results show that the density of heavy ion-induced energy deposition is the largest in the center of the heavy ion track.The time for energy deposition in SiC is on the order of picoseconds.The TCAD is used to simulate the single event burnout(SEB)sensitivity of SiC MOSFET at four representative incident positions and four incident depths.When heavy ions strike vertically from SiC MOSFET source electrode,the SiC MOSFET has the shortest SEB time and the lowest SEB voltage with respect to direct strike from the epitaxial layer,strike from the channel,and strike from the body diode region.High current and strong electric field simultaneously appear in the local area of SiC MOSFET,resulting in excessive power dissipation,further leading to excessive high lattice temperature.The gate-source junction area and the substrate-epitaxial layer junction area are both the regions where the SiC lattice temperature first reaches the SEB critical temperature.In the SEB simulation of SiC MOSFET at different incident depths,when the incident depth does not exceed the device's epitaxial layer,the heavy-ion-induced charge deposition is not enough to make lattice temperature reach the SEB critical temperature.  相似文献   
4.
5.
人3型腺病毒六邻体蛋白同源建模及其进化轨迹分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
用同源建模方法构建了人3型腺病毒六邻体完整的空间结构, 对此结构模型的合理性进行检验, 并通过基于多重序列比对的进化轨迹分析发现, 不同型别的人腺病毒六邻体型特异性序列主要存在于六邻体的塔区上, 结合二级结构分析, 预测位于六邻体塔区表面的几个环区是型特异性中和表位的所在区域.  相似文献   
6.
本文利用动态数字散斑干涉技术对氟利昂—13在临界点附近的气液相变过程进行了实验研究,详细介绍了该实验的装置、原理,并给出了氟利昂—13气液相变过程在临界点附近的数字散斑干涉图象及计算结果。获得了氟利昂—13全场的密度分布及其变化规律,还获得了气液两相界面厚度及其随温度的变化和临界乳光现象。本文的工作为深入研究气液相变过程在临界点附近的微观机理提供了实验手段和条件。  相似文献   
7.
The fluorescent calcium ion indicator dye Fluo-3 and DNA-binding dye Hoechst 33342 were employed to determine, in a quantitative microspectrofluorometric study, the intracellular calcium ion concentration ([Ca~(2+)]_i) and the DNA content of individual living NIH3T3 cells. The well-separated excitation and emission properties of these dyes allowed us to establish for each cell both the phase of the cell cycle using DNA content and [Ca~(2+)]_i. We found that the transition from G_1, through S, to the G_2 phase is accompanied by a two-fold increase in [Ca~(2+)]_i. The [Ca~(2+)]_i was inhomologous in each phase of the interphase (G_1, S and G_2) although [Ca~(2+)]_i in the S and G_2 phases was never lower than certain threshold values in the G_1 and S phases respectively. [Ca~(2+)]_i in G_0 cells was lower than that in G_2 cells. These changes in [Ca~(2+)]_i suggest that [Ca~(2+)]_i may be an import regulator of cell cycle progression.  相似文献   
8.
动物的骨与骨之间由纤维结缔组织、软骨组织或骨组织等相连组成骨连结。将骨骼作为构件分析,两骨关节面直接接触并能产生一定型式相对运动的联结组成运动副,在肌肉收缩的牵引力作用下产生运动。骨连结的原始形式出现在水生的低级脊椎动物中,但其运动幅度较小。而陆栖脊椎动物由于陆地生活环境不同于水中,运动较复杂.在骨与骨间的结缔组织中出现了腔隙,它是在直接连结的基础上分化发展而形成的间接连结。间接连结是骨连结的高级形式,又称动关节。  相似文献   
9.
一个非线性方程的显式行波解   总被引:19,自引:0,他引:19       下载免费PDF全文
  相似文献   
10.
铁电场效应晶体管具有非挥发性、低功耗、读写速度快等优异的存储性能,是最有前景的新型半导体存储器件之一.为促进铁电场效应晶体管在辐射环境中的应用,本文利用计算机辅助设计软件对全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元的单粒子效应进行研究,分析了重离子不同入射位置及角度和漏极偏置电压对存储单元相关特性的影响.结果表明:重离子入射位置改变不会使氧化铪铁电层中相应的极化状态发生反向,但会影响存储单元输出电压瞬态变化,最敏感区域靠近漏-体结区域;随着重离子入射角度减小,存储单元输出电压峰值增大,读数据“0”时入射角度变化的影响更为明显;存储单元输出电压峰值受漏极偏置电压调制,读数据“1”时调制效应更为明显.本工作为全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元抗单粒子效应加固设计提供理论依据和指导.  相似文献   
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