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1.
2.
3.
给出了内蒙古段黄河水平中总α,总β,^90Sr,^137Cs,^40K,^3H,^210Pb,^210Po,^238U,^232Th、^226Ra放射性水平,结果基本为正常水平,找出了污染源,为内蒙古段黄河水中放射性监督监测建立了全面的背景材料。 相似文献
4.
传统的霍夫变换、Cannylines直线检测算法、霍夫概率变换方法在图像上的直线检测效果不佳,存在检测线段不连续不正确的问题,因而,利用Sobel滤波对红外图像横轴和纵轴两个方向分别进行锐化,通过线段检测(LSD)算法实现线段特征检测,进而经线段聚类拟合获得图像中完整的直线,通过对直线交点计算获得消失点,最后依据透视关系计算得到校正图像。实验结果表明,该方法可以实现对中性束红外图像的自动有效校正。 相似文献
5.
1问题的提出
平面向量中有这样一个常用结论:如图1,在AABC中,若点D为BC边的中点,则AD=1/2(AB+AC).尽管这个结论简洁、常用,但还是有一部分学生不能很好的掌握. 相似文献
6.
在课堂教学中,几乎每一位老师都有这样的经历:课前预设好的教学流程常因为学生的思维"不听话"而被打乱.如果你有足够的耐心和一个平静的心态,顺着学生的思路走下去,积极引导学生进行探索,让学生在探索过程中学会修正和反思,你会发现学生的思维是多么鲜活、多么可贵!也许这节课你没有能完成计划中的教学任务,但你一定会有一个不一样的发现.以下案例是教学中的一个意外的发现,请广大同行点评、指正.…… 相似文献
7.
Crystal structure and ionic conductivity of Mg-doped apatite-type lanthanum silicates La10Si6-x Mgx O27-x(x=0–0.4) 下载免费PDF全文
Lanthanum silicates La10Si6-xMgxO27-x(x = 0–0.4) were prepared by solid state synthesis to investigate the effect of Mg doping on crystal structure and ionic conductivity. Rietveld analysis of the powder XRD patterns reveals that Mg substitution on Si site results in significant enlargement of channel triangles, favoring oxide-ion conduction. Furthermore,an increase of Mg concentration significantly influences the linear density of interstitial oxygen, which plays an important role in ionic conductivity. The Arrhenius plots of La10Si6-xMgxO27-x(x = 0–0.4) suggest that Mg-doped samples present higher conductivity and lower activation energy than non-doped La10Si6O27, and La10Si5.8Mg0.2O26.8exhibits the highest conductivity with a value of 3.0×10-2S ·cm-1at 700?C. Such conductive behavior agrees well with the refined results.The corresponding mechanism has been discussed in this paper. 相似文献
8.
9.
Analysis of the generation mechanism of the S-shaped J—V curves of MoS2/Si-based solar cells 下载免费PDF全文
Amorphous-microcrystalline MoS$_{2}$ thin films are fabricated using the sol-gel method to produce MoS$_{2}$/Si-based solar cells. The generation mechanisms of the S-shaped current density-voltage ($J$-$V$) curves of the solar cells are analyzed. To improve the performance of the solar cells and address the problem of the S-shaped $J$-$V$ curve, a MoS$_{2}$ film and a p$^+$ layer are introduced into the front and back interfaces of the solar cell, respectively, which leads to the formation of a p-n junction between the p-Si and the MoS$_{2}$ film as well as ohmic contacts between the MoS$_{2}$ film and the ITO, improving the S-shaped $J$-$V$ curve. As a result of the high doping characteristics and the high work function of the p$^+$ layer, a high-low junction is formed between the p$^+$ and p layers along with ohmic contacts between the p$^+$ layer and the Ag electrode. Consequently, the S-shaped $J$-$V$ curve is eliminated, and a significantly higher current density is achieved at a high voltage. The device exhibits ideal p-n junction rectification characteristics and achieves a high power-conversion efficiency (CE) of 7.55%. The findings of this study may improve the application of MoS$_{2}$ thin films in silicon-based solar cells, which are expected to be widely used in various silicon-based electronic and optical devices. 相似文献
10.
关于Hardy不等式的加强改进 总被引:6,自引:0,他引:6
对 Hardy不等式 ,建立如下结构的加强不等式 :∑∞n=11n∑nk=1akp 1 ,an≥ 0 (n∈ N) ,0 <∑∞n=1apn<∞ ,Cp=1 -(1 -p- 1) p- 1,p≥ 2 ;1 -p- 1,1
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