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1.
飞行时间质谱中的空间电荷效应研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在分子多光子电离实验中, 发现母体离子的飞行时间(TOF)质谱峰随激光强度的提高而展宽, 此现象归因于离子团内离子间库仑排斥作用的空间电荷效应. 为从理论上解释此现象, 尝试了从一个简单的理论模型进行推演, 得到飞行时间质谱峰的半高全宽(FWHM)与激光能量、样品气体的分压比、电极板的总电压、离子质量及所采用的透镜聚焦焦距之间关系的解析表达式, 所得的结果能够很好地说明实验现象.  相似文献
2.
0引言Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体薄膜太阳能电池具有价格低廉、性能优良和工艺简单等优点,已成为最有希望的光电转换器件,是当前国际光伏电池研究领域的热点之一。在Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体中,CuInS2因其光学禁带宽度适中(1.50eV),可见光区域吸收系数较高(6×105cm-1),化学稳定性好等特点而成为人们最为关注的薄膜太阳能电池材料之一[1~5]。目前,CuInS2薄膜太阳能电池的最高转换效率约为11%[6,7],距理论转换效率(27%~32%)[8]还有很大的差距,而改善CuInS2薄膜质量是提高其光电转换效率的关键。研究表明,CuInS2薄膜的制备技术及工艺条件对薄膜的结构…  相似文献
3.
以甲苯-2,4-二异氰酸酯(TDI)、聚醚二元醇为主要原料制得—NCO封端的预聚体,按一定比例和环氧树脂E-51混合均匀;另用氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷(D4)合成一系列分子量不同的氨基聚硅氧烷,用多元胺作固化剂,并以聚四氟乙烯(PTFE)粉末为填料,合成一系列由PTFE、有机硅共同改性的聚氨酯/环氧树脂共混聚合物。测试了其力学性能、表面接触角、吸水率,同时进行了扫描电镜(SEM)以及表面电子能谱(ESCA)分析。结果表明:所制得的共混聚合物具有很低的表面能和良好的综合性能,PTFE和氨基聚硅氧烷对降低聚氨酯/环氧体系的表面能具有明显的复合效应。  相似文献
4.
在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2 /cIn3 在1 ̄1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2 /cIn3 的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2 /cIn3 =1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104cm-1,禁带宽度Eg为1.45eV。  相似文献
5.
0引言铜铟硒(CIS)具有合适的带隙、高光吸收系数、适当的电荷密度和迁移率,是一种用于薄膜太阳能电池的备受关注的吸收材料[1]。目前CuInSe2薄膜已采用多种方法进行制备,如金属前驱体硒化法[2]、共沉积法[3]、溅射法[4]、电沉积法[5]和化学气相沉积法[6]等。这些方法都有各自的  相似文献
6.
CuInS2 thin films have been prepared by ion layer gas reaction (ILGAR) using C2H5OH as solvent, CuCl and InCl3 as reagents and H2S gas as sulfuration source. The effects of cationic concentrations and numbers of cycle on the properties of CuInS2 film were investigated. The chemical composition, crystalline structure, surface topography, deposited rate, optical and electronic properties of the films were characterized by X-ray diffractrometry (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy (SEM), ultraviolet-visible spectrometry (UV-Vis) and Hall System. The results show that the crystalline of CuInS2 thin films and the deposition rate have been improved with the increase of cationic concentration, while CuxS segregation phases appear with further increasing cationic concentration. The deposition rate is close to constant as cationic concentration is fixed. CuInS2 thin film derived form lower cationic concentration is uniform, compact and good in adhesion to the substrates. The absorption coefficient of CuInS2 thin films is larger than 104 cm-1, and the band gap Eg is in the range of 1.30~1.40 eV. The dark resisitivity of the thin film decreases from 50 to 10 Ω·cm and the carrier concentration ranges are over 1016 cm-3.  相似文献
7.
CuInSe2 ternary films were prepared by successive ionic layer absorption and reaction (SILAR) method. The films were deposited on glass substrates at room temperature and subject to heat-treatment under Ar atmosphere at various calcination temperatures, and then characterized by using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), optical absorption spectroscopy. XRD results showed that chalcopyrite structure CuInSe2 with high degree of preferred orientation towards (112) reflection could be obtained by post-heat treatment. The compositions of films calcined at 300~400 ℃ were close to the standard stoichiometry and Cl impurity decreased after calcination. The direct band gap increased from 0.94 eV to 0.98 eV with the increase of calcination temperature.  相似文献
8.
在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2+/cIn3+在1~1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2+/cIn3+的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2+/cIn3+=1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104 cm-1,禁带宽度Eg为1.45 eV。  相似文献
9.
小议门捷列夫“大胆”的原因石勇(北京251厂102101)化学元素周期律几乎同时并且完全独立地为德国的迈尔和俄国的门捷列夫所提出 ̄[1]。而人们在比较门捷列夫和迈尔时,一般都认为门捷列夫要“大胆”得多 ̄[2,3]。如果总结一下,门捷列夫的大胆之处,似...  相似文献
10.
用一束波长为230.1 nm的激光, 通过(2+1)共振增强多光子电离(REMPI)过程激发超声射流冷却的CO分子制备处于基电子态X2∑+的CO+离子, 随后引入另一束可调谐激光将CO+离子激发至A2∏1/2,3/2态, 利用光电倍增管(PMT)检测发射的荧光信号强度随激发光波长的变化, 分别在487-493 nm和453-459 nm波长范围内获得了CO+离子A2∏1/2,3/2←X2∑+电子态跃迁(0,0)和(1,0)带的激光诱导荧光(LIF)激发谱.  相似文献
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