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采用基于赝势平面波基组的密度泛函理论方法, 对一系列具有黄铜矿结构的AgGa(S1-xSex)2固溶体的构型、电子结构、线性和二阶非线性光学性质进行了系统研究. 结果表明, 各固溶体具有类似的能带结构, 体系带隙随x值增加而逐渐减小. 当所引入的Hartree-Fock交换项贡献为22.56%时, 对应的杂化PBE泛函得到的带隙值与实验结果相近. 固溶体的各种光学性质, 包括折射率、双折射率、反射率、吸收系数和二阶倍频系数等均随着组成的改变呈现出有规律的变化趋势, 变化范围介于AgGaS2和AgGaSe2二者之间. 因此, 利用固溶体光学性质的变化规律, 可从中寻找出具有特定光学性能的晶体材料. 相似文献
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采用第一性原理方法和平板模型对CO分子在TiC(001)表面的吸附构型和电子结构进行了详细研究. 结果表明, CO分子倾向于采用C端吸附在表层Ti原子上方. 对于该吸附方式, 计算得到的吸附能、CO各电子态所处能级位置以及C—O键伸缩振动频率的红移值均与实验观测结果相吻合. 由能带结构和Mvlliken布居分析结果可知, 当采用C端吸附时, CO的5σ和2π鄢态受到底物影响最为显著, 尤其是C端的桥位吸附方式. 此外, 还进一步对底物表面态在CO吸附过程中的作用进行了探讨. 相似文献
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采用量子化学中的密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-311 G(3df,2p)水平上全优化得到了单卤代二硫烷HSSX(X-H,F,Cl,Br)链型和分叉型两种异构体的平衡结构。计算结果表明.在热力学上,所有链型的HSSX为稳定构型.其能量分别较分叉型构型低109.8、60.2、74.8和73.1kJ/mol。同时,采用统计热力学方法,研究了两种平衡结构之间相互转化的化学热力学性质,发现异构化反应的平衡常数很小。 相似文献
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采用DMol3程序包中的GGA-PW91方法, 结合周期平板模型, 对CH3O和CO在Pd(111)表面的反应进行了系统研究. 计算结果表明, 吸附在Pd(111)表面顶位上的CO分子中C原子所带正电荷最多, 容易与亲核试剂反应, 化学吸附能稍低, 有利于在表面上移动发生亲电插入反应; CH3O 在Pd(111)表面fcc穴位吸附稳定, O原子上所带的负电荷较多, 易被亲电试剂进攻. 过渡态搜索表明, Pd(111)表面顶位上的CO与fcc穴位上CH3O反应生成CH3OOC的为放热反应, 反应能垒较低, 有利于偶联反应的进行. 相似文献
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采用电荷自洽方法,以嵌入原子簇Zn4O4为模型,使用量子化学的密度泛函理论,研究了二氧化碳在六方ZnO非极化的(101^-0)面的可能吸附态。计算表明,CO2垂直底物表面吸附,氧原子只能与Zn原子配位,并且吸附能为很弱的1.8kJ/mol;吸附质分子平行于底物表面时,得到了5种平衡吸附构型,其中采用C-Zn配位和η^2-O,O二齿配位时,吸附很弱,经BSSE校正后的吸附能在8.8~6.6kJ/mol。采用η^2-C,O方式分别与O和Zn配位时,吸附能为31.1kJ/mol;C原子与表面O配位时计算得到了唯一的一个化学吸附态,吸附能为139.6kJ/mol,与实验结果一致。 相似文献
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The first-principles calculations were performed to investigate the stability, band structure, density of states and redox potential of Al-, Ga-, and In-doped monoclinic BiVO4(mBiVO4). The calculated formation energies show that Al-doped mBiVO4 inducing an O vacancy is energetically favorable with a smaller defect formation value. With the incorporation of Al, Ga, and In, the band gap of the doped systems will be narrowed in the order of Al-doped 〈 Ga-doped 〈 In-doped mBiVO4, which is beneficial for the response to the visible light. And the substitution of an Al or Ga for a V atom will significantly enhance the reducibility of mBiVO4, improving the efficiency of H2 evolution from H2 O. Our results show that the photocatalytic activity of mBiVO4 can be modulated by substitutional doping of Al, Ga, and In. 相似文献