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1.
2.
建立了电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的直流电导公式.通过计算20000格点无序体系的直流电导率,分析了直流电导率和温度及外场电压的关系,讨论了无序度对直流电导的影响.计算结果表明,无序体系的直流电导率随无序度的增加而减小;外加电场较小时,电导率相对较大,且出现一系列峰值,电压较大时,电导率反而较小;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性,电导率随温度的升高而增大,在高温区电导率随温度的升高而减小.计算结果和实验符合很好
关键词:
无序体系
电子隧穿
直流电导率 相似文献
3.
Our study shows that for the copropagating probing and driving fields, the gain without inversion doesn't monotonously decrease or increase with the increasement of Doppler width. When the driving field is resonant, at a suitable Doppler width, we can get a maximum value of the gain without inversion, which is much larger than that obtained when Doppler broadening is absent. 相似文献
4.
采用一维粒子模拟(PIC)方法,研究了相对论效应对P偏振激光斜入射非均匀等离子体时产生的共振吸收的影响. 计算表明,弱相对论情况下,在临界面附近产生的电子等离子体波的相对论非线性效应占主要作用;随着入射光场的逐渐增大,吸收率逐渐降低. 当入射光强超过3.7×1017W/cm2时,由于超短激光脉冲本身在等离子体中产生相对论效应、等离子体波破裂效应,以及参量不稳定过程激发等,吸收系数随着激光强度又开始增加. 固定等离子体密度标长,取不同的激光入射角、电子初始温度,相对论效应对吸收系数的影响是一致的.
关键词:
激光等离子体
相对论效应
共振吸收
粒子模拟 相似文献
5.
对形如Nt×Nl型准二维无序系统,只考虑格点之间的最近邻跳跃积分,采用特殊的格点编号方案,在单电子近似下,系统的哈密顿量可表示为简明对称矩阵,借助豪斯荷尔德变换将其约化为对称三对角矩阵,再利用负本征值理论及传输矩阵等方法,对系统态密度、局域长度及电导等电子结构特性进行数值计算. 重点研究了准一维四平行链和五平行链无序系统, 将结果与一维单链、准一维双链及三链系统进行对比,发现随维度的增加,系统的能带有所展宽,能态密度分布发生很大的变化,其峰值数量呈偶数规律增加. 并且在能带中心处存在有局域长度大于系统大小的扩展态,处于这些态下的系统具有较大电导. 从单链到多链,相当于扩大了系统的关联范围,使系统出现了类似非对角长程关联的行为.
关键词:
准二维无序系统
态密度
局域长度
电导 相似文献
6.
Layer-by-layer fluorescent conjugated polyelectrolyte films have been studied. The photoluminescence of conjugate polyelectrolytes was observed to be highly tunable during this film assembly process. Efficient photoinduced electron transfer from thus prepared highly luminescent film to a natural electron-transfer protein cytochrome c has also been observed. 相似文献
7.
8.
以SiO2为成核中心,钛酸四丁酯为钛源,分别以多羟基化合物乙二醇、丙三醇、葡萄糖和聚乙烯醇为联接剂,采用水解沉淀法制备了碳掺杂和包覆的多孔SiO2/TiO2-xCx/C可见光响应型光催化剂。采用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X-射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换-红外光谱(FTIR)、比表面积(BET)和紫外-可见(UV-Vis)漫反射光谱对样品进行表征。对不同结构样品的形成机理进行了分析。以次甲基蓝(MB)溶液为模拟废水,对样品的吸附性能和可见光催化性能进行了评价。结果表明,多羟基化合物对材料的结构和性能有重要影响。碳的掺杂和包覆使材料的吸收光谱包含了整个可见光区,而多孔结构使材料的吸附性能得到提高。以聚乙烯醇为原料所得样品吸附性能最好,30 min内吸附率达到70%;而以丙三醇为原料所得样品具有最好的可见光催化性能,40 min内次甲基蓝的降解率达到95%。 相似文献
9.
不同条件下,在单晶硅基片上沉积了含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜.原子力显微(AFM)形貌显示,掺N后,薄膜变得致密均匀.傅里叶变换吸收红外光谱(FTIR)表明,随着r(r=N2/[N2+CF4+CH4])的增大薄膜中C—H键的逐渐减少,C〖FY=,1〗N和C≡N键含量逐渐增加.X射线光电子能谱(XPS)的C1s和N1s峰拟合结果发现,N掺入导致在薄膜中出现β-C3N4和a-CNx(x=1,2,3)成分.Roman散射谱的G峰向高频方向位移和峰值展宽等证明:随着r的增大,薄膜内sp2键态含量增加.
关键词:
氟化类金刚石膜
键结构
氮掺杂 相似文献
10.