煅烧温度对阳极氧化WO3多孔薄膜的形貌及光电化学性能的影响

采用一步式阶跃电压加压方法,在NH4F/(NH4)2SO4电解质溶液中对W片进行阳极氧化处理制备了WO3多孔薄膜,通过后续热处理温度的控制,制备了性能规律性变化的WO3多孔纳米薄膜材料.用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)分析等手段考察了热处理温度对氧化钨晶体结构和形貌影响的规律,在450°C以下的煅烧温度下,薄膜保持50-100nm孔径;通过对光电化学性质、光催化降解甲基橙动力学行为的研究,考察了不同热处理温度对WO3多孔薄膜光电转换性能影响的规律.研究表明,450°C煅烧处理后的WO3薄膜在500W氙灯光源照射及1.2V偏压下,光电流密度达到5.11mA·cm-2;340及400nm单色光辐射下光电转换效率(IPCE)值分别达到87.4%及22.1%.电化学交流阻抗谱显示,450°C煅烧处理后的WO3薄膜表现出最佳的导电率及最小的界面电荷转移电阻.实验结果证明,高结晶度的多孔结构是WO3薄膜具有高光电转换效率的主要因素,控制热处理温度是实现薄膜具有高孔隙率、完整结晶度、低电阻的重要手段.     

基于光谱诊断的多丝熔化极气体保护焊电弧干扰分析

多丝熔化极气体保护焊中,由于电弧间的相互干扰,电弧工作状态不稳定,进而影响焊接过程稳定性和焊接质量。基于Boltzmann作图法测量电子温度场和Stark展宽法研究了多丝工作条件下电弧的电子温度分布和电子密度分布,结合高速摄影获得的定量化结果,给出电弧间干扰的定量化分析。光谱诊断结果表明双丝情况下,当加入电弧工作电流大于原电弧时,原电弧电子温度中心向新加入电弧稳定偏移,而且偏向新电弧一侧电子密度明显增加,而新电弧工作电流等于原电弧时,电弧电子温度和电子密度分布都反映出原电弧工作状态不稳定。三丝情况,由于加入第三根电弧,导致中间电弧电子温度分布变得复杂,而其电子密度分布接近于单丝工作情况。     

新型玻璃刻蚀用光刻胶的研制

采用环氧树脂改性超支化聚酯制备了玻璃刻蚀用的光刻胶掩膜,研究了该感光树脂的感光活性、耐刻蚀性,以及加入HCI、HNO_3后刻蚀对玻璃刻蚀的影响。结果表明,所得感光树脂对玻璃有较好的附着力,厚度为40～50μm的胶膜在ω(HF)为40％的溶液中抗浮胶时间超过6 min,光刻胶初始曝光时间T_0为2．7 s,反差值γ_(gel)为2．8;混合刻蚀剂对载玻片玻璃的刻蚀速度≥35μm/min;以该光刻胶为单层掩膜,可得到线宽50μm的清晰刻蚀图样,玻璃的刻蚀深度超过38μm。     

DFT方法研究掺杂氮化硅对SONOS器件保持性能的作用

可通过对氮化硅层掺杂来改变俘获电荷的缺陷种类和数量的方法，改善SONOS非挥发性存储器件的保持性能.建立无定形氮化硅和氧、硫、磷、氟或氯掺杂氮化硅中缺陷的簇模型；根据第一性原理的密度泛函理论(DFT)，对缺陷的簇模型结构优化并计算能量，得到缺陷俘获电荷过程的能量变化.发现缺陷俘获电子的能力比俘获空穴的能力好，电子释放过程应对温度敏感，而空穴释放过程主要由隧穿机理控制.预测与氧氮化硅一样，硫或磷掺杂氮化硅代替氮化硅作为SONOS器件的电荷储存层，可改善器件的保持性能.