溶剂热法制备CdTe纳米带及其机理分析

本文以氯化镉(CdCl2·2.5H2O)、碲粉(Te)为源,硼氢化钾(KBH4)为还原剂,使用溶剂热法制备了厚100nm左右,宽200～400nm,长2～3μm的碲化镉(CdTe)纳米带.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收光谱(UV-vis spectra)等测试手段对产物的物相、形貌及光学性能进行了表征.研究了不同的反应温度、镉源和反应时间对产物物相和形貌的影响,并初步推测了带状产物的形成机理.发现产物形貌随温度升高由带状变为颗粒状.不同镉源对带状形貌的形成有很大影响,用Cd粉为镉源时,无法得到带状CdTe产物.反应时间较短时,产物为棒状和无定形颗粒,反应时间过长,产物尺寸差异变大.对光学性能表征时发现CdTe带状产物的紫外吸收出现了一定的蓝移,禁带宽度与块体材料相比偏大了0.4eV.     

AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究

以AlN作为靶材，使用射频磁控溅射法在Si（100）和玻璃衬底上，在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜，并研究了衬底温度对溥膜的结构，形貌和性质的影响．实验表明，衬底温度为370℃的条件下制备的AlN溥膜具有C轴择优取向，薄膜表面均匀、致密和平整，均方根粗糙度为4．83nm．随着基片温度的增加，溥膜的折射率增加，对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变．     

跳扩散对偶模型在带壁分红策略下的分红函数

考虑了带干扰的古典风险模型的对偶模型，讨论了模型在带壁分红策略下的一些结论。通过研究过程的局部时，证明了所讨论函数的边界条件。用在没有分红策略下模型的函数，给出了期望折现分红函数的显示表达。在最后一节，对于跳服从相位分布的情形，给出了数值例子，并讨论了最优分红边界的存在性。     

一类具有正跳的Levy过程的一个极值分布

本文利用风险分析中的破产概率与带正跳的levy过程的一类极值分布间的关系,求得了该极值分布的表达式.     

生灭过程的泛函分布

<正> 设X={x_t(w),t≥0}是定义在概率空间(ΩP)上的生灭过程(定义参看[1]),其密度矩阵Q具有下列形式:     

非同分布NA列的对数律和重对数律

给出了非同分布NA列满足对数律和重对数律的一些矩条件，而文[50-[7]中的部分结果可以成为其特殊情形并得到加强．     

条件布朗运动的若干结果

记H=R~((?)-1)×(0,∞)为上半空间,ω(t)=(ω_1(t),…,ω_(?)(t))表示H上的中止布朗运动,其转移密度为p(t,x,y):其中y~(?)表示y关于边界H的对称点。由条件布朗运动的定义(参见[2],),对于任意严格正的调和函数h,它所对应h-条件布朗运动的转移密度为:     

与布朗运动有关的一类剩余时间的分布

设B={B_t}_(t>0)是标准一维布朗运动。相空间为(R~1B~1)。P~x,x∈R~1是初始为x的概率分布。约定P为P~0,θ_t,t≥0表示推移算子。     

一类带干扰风险模型的推广

In this paper, the cLassicaL risk process perturbed by diffusion is genera]ized by alLowing for “size fluctuation“ and the rtl[n probabiLity for this new model is dlscussed.     

超布朗运动与无界区域上一类非线性微分方程

本文得到了超布朗运动的一个极限定理,并用超布朗运动给出了区域D上非线性微分方程的Dirichlet问题与随机Dirichlet问题非负有界解的精确表达式．