Die Verbindungen Ta3Ga2 und IrGa

Ohne Zusammenfassung     

Zur Kristallstruktur der Carbohydride von Übergangsmetallen

Zusammenfassung Mit Hilfe von Neutronenbeugungs-Aufnahmen an hydrierten und deuterierten Übergangsmetall-Carbiden wurden die Positionen der Kohlenstoff- und Wasserstoffatome ermittelt. In den ternären Phasen Zr₂C_1-x Hy y und Zr₂C_1-x D _y besetzen H bzw. D die tetraedischen Lücken des Anti-CdJ₂-Typs. In der kubischen Carbohydrid-Phase liegt der Kohlenstoff geordnet vor; der Wasserstoff füllt vorzugsweise die freien Oktaederlücken.

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The positions of H and D have been determined in hexagonal carbohydrides by means of neutron diffraction experiments, the H(D-)-atoms filling the tetrahedral voids of the Anti-CdI₂-type. Carbon and most of the hydrogen (deuterium) are filling the octahedral voids of the cubic carbohydrides.

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Mit 4 Abbildungen     

Oxide semiconductors for solar to chemical energy conversion: nanotechnology approach

The present work considers the application of oxide semiconductors in the conversion of solar energy into the chemical energy required for water purification (removal of microbial cells and toxic organic compounds from water) and the generation of solar hydrogen fuel by photoelectrochemical water splitting. The first part of this work considers the concept of solar energy conversion by oxide semiconductors and the key performance-related properties, including electronic structure, charge transport, flat band potential and surface properties, which are responsible to the reactivity and photoreactivity of oxides with water. The performance of oxide systems for solar energy conversion is briefly considered in terms of an electronic factor. The progress of research in the formation of systems with high performance is considered in terms of specific aspects of nanotechnology, leading to the formation of systems with high performance. The nanotechnology approach in the development of high-performance photocatalysts is considered in terms of the effect of surface energy associated with the formation of nanostructured system on the formation of surface structures that exhibit outstanding properties. The unresolved problems that should be tackled in better understanding of the effect of nanostructures on properties and performance of oxide semiconductors in solar energy conversion are discussed. This part is summarised by a list of unresolved problems of crucial importance in the formation of systems with enhanced performance. This work also formulates the questions that must be addressed in order to overcome the hurdles in the formation of oxide semiconductors with high performance in water purification and the generation of solar fuel. The research strategy in the development of oxide systems with high performance, including photocatalysts for solar water purification and photoelectrodes for photoelectrochemical water splitting, is considered. The considerations are focused on the systems based on titanium dioxide of different defect disorder as well as its solid solutions and composites.     

Über die Reduktion der Titanchloride

Es wird über den Verlauf der Reduktion eines Ti(IV)-chlorid-Wasserstoff-Gemisches in der elektrischen Entladung in Gegenwart einer Na-Elektrode berichtet. Titanmetall entsteht in feinverteilter Form. An der Reduktion ist im verwendeten Entladegefäß Natrium wegen der Rückreaktion von HCl stärker beteiligt als der Wasserstoff.Die Teilung des Vorganges in zwei Stufen durch Herstellung von Ti(II)-chlorid mit Wasserstoff in der elektrischen Entladung und nachträgliche Umsetzung mit Natrium bei 300°C führt zu feinem, aber gut kristallisiertem Titanmetall.Aus Ti(II)-chlorid-haltigen NaCl–KCl-Schmelzen läßt sich bei rd. 800°C Titan kompakt abscheiden.Die Löslichkeit von Ti(II)-chlorid in verschiedenen nichtwäßrigen Lösungsmitteln wird geprüft und die Leitfähigkeit gemessen. In gleicher Weise werden auch Ti(IV)-chlorid und Dicyclopentadienyltitanchlorid untersucht.

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Mit 4 Abbildungen     

Photocatalytic properties of Ta-doped TiO2

Ionics - This work reports the effect of tantalum (0.1–1 at.% Ta) on the photocatalytic performance of TiO2 annealed at 1373 and 1673 K in air. It was shown that addition of...     

Der Dreistoff: Vanadium-Silicium-Germanium

Zusammenfassung V-Si-Ge-Legierungen werden aus den Komponenten hergestellt und röntgenographisch untersucht. V₃Si und V₃Ge bilden eine lückenlose Mischreihe. Ebenso gehen die T1-Phasen V₅Si₃ und V₅Ge₃ homogen über, was auch für die C-stabilisierten Phasen mit teilweise aufgefüllter Mn₅Si₃-Struktur gilt. V₁₁Ge₈ löst praktisch kein Silicid und steht mit V₅(Si, Ge)₃ und (Ge, Si)-Mischkristall im Gleichgewicht. Im Disilicid erfolgt ein Si/Ge-Austausch bis etwa 11 (1000°C Homogenisierungstemp.). Bei dieser Temp. tritt nach kurzen Glühzeiten das sogenannte Digermanid (V₁₇Ge₃₁) noch nicht in Erscheinung.

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V-Si-Ge-alloys have been prepared out of the components and examined. V₃Si and V₃Ge do form a contineous solid solution, the same is true for V₅Si₃ and V₅Ge₃ either for the W₅Si₃-structure or for the carbon stabilized Mn₅Si₃-type phases. V₁₁Ge₈ does not dissolve any silicide. There are equilibria between V₁₁Ge₈, V₅(Si,Ge)₃ and a (Ge, Si)-solid solution. Silicon can be substituted by germanium in VSi₂ up to 11 (1000°C homogenizing temperature). At this temperature the so called digermanide (V₁₇Ge₃₁) does not occur after a short anneal.

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Mit 1 Abbildung     

Untersuchungen in den Dreistoffen: Cr−W−Si und Mo−W−Si

Zusammenfassung Der Schnitt: Me₃Si (Me=Cr, W bzw. Mo, W) wird an Hand heißgepreßter und in Argon homogenisierter Legierungen untersucht; es läßt sich weder das metastabile W₃Si, noch eine W-reiche Mischphase von diesem Typ beobachten. Cr₃Si nimmt bei 1500°C etwa 20 Mol%, W₃Si auf, während Mo₃Si selbst bei 1900°C praktisch kein W₃Si löst (ev. wenige Mol%). Dagegen bestehen lückenlose Mischreihen zwischen den Me₅Si₃-Phasen mit W₅Si₃-Typ. Die grundsätzliche Aufteilung der Phasenfelder ist damit möglich.Mit 2 Abbildungen     

Bor-reiche Wolframboride

Zusammenfassung Die Existenz des Wolframborids und des analogen Molybdänborids, vonChrétien undHelgorsky ¹ als WB₄ (bzw. MoB₄) formuliert, wird bestätigt, doch sind diese Phasen Bor-reicher. Die Gitterparameter werden neu bestimmt. Ein Strukturvorschlag wird für W_2–x B₉ (x1/6) angegeben. (W, Pd)₂B₅ besitzt Mo₂B₅-Struktur und wird bereits durch geringe Mengen an Palladium stabilisiert.

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The existence of the W-boride and of the analogous Mo-boride of the respective formula WB₄ and MoB₄ according toChrétien andHelgorsky ¹ has been confirmed, however the phases being more boron-rich in composition. The lattice parameters were newly determined. A crystal structure will be proposed for W_2–x B₉ (x1/6). (W, Pd)₂B₅ stabilized by a small amount of palladium belongs to the Mo₂B₅-type.

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Mit 1 Abbildung.

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Herrn Professor Dr.Friedrich Wessely zum 70. Geburtstag gewidmet.     

Die Kristallstrukturen von Rh10Ga17 und Ir3Ga5

Zusammenfassung Die Kristallstrukturen von Rh₁₀Ga₁₇ und Ir₃Ga₅ werden bestimmt und mittels zweidimensionalerFourier-Synthesen verfeinert. Die beiden Verbindungen gehören zu einer Gruppe von TiSi₂-Abkömmlingen der allgemeinen Formel T _n B_2n-m (TB_2-x ). Die Gitterkonstanten betragen für Rh₁₀Ga₁₇ a=5,813;c=47,46 und für Ir₃Ga₅ a=5,823;c=14,20 Å.

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The crystal structures of Rh₁₀Ga₁₇ and Ir₃Ga₅ have been determined by means of two-dimensionalFourier syntheses. The crystal structure of the two compounds of the general formula T _n B_2n-m (TB_2-x ) can be derived from the TiSi₂-type. The lattice parameters were found to be: Rh₁₀Ga₁₇ a=5,813;c=47,46 and Ir₃Ga₅ a=5,823;c=14,20 Å.

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Mit 2 Abbildungen     

Ein Beitrag zur Mn5Si3-Struktur (D 88-Typ)

Zusammenfassung Die Parameter des D 8₈-Struktur werden mit Hilfe gut ausgebildeter Einkristalle von Ti₅Si₃ neu bestimmt. Die dazu isotype Kristallart Zr₅Al₃ wird im System: Zr–Al nachgewiesen. Im Schnitt: Ti₅Sn₃–Zr₅Sn₃ bzw. Zr₅Pb₃–Ti (5) Pb (3) tritt ein lückenloser bzw. sehr ausgedehnter Bereich von Mischkristallen mit D8₈-Typ auf.Mit 1 Abbildung