合肥光源储存环上八极磁铁的动力学效应分析

 为达到合肥光源二期工程通用模式的设计流强，在储存环上选择垂直方向β函数比较大的位置增加一组八极磁铁。该组八极磁铁对水平方向动力学孔径影响很小，虽然垂直方向动力学孔径明显减小，但仍然大于物理孔径，不会影响束流的注入积累过程。该组八极磁铁产生的垂直方向振荡频率分散可以提供ms量级的Landau阻尼时间，将明显增强抑制垂直方向束流集体不稳定性的能力。该组八极磁铁投入运行后，合肥光源注入积累过程明显改善，注入流强从无八极磁铁时的约100 mA提高到330 mA左右。     

合肥光源高亮度模式Lattice设计

介绍了一组合肥光源新高亮度模式的Lattice. 新的设计维持了储存环上所有元件和光束线位置不变,也没有加入新的元件. 取得了较低发射度. 所有直线节处的垂直方向β函数值都很小，适合插入件的运行. 跟踪计算表明新Lattice具有足够大的动力学孔径用于注入和储存粒子.     

以含铬类水滑石型层状化合物为模板制备硫化物半导体纳米晶

采用类水滑石型混合金属氢氧化物(CdCr-LDH和ZnCdCr-LDH)为前驱体, 通过气-固反应方法, 制备了根植于层状氢氧化物层板中的硫化镉纳米晶和硫化镉/硫化锌复合纳米晶, 通过改变前驱体(CdCr-LDH)中镉和铬的摩尔比可以调控硫化镉纳米晶的粒径.     

石墨烯掺杂纳米氧化锌用于检测三乙胺的增强气敏性能

通过简单研磨实现固相反应的方法制备了纳米氧化锌材料,并利用石墨烯掺杂对氧化锌进行改性,研究了氧化锌材料的气敏性能。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)对合成的样品进行了结构和形貌表征,考察了原料比例和石墨烯掺杂量对氧化锌形貌和气敏性能的影响。结果表明:合成的氧化锌均为纳米颗粒,随着柠檬酸量增加,得到许多有气孔的氧化锌;石墨烯掺杂后,均得到纳米颗粒的氧化锌;气体检测表明,石墨烯掺杂后的氧化锌,其最佳工作温度由400℃降为280℃,对三乙胺表现出较高的选择性;掺杂3%石墨烯的氧化锌对浓度为0.1 mmol/L三乙胺的响应值(S=Ra/Rg)达到18,是掺杂前的4倍。石墨烯掺杂纳米ZnO可作为检测三乙胺气体的新型传感材料。     

κ-卡拉胶协同三硝基苯磺酸致鼠结肠炎症的研究

为了研究κ-卡拉胶(CGN)协同加强三硝基苯磺酸(TNBS)对BALB/c小鼠结肠炎症的作用, 利用TNBS诱导BALB/c小鼠结肠炎模型, 分析了κ-卡拉胶处理后, 小鼠存活率及组织学变化, 随后应用表达谱芯片技术分析差异表达基因. 结果发现, κ-卡拉胶增加了TNBS诱导的小鼠死亡率及结肠损伤. 芯片数据发现: κ-卡拉胶协同TNBS处理后, 较之TNBS处理组出现619个变化基因, 部分炎症相关基因继续上调, 炎症应答程度出现增强. 而κ-卡拉胶单独处理不具有致炎性, 仅影响代谢系统等相关基因的变化. 表明κ-卡拉胶可通过增强上调炎症相关基因, 加重TNBS诱导小鼠结肠炎症反应.     

学科思维导图与物理知识网络的构建

大学物理作为理工科学生的一门基础课程,在高校教学中的重要性毋庸置疑。学习大学物理,不仅要掌握自然界的客观规律、分析和研究方法,重要的是从整体上认识和掌握物理学并应用于实际。物理学中很多物理量有着内在的必然的联系,通过绘制学科思维导图或概念图,来探究这些相关联的物理量的关系和本质、物理规律的适用范围,可以更透彻地理解和掌握物理知识。本文将思维导图工具引入大学物理的教学中,利用思维导图帮助学生通过物理量间的关联,构建知识网络,激发学生的学习热情,提高学习效率和教学效果。     

光学速调管改造后辐射段磁场垫补和测量

 合肥国家同步辐射实验室正在开展储存环相干谐波自由电子激光研究，并对原来的光学速调管进行了改造。磁场的垫补和测量方法由原来的整体测量改为分段进行，垫补的使用使各段积分场及位相误差都尽可能小。详述了合肥储存环的光学速调管辐射段磁场垫补的三种方式，测量了垫补前后不同间隙下积分场分布、位相误差及横向均匀度，各项指标都达到了要求。同样的方法将用于色散段和调制段磁场垫补与测量中，为相干谐波自由电子激光研究提供实验保障。     

有机稀土抑菌作用的研究现状

20世纪以来,稀土在生物领域的应用研究日益受到关注,取得了显著的成绩,其中包括用于抗炎、抗菌和抗凝血等医药及植物抗病等领域。概述有机稀土抑菌方面的研究现状。目前的研究结果显示,有关的研究虽然起步较早,范围较广,但是内容比较零散,缺乏系统性,既没有针对生物作用差异极大的17种稀土元素的抑菌作用进行系统研究,也没有从有机配体和稀土离子抑菌作用的机制上进行探讨,今后应加强这方面研究工作。     

合肥光源储存环聚焦模型标定

 描述了利用轨道响应矩阵拟合技术标定合肥光源储存环聚焦模型的过程及实验结果。通过响应矩阵分析，得到了合肥光源储存环弯铁边缘聚焦强度约为0.1 mrad/A，场积分为0.62~0.63，考虑了四极铁聚焦强度的修正系数的影响，发现了原四极铁磁测数据中较大的系统偏差，分析结果和备用磁铁的磁场测量数据吻合良好。在此基础上建立的合肥光源储存环理论模型可以准确地描述实际储存环线性光学特性。