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1.
SAPO-5分子筛的酸性及异构化性能   总被引:12,自引:1,他引:11  
刘国珍  李旸 《分子催化》1999,13(1):49-53
用水热晶化法合成了AlPO4-5和SAPO-5分子筛,借助XRD、IR、吸附吡啶的IR及NH3-TPD等手段对其进行了表征,并通过间二甲苯异构化反应对其催化性能进行了评价.将其催化性能与表征结果相关联得出:B酸中心是间二甲苯异构化的活性中心,SAPO-5的B酸中心多,其间二甲苯异构化的活性(45.8%)和选择性(63.24%)也高.异构化的选择性还与B酸中心的强度有关.  相似文献   
2.
汞的形态分析进展   总被引:23,自引:0,他引:23  
从汞的分离富集出发,按测定方法分类,对近年来国内外有关汞的形态分析的研究进展进行了综述(引用文献68篇)。  相似文献   
3.
悬浮液进样原子吸收光谱分析中样品的粒径效应   总被引:10,自引:0,他引:10  
研究了悬浮液进样 FAAS和悬浮液进样 GFAAS中样品粒径效应。实验表明 ,悬浮液颗粒粒径 <30 μm能满足石墨炉原子化测定需要 ,而火焰原子化要求在粒径≤ 5 μm的前提下 ,再根据待测元素的性质选择合适的火焰类型 ,方能达到较满意的测定效果。  相似文献   
4.
何萌  刘国珍  仇杰  邢杰  吕惠宾 《中国物理 B》2008,17(2):1236-1240
采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10-5Ω·cm,迁移率达到5830 cm2/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底  相似文献   
5.
何萌  刘国珍  仇杰  邢杰  吕惠宾 《物理学报》2008,57(2):1236-1240
采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10-5Ω·cm,迁移率达到5830 cm2/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底 关键词: 激光分子束外延 TiN单晶薄膜 外延生长  相似文献   
6.
CoAPSO—5分子筛的合成与性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
用水热晶化法合成了CoAPSO-5分子筛,用X射线衍射,电子探针,红外光谱以及吸附吡啶的红外光谱等方法对其结构和表面性质进行了研究,并用甲苯甲醇烷基化反应考察了其催化性能,结果表明,CoAPSO-5为中强酸性分子筛,具有较高的甲苯甲醇烷基化活性和对二甲苯选择性,对二苯收率高于20%,且烷基化活性和对二甲茉选择性出现了“同向效应”。  相似文献   
7.
Sr1-xLa2x/3Bi2Nb20O (0 ≤ x ≤0.2) ceramic samples are prepared by the solid-state reaction method. Their structure, dielectric and ferroelectric properties are investigated. The incorporation of La^3+ improves the den- sification and decreases the grain size of the ceramics without changing the crystal structure. The remanent polarization 2PT increases with increasing La content and reaches a maximum value of 22.8μC/cm^2 at x = 0.125, which is approximately 60% larger than that of pure SrBi2Nb2O9. The Curie temperature keeps almost unchanged at a value of about 440℃. The relationship between doping and the ferroeleetrie and dielectric properties are discussed.  相似文献   
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