首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3篇
  免费   0篇
  国内免费   3篇
化学   6篇
  2014年   1篇
  2012年   1篇
  2003年   3篇
  1998年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
用分子力学MM3方法、量子化学MNDO法和从头算STO-3G基组计算了20个4H-甲基咪唑苯二氮(艹/卓)酮HIV-1逆转录酶抑制剂的优势构型和电子结构, 用逐步回归方法和BP神经网络方法得到其抗HIV-1活性与电子结构的定量构效关系.结果表明: (1) TIBO类衍生物的体积越大, 极性越小, 即疏水性越大对抑制HIV-1活性越有利.(2) C环N上H原子可能是化合物的正电活性部位.(3) R′原子与受体作用时可能作为电子给予体, 前线轨道中S的贡献比O大得多, 故含S的TIBO化合物比含O化合物的活性高.(4) 苯环上连接吸电子基团对活性有利, 由于分子的正负电荷中心距离较近, 极性较小, 疏水性较大, 故3位取代比2位取代活性更高.  相似文献   
2.
用分子力学MM3方法、量子化学MNDO法和从头算STO-3G基组计算了20个4H-甲基眯唑苯二氮革酮HIV-1逆转录酶抑制剂的优势构型和电子结构,用逐步回归方法和BP神经网络方法得到其抗HIV-1活性与电子结构的定量构效关系.结果表明:(1)TIBO类衍生物的体积越大,极性越小,即疏水性越大对抑制HIV-1活性越有利.(2)C环N上H原子可能是化合物的正电活性部位.(3)R′原子与受体作用时可能作为电子给予体,前线轨道中S的贡献比O大得多,故含S的TIBO化合物比含O化合物的活性高.(4)苯环上连接吸电子基团对活性有利,由于分子的正负电荷中心距离较近,极性较小,疏水性较大,故3位取代比2位取代活性更高.  相似文献   
3.
敌敌畏的LB气敏膜压电晶体传感器的测定   总被引:3,自引:0,他引:3  
引用Langmuir-Blodget(LB)膜技术,以TritonX_100类脂LB膜作为测定敌敌畏的敏感材料,使传感器的性能明显提高,检测限是01μg/L,响应时间、回收时间符合要求,线性范围为01~15μg/L,传感器的寿命较长,是一种性能较优的敌敌畏检测器。  相似文献   
4.
采用密度泛函理论B3LYP方法计算了13个13位取代苦参碱衍生物的电子结构,研究了化合物结构与抑制人肝癌细胞HepG2抗癌活性的定量构效关系(QSAR).结果表明:(1)13位取代的苦参碱类衍生物的最低空轨道能ELUMO越低,最低空轨道与最高占据轨道的能隙ΔE越小,化合物抗癌活性越高;(2)分子的能量Etotal、面积S以及体积V越大,其极化度P越大,活性越大;(3)分子的油水分配系数logP越大,活性越大,即分子的疏水性增大活性增强.综合得到了显著性较好的QSAR方程:-lgIC50=97.008-11.759ΔE+818.602QC2-2.132×10-4Etotal,可用于预测该类衍生物抑制人肝癌细胞HepG2的活性并进行分子设计.  相似文献   
5.
采用二乙烯基苯-55(DVB-55)和乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)作为混合交联剂,乙腈为溶剂,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,以甲基丙烯酸为功能单体采用沉淀聚合法合成了单分散或窄分散的、表面具有羧基的交联聚合物微球,所得微球的粒径变化范围为0.6~3.8μm.通过调节交联剂DVB-55和EGDMA的投料比,可以对微球的粒径、粒径分布、产率、热稳定性以及表面官能团含量进行有效控制.文中对混合交联剂DVB-55与EGDMA比例的改变对微球的粒径、粒径分布以及产率的影响机理给出了理论解释;对DVB和EGDMA的兼容性研究表明,制备的三元聚合物微球的核拥有比投料比稍多的DVB单元,而微球的外层则以在预聚混合物中占更大比例的交联剂为主.  相似文献   
6.
反相高效液相色谱法测定喜树果中喜树碱的含量   总被引:6,自引:0,他引:6  
张燕红  刘展眉  沈慧芳  方岩雄 《色谱》2003,21(2):162-164
  采用反相高效液相色谱法,在Kromasil C18色谱柱(5 μm,250 mmx4.6 mm i.d.)上,以甲醇-水(体积比为60∶40)为流动相分离测定了喜树果中的喜树碱。流动相的流速为0.8 mL/min,紫外检测波长为254 nm。样品前处理中,采用了超临界CO2萃取(乙醇作提携剂)、甲醇-氯仿温浸的方法从喜树果中提取喜树碱。实验结果表明,该法的平均回收率为95.8%-100.8%,相对标准偏差为1.2%-2.0%。方法快速、准确,可用于实际样品的测定。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号