一类平面薛定谔-泊松方程组孤立波的存在性（英文）

本文讨论一类平面薛定谔-泊松方程组孤立波解的性质.利用广义畴数理论和Nehari流形技巧,证明其高能量孤立波解存在无穷结点区域,且基态孤立波解是不变号的.     

一个游戏引出的问题

1 有趣的游戏 有这样一个简单而有趣的游戏,用火柴棒构造小正方形,两个小正方形可以共用一根火柴棒,假定手中有一定数量(比如20根)的火柴棒,如何构造出尽量多的由小正方形组合而成的图形呢?     

CsNiCl3晶体的光谱精细结构、零场分裂参量及Jahn-Teller效应

应用不可约张量理论构造了三角对称晶场中3d²/3d⁸态离子的45阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵，研究了CsNiCl₃晶体的光谱精细结构、晶体结构、零场分裂参量、Jahn-Telller效应以及自旋单重态对Ni²⁺离子基态能级的影响，理论与实验相符合.在此基础上，进一步研究了以前工作中被忽略的自旋-自旋耦合作用和Trees修正对CsNiCl₃晶体的光谱精细结构和零场分裂参量的影响，发现有四种机理会影响零场分裂参量：1)自旋-轨道耦合机理，2)自旋-自旋耦合机理；3)自旋-轨道与自旋-自旋联合耦合机理；4)自旋-轨道与Trees修正联合耦合机理，其中自旋-轨道耦合机理是最主要的，其他三种机理也是不可忽略的. 关键词： 基态能级 精细结构 零场分裂 自旋-自旋耦合     

掺入Ni元素的LiCoO2晶体光谱结构及电子顺磁共振g因子

在弱场图像下,利用Racah不可约张量算符方法得到了三角对称3d4/3d6电子组态的210阶可完全对角化的微扰哈密顿矩阵、最近邻点电荷模型晶体结构常量公式和电子顺磁共振g因子公式.研究了LiCoO2晶体和掺入Ni的LiCoO2:Ni晶体中Co3+的基态能级、晶体结构和电子顺磁共振g因子.考虑了LiCoO2晶体和LiCoO2:Ni晶体中自旋单重态和三重态对Co3+基态能级的影响,讨论了LiCoO2晶体和在LiCoO2晶体中掺杂Ni后Co3+局域结构常量大小的变化是引起Co3+的基态能级变化的主要原因,理论和实验都证实了这一点.还计算了掺杂前后的电子顺磁共振g因子,计算结果与实验值符合得较好.     

DAIP改性环氧树脂研究

采用共固化的方法,得到酚醛环氧树脂(F-51)和间苯二甲酸二烯丙基酯(DAIP)的共固化树脂。实验结果表明:DAIP的加入降低了F-51环氧树脂的粘度[体系粘度为150～350mPa·s(25℃)],利于工艺操作;提高了F-51环氧树脂的耐热性,热变形温度达200℃。研究了F-51环氧树脂和DAIP共固化的固化行为、不同配比对共固化物形态结构的影响;并研究了不同配比对固化物耐热性的影响。     

分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究

用分子束外延(MBE)技术, 在GaAs(100)衬底上生长了不同Si掺杂浓度（从1016 cm-3到1018 cm-3）的n-GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析,拉曼位移出现了明显的移动,光学横模TO峰相对的增强,光学纵模LO峰相对的减弱。文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高,致使界面失配位错不断地提高造成的,内部应力也在不断的增大,原来的晶格振动平衡被破坏,四价Si替代了三价Ga致使谱线移动。并且由于横声子模具有Raman活性,横声子模被相对的增强了。实验结果与理论是互相吻合的。     

念力转机运动原理的研究

对念力转机的运动原理进行了理论分析和实验研究.理论上基于念力转机的力学原理,分析它的转动原理,研究其转动特性.理论分析表明念力转机前端铁钉做周期性类椭圆运动,木棍和铁钉的振动带动螺旋桨转动,螺旋桨的转动方向取决于水平振动和竖直振动的相位差.实验上采用光放大法观察念力转机的运动过程,实验结果和理论分析结果吻合.实验表明用手施加水平力时,螺旋桨的旋转方向与手的触碰位置有关.实验还发现单位时间摩擦凹槽的数目越多,螺旋桨转速越大,两者具有线性关系.     

R-C系统遮光罩的最优化设计

在作图方法的基础上 ,推导出 R- C系统遮光罩尺寸和口径的约束条件 ,利用最优化方法得到 R- C系统遮光罩尺寸和口径的数值解。克服了传统作图方法不足 ,能够和系统的光学设计同时进行 ,有助于获得系统的最优结构。     

2D NMR对荠菜中的一个黄酮苷进行结构解析

对荠菜中分离得到的一个黄酮苷类化合物2″-O-α-L-阿拉伯糖异荭草苷进行了分离和结构解析,为荠菜进一步的开发利用提供依据. 利用溶剂提取法和大孔树脂色谱、聚酰胺色谱、Sephadex LH-20及高效液相半制备色谱手段进行提取分离,并通过理化性质和波谱分析鉴定了该化合物的结构,采用二维核磁共振（2D NMR）技术对其¹H和¹³C化学位移信号进行了全归属.     

乙炔基封端氢化超支化聚碳硅烷的合成、表征及性能

以氯甲基三氯硅烷(Cl_3SiCH_2Cl)和乙炔基溴化镁(HC≡CMgBr)为原料,经过Grignard偶合反应和还原反应制备得到乙炔基封端的氢化超支化聚碳硅烷(EHBP)。通过红外光谱、核磁共振(碳谱、氢谱、硅谱)、差示扫描量热、流变分析和热重分析等方法研究了EHBP聚合物的结构、固化行为以及热性能;采用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜和高倍透射电镜分析了EHBP聚合物的陶瓷化过程。结果表明,在分子链末端引入Si—H和乙炔基,使EHBP聚合物具有优良的耐热性和耐热氧化性。氮气氛围下EHBP失重5%时的温度(T_(d5))为578.8℃,1 000℃时的质量保留率为82.3%;空气氛围下T_(d5)为549.6℃,1 000℃时的质量保留率为69.2%。1 600℃下EHBP的裂解产物中存在α-SiC和β-SiC晶体,结晶完善,晶粒分布均匀,晶粒尺寸为15~20nm。