浅谈《数术记遗》中的五行算和九宫算

<正>最近无事,对《数术记遗》进行了反复阅读,并对李培业老师的《数术记遗解释与研究》进行了学习,有了新的理解和发现。尤其对于《数术记遗》中的五行算和九宫算,有了新的理解和探索。下面谈一谈心得。原文:"五行算,以生兼生,生变无穷。"注文:"五行之法,水玄生数一,火赤生数二,木青生数三,金白生数四,土黄生数五,今为五行算。色别九枚,以五行色数相配为算之位。假令九亿八千七百六十五万四千三百二十一者,则以白算配黄为九亿,以青算     

《数术记遗》中失传的四种算具推想图新解

关于《数术记遗》中的算具,有许多专家和学者都进行过研究。尤其对四种用珠计算的算具．如日本的户谷清一、上三义夫,中国的余介石、许莼舫、李培业等教授都据原文,设计了各自的推想图。我们经过多年的研究和探索,也对此有了新的看法和理解。现就珠算的起源和发展以及四种珠算算具进行探讨。     

3-己酰基硫代-1-丙基三乙氧基硅烷的合成及其在SSBR/SiO_2复合体系中偶联效果研究

以γ-巯丙基三乙氧基硅烷与己酰氯为单体,在N2保护与低温下合成偶联剂3-己酰基硫代-1-丙基三乙氧基硅烷(HXT),将HXT与双-(3-乙氧基硅基丙基)二硫化物(TESPD)分别添加于溶液聚合丁苯橡胶(SSBR)/SiO2混炼胶复合体系中.采用流变学方法表征复合体系的动态粘弹行为,发现HXT可改善填料和基体的相互作用,有效阻止SiO2粒子在加工过程中的团聚.与TESPD相比较,含HXT体系具有较高“Payne效应”临界应变值.     

硅烷偶联剂对SSBR/SiO_2混炼胶体系动态流变行为的影响

研究了高填充白炭黑(SiO2)补强溶液聚合丁苯橡胶(SSBR)混炼胶体系的动态流变特性,分别考察了在2个混炼温度(120℃、160℃)下添加3种不同偶联剂(TESPT、TESPD、NXT)对其体系中SiO2粒子表面改性的效果.结果表明,在较低混炼温度下添加偶联剂,不利于SiO2粒子表面改性.在较高混炼温度下,偶联剂TESPT、PESPD、NXT均对SiO2粒子表面有改性效果,但同时引起混炼胶不同程度的焦烧,其中以TESPT最明显.随SiO2粒子表面改性程度的提高,出现“Payne效应”的临界应变(γc)值以及低频率(ω)区域lgG′-lgω曲线的斜率值均增大,反映出偶联剂对SiO2与SSBR相互作用的促进以及SiO2粒子分散的改善.     

聚苯胺/金属纳米粒子复合物的制备及性能

基于国内外最新研究文献及本课题组研究工作，从发展历史、制备方法、多功能性方面系统综述了近年来发展起来的聚苯胺/金属纳米粒子复合物。在聚苯胺基体中引入金属纳米粒子的方法可归纳为3大类：原位复合法、直接共混法和层层自组装法。所形成的有机聚苯胺和无机金属杂化复合物不仅能保留各自原有的特异性能，而且二组分之间还存在着相互协同作用，能够极大地提升基体聚苯胺材料的性能，电导率最高可提高100倍，电氧化催化电流最高可提高10倍。分散在聚苯胺膜中的极少量铂微粒就能使不锈钢板的腐蚀电位稳定在钝化区域。聚苯胺/金属纳米粒子复合物所表现出的突出的固有电导性、优异的反应催化性和极强的金属防腐性，使其跻身于为数不多的新型高性能复合材料之列，显示出了诱人的应用前景。     

CuX2络合物催化甲基丙烯酸甲酯的氧化聚合

研究了高氧化态过渡金属卤化物络合物催化甲基丙烯酸甲酯(MMA)的氧化聚合.首先在叔胺类聚合物存在条件下以CuBr2/2,2′-联吡啶(bPy)络合物催化MMA在不同溶剂中的氧化聚合,结果在环己酮中得到PMMA均聚物,CuBr2/bPy同叔胺的氧化还原引发可以忽略.随后在环己酮中分别以不同络合物催化MMA的氧化聚合.结果...     

激发学习兴趣 提高儿童计算技巧

儿童计算能力的提高,归根结底是积累基础知识、掌握运算规律和运算技巧。简单而便捷的计算方法往往能激发儿童的学习兴趣,并且能够快速提高其计算能力。因此笔者就此问题提出如下建议和看法。     

多壁碳纳米管/聚乙烯复合材料的制备及其导电行为

多壁碳纳米管/聚乙烯复合材料的制备及其导电行为;碳纳米管;高密度聚乙烯;渗流阈值;导电行为;V-PTC特性     

用能量法研究双模量大挠度圆板的轴对称弯曲

双模量圆板在外载荷作用下发生轴对称弯曲变形时,会形成各向同性的拉伸区和压缩区.此种情况下,可把双模量圆板看成两种各向同性材料组成的层合板,采用弹性理论建立了双模量圆板在外载荷作用下的静力平衡方程,利用静力平衡方程确定了双模量圆板的中性面位置.在此基础上,采用能量法研究了双模量大挠度圆板轴对称弯曲变形问题,将该方法计算结...