两级非磁性超高压装置

本文首次报道一种用于高压下电磁现象研究的两级非磁性超高压装置,描述了其结构原理和设计概要。这一装置目前达到的最高调试压力为28kbar,这是完全流体静力学的压力。利用本装置,已在0—25kbar的压力范围内进行了锑化铟、锗、碲镉汞等的电阻率和霍耳系数随压力变化的测量,对于这些材料能带结构和迁移率特性随压力变化,已获得令人满意的结果。 关键词：     

半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应

本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_1-xMn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10^-3eV/kbar的速率漂移,并具有10^-5/kbar²量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10^-3eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。 关键词：     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe光吸收边的压力效应

本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10~(-3)eV/kbar的速率漂移,并具有10~(-5)/kbar~2量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10~(-3)eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。     

高x值混晶Hg1-xCdxTe光吸收边的压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg_0.3Cd_0.7Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg_0.3Cd_0.7Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不同压力下的实验结果,得到Hg_0.3Cd_0.7Te能隙的一阶压力系数α=8.7×10^-11eV/Pa,与用化学键介电 关键词：     

高x值混晶Hg_(1-x)Cd_xTe光吸收边的压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不同压力下的实验结果,得到Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te能隙的一阶压力系数α=8.7×10~(-11)eV/Pa,与用化学键介电函数理论预期的值符合很好,同时拟合得到能隙的二阶压力系数反常的大,其值为β=-6.3×10~(-13)eV/Pa~2。另外,观察到34—36kbar时,Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te的结构相变。